-
公开(公告)号：JPWO2012046607A1
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：JP2012537652
申请日：2011-09-28
CPC classification number: G03F7/20 , C08F20/28 , C08F2220/283 , G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325
Abstract: 本発明は液浸露光用として好適で、エッチング耐性がより向上し、感度、断面形状、解像性等のレジスト膜の一般的特性に優れるトレンチパターン及び/又はホールパターンの形成方法並びに感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とする。本発明は、(1)感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布するレジスト膜形成工程、(2)露光工程、及び(3)現像工程を含むトレンチパターン及び/又はホールパターン形成方法であって、上記(3)現像工程における現像液中に有機溶媒を50質量%以上含有し、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基及び脂環式基を有する構造単位(I)を含み、この脂環式基が酸の作用により分子鎖から解離しない重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有することを特徴とするトレンチパターン及び/又はホールパターン形成方法である。
-
公开(公告)号：JPWO2010095746A1
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：JP2011500678
申请日：2010-02-23
CPC classification number: C07C69/96 , C07C68/06 , C07C2601/14 , C08F220/30 , G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 一般式(1)(但し、R0は、炭素数1〜10の(n+1)価の直鎖状又は分岐状の脂肪族炭化水素基等、R1は、水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基、R2は、単結合等、R3は、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基等、Xは、炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のフルオロアルキレン基、nは、1〜5の整数)で表される化合物である。
-
公开(公告)号：JPWO2006035790A1
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：JP2006537763
申请日：2005-09-28
IPC: C08F220/10 , C08F228/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/26 , C08F220/38 , C08F228/00 , G03F7/2041
Abstract: フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、液浸露光時の媒体に溶出することなく安定な被膜を維持し、さらに液浸露光でないドライ露光を行なった場合からのパターン形状劣化がなく、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を形成する。下記式(1)で表される基を有する繰返し単位、下記式(2)で表される基を有する繰返し単位、およびカルボキシル基を有する繰返し単位から選ばれる少なくとも1つの繰返し単位(I)と、スルホ基を有する繰返し単位(II)とを含み、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が2,000〜100,000である。R1およびR2の少なくとも一方は炭素数1〜4のフッ素化アルキル基であり、式(2)においてR3は、炭素数1〜20のフッ素化アルキル基を表す。
-
公开(公告)号：JP5660037B2
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：JP2011514394
申请日：2010-05-14
IPC: G03F7/039 , C07C65/05 , C07C65/10 , C08F212/06 , C08F220/18 , C08F220/36 , G03F7/004
CPC classification number: C07C65/10 , C08F8/12 , C08F12/22 , C08F212/14 , C09D125/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/122 , Y10S430/126 , C08F2220/1891 , C08F220/18
-
公开(公告)号：JPWO2012114963A1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2013500981
申请日：2012-02-15
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325
Abstract: 本発明の課題は、有機溶媒を現像液に用いるネガ型パターン形成方法であって、現像後の露光部表面のラフネスを抑制することができると共に、所望の微細パターンを高感度で形成することができるネガ型パターン形成方法、及びそれに用いられるフォトレジスト組成物を提供することである。本発明は、(1)[A]酸発生能を有する構造単位(I)を含む重合体、及び[F]有機溶媒を含有するフォトレジスト組成物を用い、基板上にレジスト膜を形成する工程、(2)上記レジスト膜に露光する工程、及び(3)上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒を含む現像液で現像する工程を有するネガ型パターン形成方法である。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2012105417A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2012555828
申请日：2012-01-26
IPC: G03F7/039 , C08F20/18 , C08F220/22 , G03F7/004 , G03F7/038
CPC classification number: G03F7/038 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F224/00 , C08F2220/283 , C08F2220/382 , G03F7/004 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325
