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    遠隔アーク放電プラズマ支援プロセス
    81.
    发明专利
    遠隔アーク放電プラズマ支援プロセス 审中-公开
    远程电弧放电等离子体辅助工艺

    公开(公告)号：JP2017031501A

    公开(公告)日：2017-02-09

    申请号：JP2016093418

    申请日：2016-05-06

    申请人： ベイパー テクノロジーズ、インコーポレイテッド

    发明人： ウラディミール ゴロコーフスキー ,  デイヴィッド ヒューメニク ,  スコット トルーブ ,  パトリック エイ.サリヴァン ,  ニコラス ペターソン ,  エドワード タイラー ,  グレッグ ヴォラン

    IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/24 ,  H05H1/48 ,  H05H1/50 ,  C23C14/22

    CPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/352 ,  C23C14/355 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/34

    摘要： 【課題】改善された膜特性を生成するために被覆プロセスにおいて高エネルギー粒子を生成する技法を提供する。 【解決手段】被覆システムは真空チャンバーと被覆組立体を含む。被覆組立体は、蒸発源、被覆される基板が蒸発源の前に置かれるように基板を保持する基板ホルダー、主陰極真空アーク組立体、陰極ターゲットに電気的に結合された遠隔陽極、陰極ターゲットと主陽極との間に接続された一次電源、及び陰極ターゲットと遠隔陽極との間に接続された二次電源を含む。主陰極真空アーク組立体は、陰極チャンバー組立体、陰極ターゲット、任意選択の主陽極、及び陰極ターゲットを真空チャンバーから絶縁するシールドを含む。シールドは、電子放出電流又は金属蒸気プラズマのいずれかを陰極ターゲットから真空チャンバー内へ送出する開口部を画成する。蒸発源は、陰極チャンバー組立体と遠隔陽極との間に置かれる。 【選択図】図1A

    摘要翻译： 用于在涂布过程产生的高能粒子，以产生改善的膜性能的技术。 的涂层体系，包括真空腔室和所述盖组件。 涂料组件中，所述蒸发源，用于保持基板上，使得要涂覆的基底放置在蒸发源，所述主阴极真空电弧组件，远程阳极电耦合到所述阴极靶，阴极靶的前面的基板支架 在阳极和阴极靶和远程阳极之间的连接二次电源之间的主连接含主电源。 主阴极真空电弧组件包括阴极室组件，阴极靶，主阳极可选的，并且用于从所述真空室绝缘阴极靶的屏蔽。 屏蔽限定用于从阴极靶递送无论是电子发射电流或金属蒸气等离子体到真空腔室中的开口。 蒸发源被放置在阴极室组件和远程阳极之间。 点域1A

    トランジスタの作製方法
    82.
    发明专利
    トランジスタの作製方法 有权
    晶体管制造方法

    公开(公告)号：JP2016106435A

    公开(公告)日：2016-06-16

    申请号：JP2016051243

    申请日：2016-03-15

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/351 ,  C23C14/352 ,  C23C14/541 ,  C23C14/566 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02565

    摘要： 【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと 比較して信頼性が劣る場合があった。また、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特 性は、基板内、基板間及びロット間において、ばらつきが大きい場合があった。そこで、 信頼性が高く、電気特性のばらつきの小さい酸化物半導体を用いた半導体装置を作製する 。 【解決手段】ロードロック室と、ロードロック室とゲートバルブを介して接続された搬送 室と、搬送室とゲートバルブを介して接続された基板加熱室と、搬送室とゲートバルブを 介して接続されたリークレートが1×10 −10 Pa・m 3 /秒以下である成膜室と、を 有する成膜装置である。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题为了制造使用具有高可靠性和较小电特性变化的氧化物半导体的半导体器件，以解决与使用非晶硅的晶体管相比，使用氧化物半导体的晶体管具有较低的可靠性的情况下的问题， 并且使用氧化物半导体的晶体管的电特性在基板之间以及批次之间变化很大。解决方案：沉积设备包括：负载锁定室; 传送室，通过闸阀与加载锁定室连接; 基板加热室，经由闸阀与转印室连接; 以及通过闸阀与传送室连接并具有等于或小于1×10Pa m / sec的泄漏率的沉积室。图1

    隣接スパッタカソードを用いた装置およびその操作方法
    84.
    发明专利
    隣接スパッタカソードを用いた装置およびその操作方法 有权
    装置和使用相邻溅射阴极的操作方法

    公开(公告)号：JP2016507656A

    公开(公告)日：2016-03-10

    申请号：JP2015558356

    申请日：2013-02-25

    申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated ,  アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

    发明人： ファビオ ピエラリージ， ,  ファビオ ピエラリージ， ,  ウーヴェ ミュールフェルト， ,  ウーヴェ ミュールフェルト，

    IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C14/14

    CPC分类号： C23C14/568 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/352 ,  C23C14/50 ,  C23C14/542 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/345

    摘要： 非可撓性基板上、またはキャリアによって供給される基板上に層スタックを堆積する装置について説明する。この装置は、真空チャンバと、輸送システムおよび真空チャンバがインライン堆積用に構成される輸送システムと、真空チャンバ内で第1の回転軸のまわりに回転可能な第1の回転スパッタカソードの第1の支持体であって、第1の材料を堆積するための第1の堆積ゾーンが設けられる第1の支持体と、真空チャンバ内で第2の回転軸のまわりに回転可能な第2の回転スパッタカソードの第2の支持体であって、第2の材料を堆積するための第2の堆積ゾーンが設けられる第2の支持体とを含み、第1の回転軸と第2の回転軸は互いに700mm以下の間隔を有し、装置はまた、第1の回転軸と第2の回転軸の間に、第2の堆積ゾーンに向けてスパッタされた第1の材料、および第1の堆積ゾーンに向けてスパッタされた第2の材料を受けるように適合されているセパレータ構造体を含み、装置が、第1の材料の層および次の第2の材料の層を含む層スタックを堆積するように構成される。【選択図】図1

