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公开(公告)号:JP5656966B2
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:JP2012265997
申请日:2012-12-05
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 , セイコーエプソン株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/368
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公开(公告)号:JP5649082B2
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:JP2012504378
申请日:2011-02-16
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構
CPC classification number: C07D455/04 , B01J23/52 , B01J31/0227 , B01J31/0228 , B01J31/165 , B01J31/226 , B01J35/0013 , B01J2231/326 , B01J2231/342 , B01J2231/346 , B01J2231/4205 , B01J2531/0222 , B01J2531/18 , B01J2531/35 , B01J2540/325 , B01J2540/345 , C07C45/75 , C07D491/22 , C07C49/82
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公开(公告)号:JP5645887B2
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:JP2012158240
申请日:2012-07-17
Inventor: マイケル・イザ , トロイ・ジェー・ベーカー , ベンジャミン・エー・ハスケル , スティーブン・ピー・デンバース , シュウジ・ナカムラ
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02581 , H01L21/02609 , H01L21/02647
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公开(公告)号:JP2014222780A
公开(公告)日:2014-11-27
申请号:JP2014163558
申请日:2014-08-11
Applicant: ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア , Regents Of The Univ Of California , ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア , 独立行政法人科学技術振興機構 , Japan Science & Technology Agency
Inventor: TROY J BAKER , HASKELL BENJAMIN A , FINI PAUL T , DENBAARS STEVEN P , SPECK JAMES S , NAKAMURA SHUJI
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
Abstract: 【課題】平坦な半極性窒化物薄膜の大面積が基板の表面に平行であるような、ミスカットスピネル基板上への平坦な半極性窒化物薄膜の成長方法を提供すること。【解決手段】平坦な薄膜と基板は(1)特定の方向にミスカットした{100}スピネル基板上に成長した{10−11}窒化ガリウム (GaN)、(2){110}スピネル基板上に成長した{10−13}窒化ガリウム (GaN)、(3){1−100}サファイヤ基板上に成長した{11−22}窒化ガリウム (GaN)、および(4){1−100}サファイヤ基板上に成長した{10−13}窒化ガリウム (GaN)を有する。【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种在杂交尖晶石衬底上生长平面,半极性氮化物膜的方法,其中大面积的平面,半极性氮化物膜平行于衬底的表面。解决方案:平面膜 并且衬底是:(1)在特定方向上在{100}尖晶石衬底上生长的{10-11}氮化镓(GaN) (2)生长在{110}尖晶石衬底上的{10-13}氮化镓(GaN),(3)在{1-100}蓝宝石衬底上生长的{11-22}氮化镓(GaN),和(4) 在{1-100}蓝宝石衬底上生长的{10-13}氮化镓(GaN)。
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公开(公告)号:JP2014220524A
公开(公告)日:2014-11-20
申请号:JP2014152524
申请日:2014-07-28
Applicant: ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア , Regents Of The Univ Of California , ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア , 独立行政法人科学技術振興機構 , Japan Science & Technology Agency
Inventor: KAEDING JOHN F , MICHAEL IZA , TROY J BAKER , SATO HITOSHI , HASKELL BENJAMIN A , SPECK JAMES S , DENBAARS STEVEN P , NAKAMURA SHUJI , LEE DONG-SEON
CPC classification number: H01L21/02433 , C30B23/025 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性(Al,In,Ga、B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。【解決手段】具体的には、結晶は、(Al,In,Ga,B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅10μmであり、半極性方位を有し、該結晶はx線回折により測定される半値全幅(FWHM)が0.55?未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:通过使用有意识的基板,提供由垂直于半极(Al,In,Ga和B)N或III族氮化物及其晶体的生长方向的表面构成的晶体。解决方案: 具体地,晶体由垂直于(Al,In,Ga,B)N或III族氮化物及其晶体的生长方向的表面构成。 表面宽度至少为10μm,具有半极性取向。 该晶体的晶体质量的特征在于通过x射线衍射测量的半峰全宽(FWHM)小于0.55°的摇摆曲线。
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公开(公告)号:JP2014211827A
公开(公告)日:2014-11-13
申请号:JP2013088839
申请日:2013-04-19
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 , Japan Science & Technology Agency
Inventor: AIHARA KAZUYUKI , CHIN RAKUNAN , MA HUAN FEI
IPC: G06F17/16
Abstract: 【課題】経時的に変化する自称に関するn次元の項目それぞれについて時系列で観測したm点の観測データに基づいて、観測されていない時点の時系列データを導出する導出装置、導出方法及び導出プログラムを提供する。【解決手段】導出装置1は、n次元の項目それぞれについて時系列に並ぶm点の観測データを取得し(S101)、導出する項目の指定を受け付け(S103)、取得した観測データを要素とし、項目が行方向に並び、時系列が列方向に並ぶように配置したn行?m列の始域行列からの写像として、指定された項目の観測データ及び導出データを要素とし、i行目(iは自然数)にm+1−i点の観測データ及びi−1点の導出データを時系列順に配置したL行?m列の終域行列を求める変換マップを導出し(S105〜S108)、導出した変換マップにより導出データを導出する(S109)。【選択図】図3
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种导出装置,导出方法和导出程序,用于基于与随时间变化的随机变量相关的每个n维项目的时间序列观察到的m个点的观察数据, 在不包括在观测数据中的时间点导出时间序列数据。解决方案:导出装置1获取对于每个n维项目以时间序列排列的m个点的观测数据(S101),并且接受 要导出的项目(S103),并且导出用于搜索的转换图,作为从由n行×m列组成的开始区域矩阵的映射,其中项目被排列成行方向对齐并且时间序列被布置为 为了在列方向上与所获取的观测数据作为元素对齐,由m + 1-i(i是自然数)的观测数据指示的L行×m列组成的结束区域矩阵和导出数据 的i-1分是阿拉 以第i行的时间顺序排列与作为元素的指定项目的观察数据和导出数据(S105〜S108),并通过导出的转换图导出导出数据(S109)。
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58.薄膜トランジスタの製造方法、アクチュエーターの製造方法及び光学デバイスの製造方法、並びに薄膜トランジスタ及び圧電式インクジェットヘッド 有权
Title translation: 一种制造薄膜晶体管的制造方法,和致动器的光学装置和薄膜晶体管和压电喷墨头的制造方法的方法,公开(公告)号:JP5615894B2
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:JP2012280468
申请日:2012-12-25
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構 , セイコーエプソン株式会社
IPC: H01L21/336 , B81C1/00 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187
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公开(公告)号:JP5607102B2
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:JP2012099539
申请日:2012-04-25
Applicant: 独立行政法人科学技術振興機構
IPC: B01J31/22 , B01J37/04 , C07B53/00 , C07B61/00 , C07C249/02 , C07C251/24 , C07C315/04 , C07C317/14 , C07D207/16 , C07D263/14 , C07D263/62 , C07D277/12
CPC classification number: Y02P20/52
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