公开(公告)号：JP4200936B2

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：JP2004134782

申请日：2004-04-28

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 智樹 永井 ,  勇 王 ,  勇二 矢田

IPC: C07D317/72 ,  G03F7/039 ,  C07C337/00 ,  C07D319/08 ,  C09K3/00 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP4123920B2

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：JP2002354142

申请日：2002-12-05

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 努 下川 ,  史尚 宮島 ,  正昭 宮路 ,  智樹 永井 ,  大輔 清水

IPC: G03F7/039 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  C08K5/46 ,  C08L33/04 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

公开(公告)号：JPWO2014171446A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2015512482

申请日：2014-04-15

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 祐亮 庵野 ,  信也 峯岸 ,  智樹 永井

IPC: H01L21/027 ,  C08G77/04 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  G03F7/38

CPC classification number: H01L21/0271 ,  C08G77/26 ,  C08G77/28 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/2041

Abstract: 本発明は、基板の上側に第1層を形成する工程、上記第1層に放射線を照射し、上記第1層の表面に互いに極性の異なる第1領域及び第2領域を形成する工程、上記第1領域及び第2領域の上側に、相分離構造を有する第2層を自己組織化材料により形成する工程、及び上記第2層の一部を除去する工程を備える自己組織化リソグラフィプロセスにおいて、上記第1層の形成に用いるポリシロキサン組成物であり、下記式(i)で表されるシラン化合物の加水分解縮合物であり、かつ酸の作用により極性が変化するポリシロキサン、放射線の照射により酸を発生する酸発生剤、及び溶媒を含有し、上記溶媒がエーテル系溶媒、エステル系溶媒、又はエーテル系溶媒及びエステル系溶媒を含むポリシロキサン組成物である。

Abstract translation: 本发明包括在所述衬底上方的第一层的步骤中，辐射被照射到所述第一层，所述第一层的表面上形成第一区域和第二区域不同的极性，在 所述第一区域和所述第二区域的上侧，所述第二层的步骤是由具有相分离结构自组装材料形成，并且包括除去的一部分的步骤中，自组织的光刻工艺，所述第二层， 用于形成第一层，由下述式（i）表示的硅烷化合物的水解缩合物的聚硅氧烷组合物，和聚硅氧烷通过酸的通过辐射的作用改变极性 酸发生器，其产生一种酸，和含有聚硅氧烷的组合物，其中溶剂包括醚溶剂，酯溶剂或醚系溶剂和酯溶剂的溶剂。

公开(公告)号：JP5233995B2

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：JP2009517795

申请日：2008-05-26

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 宏和 榊原 ,  誠 志水 ,  岳彦 成岡 ,  智樹 永井 ,  芳史 大泉

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0397 ,  C08F220/18 ,  C08F220/30 ,  C08F2220/1808 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392

公开(公告)号：JP4844439B2

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：JP2007064845

申请日：2007-03-14

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 敦 中村 ,  毅由 安陪 ,  誠 杉浦 ,  智樹 永井

IPC: G03F7/40 ,  C08F212/04 ,  C08F220/10 ,  C08F220/58 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP4650375B2

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：JP2006228588

申请日：2006-08-25

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 敦 中村 ,  毅由 安陪 ,  誠 杉浦 ,  智樹 永井

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP4650175B2

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：JP2005259839

申请日：2005-09-07

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 光一郎 吉田 ,  裕臣 水野 ,  智樹 永井 ,  大輔 清水

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP4466113B2

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：JP2004045830

申请日：2004-02-23

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 信司 松村 ,  智樹 永井 ,  敏之 甲斐

IPC: C08F8/00 ,  G03F7/039 ,  C08F212/14 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP4110319B2

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：JP2002189133

申请日：2002-06-28

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 智樹 永井 ,  敏 江幡 ,  勇 王 ,  英司 米田 ,  達也 舎人

IPC: C09K3/00 ,  G03F7/004 ,  C07C309/06 ,  C07C309/17 ,  C07C309/80 ,  C07C309/84 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP5428159B2

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：JP2007528308

申请日：2006-05-11

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 智樹 永井 ,  英司 米田 ,  琢磨 江畑 ,  峰規 川上 ,  誠 杉浦 ,  努 下川 ,  誠 志水

IPC: C08F28/02 ,  C07C309/12 ,  C07C309/19 ,  C07C309/20 ,  C07C381/12 ,  C08F20/38 ,  G03F7/039

CPC classification number: C09D133/14 ,  C07C309/10 ,  C07C309/12 ,  C07C309/19 ,  C07C309/20 ,  C07C381/12 ,  C07D209/76 ,  C08F20/38 ,  C08F28/00 ,  C08F28/02 ,  C08F214/18 ,  C08F220/12 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  C08F228/02 ,  C09D141/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397