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    レジスト剥離剤
    71.
    发明专利
    レジスト剥離剤 有权
    抗蚀剂剥离

    公开(公告)号：JPWO2014002151A1

    公开(公告)日：2016-05-26

    申请号：JP2013546474

    申请日：2012-10-02

    申请人： 野村マイクロ・サイエンス株式会社

    发明人： 博文 大坪 ,  博文 大坪 ,  慶一郎 石井 ,  慶一郎 石井 ,  久保　賢一 ,  賢一 久保 ,  柳　基典 ,  基典 柳

    IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/422

    摘要： レジスト剥離剤としての優れたレジスト剥離性能を有するとともに、純水リンスに際して、レジスト剥離物の基板への析出や再付着のないレジスト剥離剤を提供すること。さらに、金属配線、特に銅配線に対する腐食性がなく、リユースが可能なレジスト剥離剤を提供すること。(A)炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン及びシクロペンタノンから選ばれる1種以上の50〜99質量%と、(B)炭酸グリセロールの1〜50質量%とからなることを特徴とするレジスト剥離剤。

    摘要翻译： 具有优异的抗蚀剂剥离性能作为抗蚀剂剥离，当纯水漂洗，以提供抗蚀剂剥离而没有沉淀或重新粘附到抗蚀剂剥离的基材。 此外，金属丝，特别是没有铜布线的腐蚀，以提供抗蚀剂剥离，其可以重复使用。 （A）的抗蚀剂的碳酸亚乙酯，碳酸亚丙酯，和50到99重量％的一种或从γ-丁内酯和环戊酮，其特征在于重量比（B）甘油碳酸酯组成的1〜50％以上选定 脱模剂。

    ウエーハの加工方法
    74.
    发明专利
    ウエーハの加工方法 审中-公开
    WAFER的处理方法

    公开(公告)号：JP2016039186A

    公开(公告)日：2016-03-22

    申请号：JP2014159840

    申请日：2014-08-05

    申请人： 株式会社ディスコ

    发明人： 横尾 晋 ,  高橋 宏行 ,  岡崎 健志 ,  西田 吉輝 ,  田渕 智隆

    IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/42 ,  H01L21/301

    CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30655

    摘要： 【課題】デバイスにダメージを与えることなく、低コストにレジスト膜を除去することができるウエーハの加工方法を提供すること。 【解決手段】ウエーハの加工方法は、ウエーハWの表面WSの分割予定ラインを除く領域にレジスト膜を被覆するレジスト膜被覆ステップと、ウエーハWにプラズマエッチングを実施し、ウエーハWの表面WSに分割予定ラインに沿った仕上げ厚さに至る溝Sを形成するプラズマエッチングステップと、ウエーハWの表面WSのレジスト膜を洗浄して除去するレジスト膜除去ステップと、ウエーハWの裏面WRを研削して仕上げ厚さへと薄化するとともに溝SをウエーハWの裏面WRに露出させることでウエーハWを個々のデバイスチップに分割する研削ステップを備える。レジスト膜除去ステップでは、ウエーハWのレジスト膜に薬液MFを噴射して吹きつけレジスト膜を除去する。 【選択図】図5

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够以低成本去除抗蚀剂膜的晶片的处理方法，而不损坏器件。解决方案：一种用于晶片的处理方法包括：抗蚀剂膜涂覆步骤，用于涂覆除了预定分割之外的区域 在具有抗蚀剂膜的晶片W的表面WS上线; 等离子体蚀刻步骤，用于在晶片W上实现等离子体蚀刻，并沿着晶片W的表面WS上的预定分割线形成达到精加工厚度的凹槽S; 用于在晶片W的表面WS上洗涤除去抗蚀剂膜的抗蚀剂膜去除步骤; 以及抛光步骤，用于抛光晶片W的后表面WR以将晶片变薄至精加工厚度，并且将晶片W的后表面WR上的凹槽S暴露以将晶片W分割成单独的器件芯片。 在抗蚀膜去除步骤中，通过在晶片W上的抗蚀剂膜上喷射医用流体MF来除去抗蚀剂膜。图5

    半導体装置の製造方法及び半導体装置
    76.
    发明专利
    半導体装置の製造方法及び半導体装置 有权
    一种制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：JP5846335B1

    公开(公告)日：2016-01-20

    申请号：JP2015515337

    申请日：2015-03-18

    申请人： 東レ株式会社

    发明人： 谷垣 勇剛 ,  藤原 健典

    IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/304 ,  G03F7/40 ,  G03F7/42 ,  G03F7/075 ,  C09D183/04 ,  C09D1/00 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116

    摘要： 基板1上に、ポリシロキサンを含有する組成物のパターン2aを得る工程と、前記基板にイオン不純物領域6を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記イオン不純物領域の形成工程後、さらに、前記パターンを300〜1,500℃で焼成する工程、を有することを特徴とする。これにより、半導体基板へのイオン不純物領域の形成後に、ポリシロキサンを含有する組成物のパターン2aの硬化膜を、残渣なく容易に除去することが可能となるため、半導体装置製造における歩留まり向上や、タクトタイム短縮が可能となる。

    摘要翻译： 在基板1上，具有获得含有聚硅氧烷的组合物的图案2a的步骤的半导体器件的制造方法，以及在基板上形成的离子杂质区域6的步骤，在形成离子杂质区的 步骤之后，还包括：在300〜1500℃烧制该图案的步骤中，.. 因此，半导体衬底的离子杂质区的形成之后，将含有聚硅氧烷的组合物的固化薄膜图案2a中，从而能够无残留容易地除去，并且在半导体器件的制造成品率的提高， 节拍时间减少是可能的。