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    Internal electrical contact for enclosed MEMS devices
    3.
    发明公开
    Internal electrical contact for enclosed MEMS devices 审中-公开
    Interner elektrischer Kontaktfürverkapselte MEMS-Vorrichtungen

    公开(公告)号：EP2762441A2

    公开(公告)日：2014-08-06

    申请号：EP14153050.1

    申请日：2014-01-29

    申请人： InvenSense, Inc.

    发明人： Huang, Kegang ,  Shin, Jongwoo ,  Lim, Martin ,  Daneman, Michael Julian ,  Seeger, Joseph

    IPC分类号： B81B7/00

    CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B7/0064 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/031

    摘要： A MEMS device is disclosed. The MEMS device comprises a MEMS substrate. The MEMS substrate includes a first semiconductor layer connected to a second semiconductor layer with a dielectric layer in between. MEMS structures are formed from the second semiconductor layer and include a plurality of first conductive pads. The MEMS device further includes a base substrate which includes a plurality of second conductive pads thereon. The second conductive pads are connected to the first conductive pads. Finally, the MEMS device includes a conductive connector formed through the dielectric layer of the MEMS substrate to provide electrical coupling between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The base substrate is electrically connected to the second semiconductor layer and the first semiconductor layer.

    摘要翻译： 公开了MEMS器件。 MEMS器件包括MEMS衬底。 MEMS衬底包括连接到第二半导体层的第一半导体层，其间具有介电层。 MEMS结构由第二半导体层形成并且包括多个第一导电焊盘。 MEMS器件还包括在其上包括多个第二导电焊盘的基底基板。 第二导电焊盘连接到第一导电焊盘。 最后，MEMS器件包括通过MEMS衬底的电介质层形成的导电连接器，以提供第一半导体层和第二半导体层之间的电耦合。 基底基板电连接到第二半导体层和第一半导体层。

    METHOD FOR MANUFACTURING A HERMETICALLY SEALED STRUCTURE
    4.
    发明公开
    METHOD FOR MANUFACTURING A HERMETICALLY SEALED STRUCTURE 审中-公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HERMETISCH VERSIEGELTEN STRUKTUR

    公开(公告)号：EP2558407A2

    公开(公告)日：2013-02-20

    申请号：EP11717211.4

    申请日：2011-04-15

    申请人： SensoNor AS

    发明人： KITTISLAND, Gjermund ,  LAPADATU, Daniel ,  JACOBSEN, Sissel ,  WESTGAARD, Trond

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/058

    摘要： A method for providing hermetic sealing within a silicon-dielectric composite wafer for manufacturing a hermetically sealed structure, comprising the steps of: patterning a first silicon wafer to have one or more recesses and filling said recesses with a dielectric material to form a first composite wafer having a plurality of silicon-dielectric interfaces, said first composite wafer having one or more bonding surfaces, and a further outer surface comprising a layer of dielectric material only; and using an anodic bonding technique to create hermetic sealing between silicon-dielectric interfaces within the first composite wafer.

    摘要翻译： 一种用于在用于制造气密密封结构的硅 - 电介质复合晶片内提供密封密封的方法，包括以下步骤：将第一硅晶片图案化成具有一个或多个凹槽并用介电材料填充所述凹槽以形成第一复合晶片 具有多个硅 - 电介质界面，所述第一复合晶片具有一个或多个键合表面，以及仅包含一层介电材料的另外的外表面; 以及使用阳极接合技术来在第一复合晶片内的硅 - 电介质界面之间形成气密密封。

    Soudure anodique pour dispositif de type MEMS
    5.
    发明公开
    Soudure anodique pour dispositif de type MEMS 审中-公开
    Anodisches Bondenfüreine MEMS-Vorrichtung

    公开(公告)号：EP2532619A1

    公开(公告)日：2012-12-12

    申请号：EP11169070.7

    申请日：2011-06-08

    申请人： Debiotech S.A.

    发明人： Bianchi, François

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： B81C3/001 ,  A61M5/14276 ,  B81B1/00 ,  B81B2201/058 ,  B81B2201/06 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  Y10T428/1317

    摘要： Dispositif comprenant une plaque comprenant une surface de silicium et une plaque comprenant une surface de verre fixées l'une à l'autre, la zone de fixation ainsi formée entre les plaques définissant une structure multicouche comprenant une première couche de protection contre une altération physique du matériau couvrant la surface de silicium et une deuxième couche de protection contre une altération physique du matériau couvrant la surface de verre; ladite structure multicouche comprenant en outre au minimum une couche additionnelle permettant de réaliser une soudure anodique entre les deux couches de protection.

