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    MEMS DEVICE HAVING A GETTER
    2.
    发明公开
    MEMS DEVICE HAVING A GETTER 有权
    MEMS-VORRICHTUNG MIT EINEM GETTER

    公开(公告)号：EP2973685A4

    公开(公告)日：2016-10-12

    申请号：EP14774321

    申请日：2014-03-13

    申请人： BOSCH GMBH ROBERT

    发明人： SAMARAO ASHWIN ,  O'BRIEN GARY ,  FEYH ANDO ,  YAMA GARY ,  GRAHAM ANDREW ,  KIM BONGSANG ,  PURKL FABIAN

    IPC分类号： H01L23/12 ,  B81B7/02 ,  H01L21/322

    CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3225 ,  H01L23/28

    摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.

    摘要翻译： 微机电系统（MEMS）装置包括高密度吸气剂。 高密度吸气剂包括通过孔化形成的硅表面积或者通过在器件的密封空腔内形成沟槽。 硅表面积包括钛或其它吸气材料的沉积物以减少存在于密封室中的气体的量，从而形成低压室。 高密度吸气剂用于测辐射热计和陀螺仪，但不限于这些设备。

    TITANIUM NITRIDE FOR MEMS BOLOMETERS
    5.
    发明公开
    TITANIUM NITRIDE FOR MEMS BOLOMETERS 审中-公开
    TITANNANNRIDFÜRMEMS-BOLOMETER

    公开(公告)号：EP3050105A4

    公开(公告)日：2017-05-10

    申请号：EP14847383

    申请日：2014-09-26

    申请人： BOSCH GMBH ROBERT

    发明人： SAMARAO ASHWIN K ,  O'BRIEN GARY ,  FEYH ANDO ,  PURKL FABIAN ,  YAMA GARY

    IPC分类号： G01J5/20 ,  G01J5/02

    CPC分类号： G01J5/20 ,  G01J5/024

    摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes patterning a sacrificial layer on a substrate to define a bolometer, with trenches being formed in the sacrificial layer to define anchors for the bolometer, the trenches extending through the sacrificial layer and exposing conductive elements at the bottom of the trenches. A thin titanium nitride layer is then deposited on the sacrificial layer and within the trenches. The titanium nitride layer is configured to form a structural support for the bolometer and to provide an electrical connection to the conductive elements on the substrate.

    摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上图案化牺牲层以限定辐射热测量计，在牺牲层中形成沟槽以限定辐射热测量计的锚定件，沟槽延伸穿过牺牲层并暴露位于底部的导电元件 壕沟。 然后在牺牲层上和沟槽内沉积薄的氮化钛层。 氮化钛层被配置成形成用于测辐射热计的结构支撑并且提供到衬底上的导电元件的电连接。