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公开(公告)号:JP5981157B2
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:JP2012026737
申请日:2012-02-09
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L27/1225 , H01L27/1255
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公开(公告)号:JP5876947B2
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:JP2015005762
申请日:2015-01-15
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/08 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/06 , G02F1/1345
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公开(公告)号:JP5865983B2
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:JP2014228884
申请日:2014-11-11
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/133553 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02686 , H01L21/3003 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1255 , H01L27/1285 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/326 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L29/66537 , H01L29/78621 , H01L29/78678 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , G02F2001/133302 , G02F2001/136295 , G02F2201/123 , H01L27/3262 , H01L29/78633
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公开(公告)号:JP5830045B2
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:JP2013033154
申请日:2013-02-22
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/336
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公开(公告)号:JP2015146017A
公开(公告)日:2015-08-13
申请号:JP2015028345
申请日:2015-02-17
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/02 , G09F9/30 , G09F9/00
CPC classification number: G06F1/1652 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , G06F1/1616 , G06F1/1635 , G06F1/1643 , G06F1/1647 , G06F3/147 , G09G3/20 , G09G3/2096 , G09G3/3225 , G09G3/3648 , G09G5/003 , G06F3/1423 , G09G2300/08 , G09G2310/0218 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0281 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , G09G2360/144 , G09G2380/02 , G09G2380/14 , G09G3/344
Abstract: 【課題】可撓性を有するパネルを取り扱う際に、駆動回路が壊れることを低減する電子書 籍を提供することを目的の一とする。または、構造を簡略化した電子書籍を提供すること を目的の一とする。 【解決手段】走査線駆動回路及び信号線駆動回路により表示制御が行われる表示部を有す る複数の可撓性の表示パネルと、複数の表示パネルを固定する綴じ部とを有し、綴じ部の 内側に信号線駆動回路を設け、表示パネルにおいて綴じ部と垂直方向の端部に走査線駆動 回路を設ける。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种防止其驱动电路断裂的电子书,当处理柔性面板时提供电子书,或提供具有简化结构的电子书。解决方案:电子书包括多个柔性显示面板,每个柔性显示面板 包括由扫描线驱动电路和信号线驱动电路进行显示控制的显示部分和固定多个显示面板的限制部分,并且信号线驱动电路设置在限制部分内部,扫描 线驱动电路设置在垂直于绑定部分的方向的显示面板的一端。
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公开(公告)号:JP5763248B2
公开(公告)日:2015-08-12
申请号:JP2014129002
申请日:2014-06-24
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/167 , G02F1/17 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30
CPC classification number: H05K1/189 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G06F3/0412 , G09G3/2096 , G09G3/3611 , G09G5/003 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , G02F1/167 , G06F2203/04102 , G09G2300/0421 , G09G2300/0478 , G09G3/3208 , G09G3/36 , G09G5/39 , H05K2201/10128
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公开(公告)号:JP2015122333A
公开(公告)日:2015-07-02
申请号:JP2015030530
申请日:2015-02-19
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , F21S48/1163 , F21V21/002 , H01L33/02 , H01L33/62 , H01L51/5064 , H05B33/22 , H05B33/28 , F21K9/20 , F21K9/23 , F21S8/03 , F21S8/04 , F21Y2105/00 , F21Y2115/20
Abstract: 【課題】エレクトロルミネセンス材料を用いた照明装置の薄型化を図ることを目的の一と する。また、エレクトロルミネセンス材料を用いた照明装置の構造の簡略化を図ることを 目的の一とする。 【解決手段】照明装置を構成する発光素子を外部と電気的に接続する端子が、基板上の発 光素子と同一面に形成されており、発光素子を積層形成しながら基板の中央部に端子が形 成される照明装置である。また、発光素子が劣化しにくい構造を有する照明装置である。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:为了获得使用电致发光材料的照明装置的薄度,并且获得使用电致发光材料的照明装置的结构的简单性。解决方案:照明装置具有端子,用于将构成 照明装置到外部,与基板上的发光元件形成在同一表面上,并且端子形成在基板的中心部分,同时层压和形成发光元件。 此外,发光元件具有难以劣化的结构。
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公开(公告)号:JP5723935B2
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:JP2013164852
申请日:2013-08-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/08 , G06K19/077 , H01L21/02
CPC classification number: G06K19/07749 , H01L29/78603 , H01L27/12 , H01L27/1214
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公开(公告)号:JP2021121027A
公开(公告)日:2021-08-19
申请号:JP2021072438
申请日:2021-04-22
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 荒井 康行
IPC: H01L27/108 , H01L29/786 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242
Abstract: 【課題】集積度の高い半導体記憶装置を提供すること。または、電力が供給されない状況 でも記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供すること。または、書き込み可能な回 数が多い半導体記憶装置を提供すること。 【解決手段】メモリセルを二つのトランジスタと一つのキャパシタで構成し、これらのト ランジスタとキャパシタを立体的に配置することでメモリセルアレイの集積度を高める。 メモリセルに設けられるキャパシタの電荷量を制御するトランジスタをシリコンよりもバ ンドギャップの広いワイドギャップ半導体で形成しオフ電流を低減することによりキャパ シタに蓄積された電荷が漏出しないようにする。それにより電力が供給されない状況でも 記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6875582B2
公开(公告)日:2021-05-26
申请号:JP2020085024
申请日:2020-05-14
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventor: 荒井 康行
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , H01L27/1156
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