Abstract: 本発明は、有機溶媒を現像液に用いるパターン形成法において、現像後のミッシングコンタクトホール、及び露光部表面のラフネスの発生を抑制できると共に、解像度、円形性等のリソグラフィー特性に優れるフォトレジスト組成物を提供することを課題とする。上記課題を解決するためになされた発明は、有機溶媒現像用フォトレジスト組成物であって、[A]酸解離性基を有する構造単位(a1)を含むベース重合体、[B]酸解離性基を有する構造単位(b1)を含み、フッ素原子含有率が[A]重合体より高い重合体、及び[C]酸発生体を含有し、かつ上記構造単位(b1)が下記式(1)又は式(2)で表されるフォトレジスト組成物である。
-
公开(公告)号：JPWO2010147079A1
公开(公告)日：2012-12-06
申请号：JP2011519769
申请日：2010-06-14
IPC: G03F7/004 , C08F220/18 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , C08F8/34 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , G03F7/0046 , G03F7/029 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/111 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/126
Abstract: (A)酸解離性基含有樹脂と、(C)一般式(i)で表される化合物(一般式(i)中、R1は、水素原子等を示し、R2は、単結合等を示し、R3は、水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数1〜10の直鎖状の1価の炭化水素基等を示し、X+は、オニウムカチオンを示す。)と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。
-
公开(公告)号：JPWO2010134477A1
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：JP2011514394
申请日：2010-05-14
IPC: G03F7/039 , C07C65/05 , C07C65/10 , C08F212/06 , C08F220/18 , C08F220/36 , G03F7/004
CPC classification number: C07C65/10 , C08F8/12 , C08F12/22 , C08F212/14 , C09D125/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/122 , Y10S430/126 , C08F2220/1891 , C08F220/18
Abstract: (A)酸解離性基含有樹脂と、(C)一般式(1)で表される化合物(一般式(1)中、Z−は、一般式(2)で表される一価のアニオンを示す。M+は、一価のオニウムカチオンを示す。)と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。(一般式(2)中、R1は、フッ素原子で置換若しくは非置換の炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシ基を示す。nは、1又は2を示す。)
-
公开(公告)号：JPWO2009142182A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：JP2010513014
申请日：2009-05-18
Inventor： 岳彦 成岡 , 岳彦 成岡 , 一樹 笠原 , 一樹 笠原 , 大樹 中川 , 大樹 中川 , 宏和 榊原 , 宏和 榊原 , 誠 杉浦 , 誠 杉浦 , 下川 努 , 努 下川 , 誠 志水 , 誠 志水 , 西村 幸生 , 幸生 西村 , 信司 松村 , 信司 松村 , 裕介 浅野 , 裕介 浅野
IPC: G03F7/039 , C08F220/22 , C08F220/28 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: C07C69/96 , C08F220/24 , C08F220/30 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 本発明の目的は、液浸露光時に接触する液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、液浸露光用液体との後退接触角が大きく、現像欠陥が少なく、且つ微細なレジストパターンを高精度に形成することが可能なレジスト膜を形成し得る感放射線性樹脂組成物等を提供することである。本発明の感放射線性樹脂組成物は、液浸露光工程を含むレジストパターン形成方法において、レジスト膜を形成するために用いられる樹脂組成物であって、樹脂成分と、酸発生剤と、溶剤とを含有しており、この樹脂成分は、側鎖にフッ素原子と酸解離性基とを有する繰り返し単位(a1)を含有する樹脂(A1)を含み、且つ、前記樹脂組成物は、K1=F1/F2(式中、F1はレジスト膜の最表面付近におけるフッ素含有率を示し、F2はレジスト膜の最表面側から膜厚の20%付近におけるフッ素含有率を示す。)で定義されるK1の値が、1≦K1≦5を満たす。
-
公开(公告)号：JPWO2012101942A1
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：JP2012554648
申请日：2011-12-21
IPC: G03F7/038 , C08F220/10 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0041 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38
Abstract: 本発明は、(1)感放射線性樹脂組成物を用いるレジスト被膜形成工程、(2)露光工程、及び(3)有機溶媒が80質量%以上の現像液を用いる現像工程を有するレジストパターン形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基を有する重合体を含む重合体成分、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、[A]重合体成分が、同一又は異なる重合体中に、炭化水素基(a1)を有する構造単位(I)及び炭化水素基(a2)を有する構造単位(II)を含み、炭化水素基(a1)が、置換されていてもよい炭素数8以下の分岐鎖状基又は置換されていてもよい環炭素数3〜8の単環の脂肪族環式基であり、炭化水素基(a2)が、アダマンタン骨格を有し、炭化水素基(a1)に対する炭化水素基(a2)のモル比が1未満であり、かつ[A]重合体成分における水酸基を有する構造単位の含有割合が5モル%未満であることを特徴とする。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.032 seconds)