    摘要翻译： 该装置具有包括彼此紧固的硅和玻璃区域的晶片。 形成在晶片之间的紧固区限定了包括保护层（3,4）的多层结构，保护层保护硅和玻璃免受由覆盖该区域的表面的侵蚀引起的物理变化。 该结构包括能够在层之间进行阳极结合的接合层。 流体通道被保护层保护。 接合层包括在50和100纳米之间的精细厚度，以在接合层的攻击期间在接合处形成毛细管截止阀。 还包括用于制造微机电系统（MEMS）装置的方法的独立权利要求。

    Micro-réflectron pour spectromètre de masse à temps de vol
    6.
    发明公开
    Micro-réflectron pour spectromètre de masse à temps de vol 有权
    Mikro-ReflektronfürFlugzeit-Massenspektrometer

    公开(公告)号：EP2485243A1

    公开(公告)日：2012-08-08

    申请号：EP12153896.1

    申请日：2012-02-03

    申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

    发明人： Danel, Jean-Sébastien ,  Duraffourg, Laurent ,  Progent, Frédéric ,  Tassetti, Charles-Marie

    IPC分类号： H01J49/40 ,  B81B7/02

    CPC分类号： H01J49/405 ,  B05D3/10 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2203/031 ,  H01J49/0018

    摘要： L'invention concerne un micro-réflectron pour spectromètre de masse à temps de vol comprenant un substrat (3100, 5400), et, intégrés au volume du substrat, des moyens (5400) d'application d'un gradient de potentiel dans un volume adapté à constituer une zone de vol des ions (3300 ), caractérisé en ce que lesdits moyens d'application comprennent au moins deux électrodes de polarisation et une paroi en au moins un matériau résistif adaptée à être polarisée entre ces électrodes en sorte de générer un gradient continu de potentiel en assurant elle-même la fonction de réflectron, cette zone de vol, ces électrodes et cette paroi étant obtenues par la technologie des systèmes micro-électromécaniques (MEMS) et ce micro-réflectron ayant une épaisseur inférieure à 5 millimètres tandis que ses autres dimension sont inférieures à 10 fois cette épaisseur.

    摘要翻译： 微反射器具有电位梯度施加单元，例如， 电阻层（5400），用于在形成离子飞行区的基底体积中施加电位梯度，例如 管（3300），其中微反射器的厚度小于5mm，其他尺寸小于厚度的10倍。 该单元包括由电阻材料制成的壁，并且在金属极化电极（5210）之间极化，以产生连续的电势梯度，同时提供反射器功能。 通过微机电系统技术获得区域，电极和壁。 还包括以下独立权利要求：（1）质谱仪（2）微反射镜的制造方法。

    Acoustic sensor
    8.
    发明公开
    Acoustic sensor 审中-公开
    声学传感器

    公开(公告)号：EP2360942A3

    公开(公告)日：2012-03-28

    申请号：EP10196842.8

    申请日：2010-12-23

    申请人： Omron Corporation

    发明人： Omura, Eiichi ,  Ozawa, Naoshi ,  Wakabayashi, Shuichi

    IPC分类号： H04R19/00 ,  H04R19/04

    CPC分类号： B81C1/00182 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/036 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003

    摘要： A phenomenon in which a bonding agent (56) that fixes an acoustic sensing element (32, 62, 72 to 82) to a base substrate (34) runs to through a back chamber (45) is prevented. A leakage of a back chamber (45) from a lower surface of the acoustic sensing element (32, 62, 72 to 82) is prevented. A deformation of the acoustic sensing element (32, 62, 72 to 82) is decreased to improve sensitivity of an acoustic sensor (31 , 61, 68, 71). A lower surface of the acoustic sensing element (32, 62, 72 to 82) is bonded to an upper surface of the base substrate (34) by the thermosetting bonding agent (56). In the acoustic sensing element (32, 62, 72 to 82), a vibration electrode plate (43) and a fixed electrode plate (44) that is opposite the vibration electrode plate (43) are prepared on an upper surface of an element substrate (41). The back chamber (45) is formed in the element substrate (41). The back chamber (45) is opened to the upper surface of the element substrate (41), and a lower surface of the back chamber (45) is closed into a pouched shape by the element substrate (41). The vibration electrode plate (43) is located in the upper surface opening of the back chamber (45), and an acoustic hole (55) is made in the fixed electrode plate (44) in order to pass an acoustic vibration.

    Mitigation of high stress areas in vertically offset structures
    9.
    发明公开
    Mitigation of high stress areas in vertically offset structures 审中-公开
    on n n n n n n n n n n n n n n n n

    公开(公告)号：EP2216290A2

    公开(公告)日：2010-08-11

    申请号：EP09176967.9

    申请日：2009-11-24

    申请人： Honeywell International Inc.

    发明人： Foster, Michael ,  Jafri, Ijaz H.

    IPC分类号： B81C1/00

    CPC分类号： B81C1/00103 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2203/031

    摘要： Alternative methods of constructing a vertically offset structure are disclosed. An embodiment includes forming a flexible layer (12) having first and second end portions (13, 14), an intermediate portion (70) coupling the first and second portions, and upper and lower surfaces (48, 15). The distance between the upper and lower surfaces at the intermediate portion is less than the distance between the upper and lower surfaces at the first and second end portions. The first end portion is bonded to a base member (44). The second end portion of the flexible layer is deflected until the second end portion contacts the base member. The second end portion is bonded to the base member.

    摘要翻译： 公开了构造垂直偏移结构的替代方法。 实施例包括形成具有第一和第二端部（13,14）的柔性层（12），连接第一和第二部分的中间部分（70）以及上表面和下表面（48,15）。 中间部分的上表面和下表面之间的距离小于第一和第二端部处的上表面和下表面之间的距离。 第一端部结合到基部构件（44）。 柔性层的第二端部偏转直到第二端部接触基底构件。 第二端部结合到基部构件。