公开(公告)号：EP2901481A1

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：EP13842878.4

申请日：2013-06-20

申请人： Intel Corporation

发明人： THEN, Han Wui ,  DASGUPTA, Sansaptak ,  SCHROM, Gerhard ,  RAO, Valluri R. ,  CHAU, Robert S.

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L27/0805 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94

摘要： III-N high voltage MOS capacitors and System on Chip (SoC) solutions integrating at least one III-N MOS capacitor capable of high breakdown voltages (BV) to implement high voltage and/or high power circuits. Breakdown voltages over 4V may be achieved avoiding any need to series couple capacitors in an RFIC and/or PMIC. In embodiments, depletion mode III-N capacitors including a GaN layer in which a two dimensional electron gas (2DEG) is formed at threshold voltages below 0V are monolithically integrated with group IV transistor architectures, such as planar and non-planar silicon CMOS transistor technologies. In embodiments, silicon substrates are etched to provide a (111) epitaxial growth surface over which a GaN layer and III-N barrier layer are formed. In embodiments, a high-K dielectric layer is deposited, and capacitor terminal contacts are made to the 2DEG and over the dielectric layer.

公开(公告)号：EP2705532B1

公开(公告)日：2019-11-13

申请号：EP12779644.9

申请日：2012-04-27

申请人： Intel Corporation

发明人： KAMGAING, Telesphor ,  RAO, Valluri R.

IPC分类号： H01L23/66 ,  H05K9/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/552 ,  H01L25/18

公开(公告)号：EP3504738A1

公开(公告)日：2019-07-03

申请号：EP17844545.8

申请日：2017-08-25

申请人： INTEL Corporation

发明人： BLOCK, Bruce ,  RAO, Valluri R. ,  MEHANDRU, Rishabh ,  INGERLY, Doug ,  JUN, Kimin ,  O'BRIEN, Kevin ,  MORROW, Patrick ,  FISCHER, Paul ,  LIAO, Szyua S.

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H02S20/20

公开(公告)号：EP3437189A1

公开(公告)日：2019-02-06

申请号：EP17776106.1

申请日：2017-02-13

申请人： Intel Corporation

发明人： NAIR, Vijay K. ,  EID, Feras ,  ELSHERBINI, Adel A. ,  KAMGAING, Telesphor ,  DOGIAMIS, Georgios C. ,  RAO, Valluri R. ,  SWAN, Johanna M.

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/58 ,  H03H9/02 ,  H03H3/007

公开(公告)号：EP3120385A1

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：EP14886535.5

申请日：2014-03-18

申请人： Intel Corporation

发明人： MUKHERJEE, Niloy ,  DOYLE, Brian S. ,  DASGUPTA, Sansaptak ,  RADOSAVLJEVIC, Marko ,  PILLARISETTY, Ravi ,  THEN, Han Wui ,  RAO, Valluri R. ,  CHAU, Robert S.

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/763

CPC分类号： H01L21/02513 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/763 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681

摘要： Embodiments of semiconductor assemblies, and related integrated circuit devices and techniques, are disclosed herein. In some embodiments, a semiconductor assembly may include a flexible substrate, a polycrystalline semiconductor material, and a polycrystalline dielectric disposed between and adjacent to the flexible substrate and the polycrystalline semiconductor material. The polycrystalline semiconductor material may include a polycrystalline III-V material, a polycrystalline II-VI material or polycrystalline germanium. Other embodiments may be disclosed and/or claimed.

摘要翻译： 本文公开了半导体组件的实施例以及相关的集成电路器件和技术。 在一些实施例中，半导体组件可以包括柔性衬底，多晶半导体材料以及设置在柔性衬底和多晶半导体材料之间和之间的多晶电介质。 多晶半导体材料。 多晶半导体材料可以包括多晶III-V材料，多晶II-VI材料或多晶锗。 可以公开和/或要求保护其他实施例。

公开(公告)号：EP3050098A1

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：EP13894760.1

申请日：2013-09-27

申请人： Intel Corporation

发明人： KAMGAING, Telesphor ,  RAO, Valluri R.

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582

摘要： A die package is described that includes a substrate to carry passive components. In one example, the package has a semiconductor die having active circuitry near a front side of the die and having a back side opposite the front side, and a component substrate near the back side of the die. A plurality of passive electrical components are on the component substrate and a conductive path connects a passive component to the active circuitry. The die has a silicon substrate between the front side and the back side and the conductive path is a through-silicon via through the die from the back side to the active circuit.

摘要翻译： 描述了包括用于承载无源部件的基板的管芯封装。 在一个示例中，封装具有半导体管芯，该半导体管芯具有靠近管芯前侧的有源电路，并具有与前侧相反的背面，以及靠近管芯背侧的部件衬底。 多个无源电组件在组件衬底上，并且导电路径将无源组件连接到有源电路。 芯片在前侧和后侧之间具有硅衬底，并且导电路径是从后侧到有源电路的通过芯片的穿硅通孔。

公开(公告)号：EP2705532A2

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：EP12779644.9

申请日：2012-04-27

申请人： Intel Corporation

发明人： KAMGAING, Telesphor ,  RAO, Valluri R.

IPC分类号： H01L23/66 ,  H05K9/00

摘要： An apparatus includes a radio-frequency die with shielding through-silicon vias and a die backside lattice lid that shield a sector in the RF die from radio- and electromagnetic interference.

公开(公告)号：EP3440718A1

公开(公告)日：2019-02-13

申请号：EP16897393.1

申请日：2016-04-01

申请人： INTEL Corporation

发明人： OSTER, Sasha N. ,  EID, Feras ,  SWAN, Johanna M. ,  LIFF, Shawna M. ,  ALEKSOV, Aleksandar ,  SOUNART, Thomas L. ,  BICEN, Baris ,  RAO, Valluri R.

IPC分类号： H01L41/04 ,  H01L41/047 ,  H01L41/18 ,  H01L41/27 ,  H01L41/331 ,  H01L41/332 ,  H01L41/314

公开(公告)号：EP3437191A1

公开(公告)日：2019-02-06

申请号：EP17776049.3

申请日：2017-01-24

申请人： Intel Corporation

发明人： ELSHERBINI, Adel A. ,  EID, Feras ,  BICEN, Baris ,  KAMGAING, Telesphor ,  NAIR, Vijay K. ,  DOGIAMIS, Georgios C. ,  SWAN, Johanna M. ,  RAO, Valluri R.

IPC分类号： H03H9/42 ,  G10K11/36 ,  H03H9/02

公开(公告)号：EP3437133A1

公开(公告)日：2019-02-06

申请号：EP16897402.0

申请日：2016-04-01

申请人： INTEL Corporation

发明人： HUA, Fay ,  PELTO, Christopher M. ,  RAO, Valluri R. ,  BOHR, Mark T. ,  SWAN, Johanna M.

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/10