半導体装置
    79.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021121027A

    公开(公告)日:2021-08-19

    申请号:JP2021072438

    申请日:2021-04-22

    Inventor: 荒井 康行

    Abstract: 【課題】集積度の高い半導体記憶装置を提供すること。または、電力が供給されない状況 でも記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供すること。または、書き込み可能な回 数が多い半導体記憶装置を提供すること。 【解決手段】メモリセルを二つのトランジスタと一つのキャパシタで構成し、これらのト ランジスタとキャパシタを立体的に配置することでメモリセルアレイの集積度を高める。 メモリセルに設けられるキャパシタの電荷量を制御するトランジスタをシリコンよりもバ ンドギャップの広いワイドギャップ半導体で形成しオフ電流を低減することによりキャパ シタに蓄積された電荷が漏出しないようにする。それにより電力が供給されない状況でも 記憶内容の保持が可能な半導体記憶装置を提供する。 【選択図】図1

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