    摘要翻译： 在非柔性基板，或用于供给将由载体来描述在衬底上沉积层堆叠的装置。 该装置包括真空室，运输系统和真空室，并且被配置用于在线沉积，第一可绕在所述真空室中的第一旋转轴的输送系统旋转第一的溅射阴极 的支撑件，第一支撑件和第二第二旋转溅射可绕一真空室内的转动轴线，其中提供了一种用于沉积所述第一材料的第一沉积区 第二支撑阴极的，并且具有用于沉积第二材料的第二沉积区中的第二支撑件设置，第一旋转轴和第二旋转轴彼此 700毫米具有以下的时间间隔，设备还第一旋转轴和第二旋转轴，也就是朝向第二沉积区溅射的第一材料，并且所述第一沉积区中 适于分离器结构以接收朝向溅射的第二材料 其中所述主体，所述装置被配置为沉积的层堆叠，其包括所述层的层与所述第一材料的随后的第二材料。 点域1

    高キャリア密度n型ZnO薄膜及びその製造方法
    85.
    发明专利
    高キャリア密度n型ZnO薄膜及びその製造方法 审中-公开
    高载体密度n型ZnO薄膜及其制备方法

    公开(公告)号：JP2015135879A

    公开(公告)日：2015-07-27

    申请号：JP2014006297

    申请日：2014-01-16

    申请人： 住友化学株式会社

    发明人： 山本 哲也 ,  牧野 久雄 ,  中田 邦彦

    IPC分类号： C23C14/08 ,  H01L21/363

    CPC分类号： H01L21/02631 ,  C23C14/086 ,  C23C14/352 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581

    摘要： 【課題】耐熱性及び電気特性に優れ、従来技術であるバッファ層あるいは極性面反転層挿入を例とする煩雑な製法を必要とせずに簡易な方法で作製することができるZn極性高キャリア密度n型ZnO薄膜及びその製造方法を提供する。 【解決手段】亜鉛原子と、酸素原子と添加原子とを含む高キャリア密度n型ZnO薄膜であって、Al、Ga及びB原子からなる群から選択される第1添加剤とTi、Zr及びHf原子からなる群から選択される第2添加剤とが添加されてなり、Zn極性面を有する第1ZnO薄膜層と、前記第1ZnO薄膜層上に形成され、Al、Ga及びB原子からなる群から選択される第1添加剤のみが添加されてなり、Zn極性面を有する第2ZnO薄膜層と、からなることを特徴とする高キャリア密度n型ZnO薄膜とする。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种Zn极性高载流子密度n型ZnO薄膜，如果耐热性和电特性优异，并且可以通过简单的方法产生，而不需要现有技术的复杂制造方法，例如缓冲层 或极面反转层插入，并提供其制造方法。解决方案：含有锌原子，氧原子和添加剂原子的高载流子密度n型ZnO薄膜由添加有第一ZnO薄膜层的第一ZnO薄膜层 选自由Al，Ga和B原子组成的组的第一添加剂和选自Ti，Zr和Hf原子的第二添加剂，并且具有Zn极性面，以及形成在第一层上的第二ZnO薄膜层 ZnO薄膜层，仅添加选自Al，Ga和B原子的第一添加剂，并且具有Zn极性面。

    発光パネル、発光パネルの製造方法、および成膜システム
    86.
    发明专利
    発光パネル、発光パネルの製造方法、および成膜システム 有权
    发光面板，制造发光面板和所述膜形成系统的方法，

    公开(公告)号：JPWO2012168974A1

    公开(公告)日：2015-02-23

    申请号：JP2013519232

    申请日：2011-06-08

    申请人： パナソニック株式会社

    发明人： 西山　誠司 ,  誠司 西山

    IPC分类号： H01L51/50 ,  C23C14/35 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

    CPC分类号： H01L51/56 ,  C03C17/3417 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3441 ,  C03C2217/944 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3452 ,  H01L33/005 ,  H01L33/42 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/001 ,  H01L2251/558

    摘要： 基板と、当該基板上に形成された発光機能層とを備えた発光パネル105であって、前記発光機能層は、複数の機能層が積層されてなり、複数の機能層には、第一および第二の機能層が含まれており、積層方向の一方から前記発光機能層を見たときに、積層方向に対して交差する方向に隣接または離間した二つの領域の一方を第一の発光領域a、他方を第二の発光領域bと称した場合、第一の発光領域aにおける第一の機能層4aの膜厚は、第二の発光領域bにおける第一の機能層4bの膜厚より薄く、かつ、第一の発光領域aにおける第二の機能層5aの膜厚は、第二の発光領域bにおける第二の機能層5bの膜厚より厚い。

    摘要翻译： 的基板，发光面板105和形成在衬底上的发光功能层，所述发光功能层形成有多个功能层由层叠，所述多个功能层，所述第一和 包括第二功能层，当在相邻的或间隔开的方向上的两个区域的第一发光区域交叉的层叠方向上的层叠方向的一侧观察发光功能层， 一个，当其他被指定第二发光区域b中，在第一发光区域中的第一功能层4a的厚度，比所述第一功能层4b的在第二发光区域b中的膜厚度 薄且在上述第一发光区域中比在第二发射区域b中的第二功能层5b的厚度更厚的第二功能层5a的厚度。