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    MEMS DEVICE HAVING A GETTER
    2.
    发明公开
    MEMS DEVICE HAVING A GETTER 有权
    MEMS-VORRICHTUNG MIT EINEM GETTER

    公开(公告)号：EP2973685A4

    公开(公告)日：2016-10-12

    申请号：EP14774321

    申请日：2014-03-13

    申请人： BOSCH GMBH ROBERT

    发明人： SAMARAO ASHWIN ,  O'BRIEN GARY ,  FEYH ANDO ,  YAMA GARY ,  GRAHAM ANDREW ,  KIM BONGSANG ,  PURKL FABIAN

    IPC分类号： H01L23/12 ,  B81B7/02 ,  H01L21/322

    CPC分类号： B81C1/00285 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3225 ,  H01L23/28

    摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device includes a high density getter. The high density getter includes a silicon surface area formed by porosification or by the formation of trenches within a sealed cavity of the device. The silicon surface area includes a deposition of titanium or other gettering material to reduce the amount of gas present in the sealed chamber such that a low pressure chamber is formed. The high density getter is used in bolometers and gyroscopes but is not limited to those devices.

    摘要翻译： 微机电系统（MEMS）装置包括高密度吸气剂。 高密度吸气剂包括通过孔化形成的硅表面积或者通过在器件的密封空腔内形成沟槽。 硅表面积包括钛或其它吸气材料的沉积物以减少存在于密封室中的气体的量，从而形成低压室。 高密度吸气剂用于测辐射热计和陀螺仪，但不限于这些设备。

    TITANIUM NITRIDE FOR MEMS BOLOMETERS
    6.
    发明公开
    TITANIUM NITRIDE FOR MEMS BOLOMETERS 审中-公开
    TITANNANNRIDFÜRMEMS-BOLOMETER

    公开(公告)号：EP3050105A4

    公开(公告)日：2017-05-10

    申请号：EP14847383

    申请日：2014-09-26

    申请人： BOSCH GMBH ROBERT

    发明人： SAMARAO ASHWIN K ,  O'BRIEN GARY ,  FEYH ANDO ,  PURKL FABIAN ,  YAMA GARY

    IPC分类号： G01J5/20 ,  G01J5/02

    CPC分类号： G01J5/20 ,  G01J5/024

    摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes patterning a sacrificial layer on a substrate to define a bolometer, with trenches being formed in the sacrificial layer to define anchors for the bolometer, the trenches extending through the sacrificial layer and exposing conductive elements at the bottom of the trenches. A thin titanium nitride layer is then deposited on the sacrificial layer and within the trenches. The titanium nitride layer is configured to form a structural support for the bolometer and to provide an electrical connection to the conductive elements on the substrate.

    摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上图案化牺牲层以限定辐射热测量计，在牺牲层中形成沟槽以限定辐射热测量计的锚定件，沟槽延伸穿过牺牲层并暴露位于底部的导电元件 壕沟。 然后在牺牲层上和沟槽内沉积薄的氮化钛层。 氮化钛层被配置成形成用于测辐射热计的结构支撑并且提供到衬底上的导电元件的电连接。

    EPI-POLY ETCH STOP FOR OUT OF PLANE SPACER DEFINED ELECTRODE
    8.
    发明公开
    EPI-POLY ETCH STOP FOR OUT OF PLANE SPACER DEFINED ELECTRODE 审中-公开
    EPI聚头部停止层，用于由外部间隔物定义的电极

    公开(公告)号：EP2973665A4

    公开(公告)日：2016-11-16

    申请号：EP14770043

    申请日：2014-03-08

    申请人： BOSCH GMBH ROBERT

    发明人： GRAHAM ANDREW ,  YAMA GARY ,  O'BRIEN GARY

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： B81B3/0021 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/053 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0136

    摘要： In one embodiment, a method of forming an out-of-plane electrode includes forming an oxide layer above an upper surface of a device layer, etching an etch stop perimeter defining trench extending through the oxide layer, forming a first cap layer portion on an upper surface of the oxide layer and within the etch stop perimeter defining trench, etching a first electrode perimeter defining trench extending through the first cap layer portion and stopping at the oxide layer, depositing a first material portion within the first electrode perimeter defining trench, depositing a second cap layer portion above the deposited first material portion, and vapor releasing a portion of the oxide layer with the etch stop portion providing a lateral etch stop.

    摘要翻译： 在一个实施例中，形成平面外电极的方法包括在器件层的上表面上形成氧化物层，蚀刻限定延伸穿过氧化物层的沟槽的蚀刻停止周界，在第一帽层部分上形成 氧化层的上表面和蚀刻停止周界界定沟槽内，蚀刻延伸穿过第一覆盖层部分并停止在氧化物层处的第一电极周界，限定沟槽，在第一电极周界界定槽内沉积第一材料部分，沉积 在沉积的第一材料部分上方的第二盖层部分，以及用蚀刻停止部分提供横向蚀刻停止的部分氧化物层的蒸气。