公开(公告)号：JP2020061520A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：JP2018193431

申请日：2018-10-12

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 牛島 隆志 ,  森 朋彦 ,  上田 博之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】高キャリア濃度の窒化物半導体のp型半導体領域を形成する技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法であって、p型不純物を含む窒化物半導体の第1エピタキシャル層とp型不純物を含む窒化物半導体の第2エピタキシャル層を離間して結晶成長させる結晶成長工程と、アニール処理を実施して前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層の間の領域に前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層の双方から前記p型不純物を拡散させて前記第1エピタキシャル層と前記第2エピタキシャル層を含む範囲にp型半導体領域を形成するアニール処理工程と、を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020061518A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：JP2018193421

申请日：2018-10-12

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 喜田 弘文 ,  牛島 隆志 ,  長里 喜隆 ,  副島 成雅 ,  森 朋彦 ,  山寺 秀哉

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】窒化物半導体層を備える半導体装置において、イオン注入技術を用いないでソース領域を形成する技術が必要とされている。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、第1導電型のドリフト領域上に第2導電型のボディ領域が設けられている窒化物半導体層を準備する工程と、前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達する深さを有するJFET領域用溝と、前記ボディ領域を貫通しない深さを有するソース領域用溝を形成する工程と、結晶成長技術を利用して、前記JFET領域用溝及び前記ソース領域用溝内に第1導電型の窒化物半導体を結晶成長させ、前記JFET領域用溝内にJFET領域を形成するとともに、前記ソース領域用溝内にソース領域を形成する工程と、を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017050358A

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：JP2015171390

申请日：2015-08-31

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志

IPC: H01L21/283 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/051 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/02 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456

Abstract: 【課題】 第1電極層に発生するクラックの成長を抑制する。 【解決手段】 半導体装置は、半導体素子が形成された半導体基板と、半導体基板上に設けられ、半導体素子と電気的に接続する第1電極層と、第1電極層の上面の一部に積層された保護絶縁膜と、第1電極層と保護絶縁膜の両者に亘って積層された第2電極層とを備える。第2電極層を構成する材料は、第1電極層を構成する材料よりも機械的強度が高い。第1電極層の上面には、溝部が設けられており、第2電極層の下面には、溝部内に突出する突出部が設けられている。突出部の下端は、第1電極層の厚み方向の中央位置よりも下方に位置する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2019036606A

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：JP2017156018

申请日：2017-08-10

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】 ボディ層の表面に加えられる加工ダメージが低減された縦型の窒化物半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 窒化物半導体装置の製造方法であって、n型窒化物半導体のドリフト層上にp型窒化物のボディ層を成膜する工程と、前記ボディ層の一部を貫通して前記ドリフト層に達するトレンチを形成する工程と、前記ボディ層の表面上を保護膜で被覆した状態で、前記保護膜上及び前記トレンチ内にn型窒化物半導体のn型半導体層を成膜する工程と、前記保護膜上の前記n型半導体層を除去して前記保護膜を露出させる工程と、前記ボディ層及び前記n型半導体層のエッチングレートよりも前記保護膜のエッチングレートが高くなる条件で前記保護膜を選択的にエッチングする工程と、を備える窒化物半導体装置の製造方法。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2018019010A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：JP2016149892

申请日：2016-07-29

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志 ,  村上 浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】 保護膜に加わる応力を好適に緩和することができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上面に設けられた第1無機保護膜と、前記第1無機保護膜の上面に設けられた第1電極と、前記第1無機保護膜の上面の前記第1電極よりも外周側に設けられ、前記第1電極から分離されている第2電極と、前記第2電極の上面に設けられた第2無機保護膜と、前記第1電極と前記第2電極の間の前記第1無機保護膜の上面を覆い、前記第1無機保護膜と前記第2電極の境界に接し、前記第1無機保護膜の線膨張係数よりも前記第2電極の線膨張係数に近い線膨張係数を有する有機保護膜を備える。 【選択図】 図3

公开(公告)号：JP2020035868A

公开(公告)日：2020-03-05

申请号：JP2018160518

申请日：2018-08-29

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】 ガリウム化合物系半導体を有する半導体装置を好適に製造する。 【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、ガリウム化合物系半導体によって構成されたn型のドリフト層に凹部を形成する工程と、前記凹部内にガリウム化合物系半導体によって構成されたp型の高濃度ボディ層をエピタキシャル成長させる工程と、前記高濃度ボディ層の表面と前記ドリフト層の表面に跨る範囲にガリウム化合物系半導体によって構成されているとともに前記高濃度ボディ層よりもp型不純物濃度が低いp型の低濃度ボディ層をエピタキシャル成長させる工程と、前記低濃度ボディ層の一部にn型不純物を注入することによって前記低濃度ボディ層と前記高濃度ボディ層によって前記ドリフト層から分離されているn型のソース層を形成する工程と、前記低濃度ボディ層に対してゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極を形成する工程を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP5892003B2

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：JP2012187851

申请日：2012-08-28

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志 ,  今井 敦志 ,  藤原 大祐 ,  野原 二郎

IPC: C23C14/04 ,  H01L21/285

公开(公告)号：JP5867467B2

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：JP2013182439

申请日：2013-09-03

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志 ,  今井 敦志 ,  野原 二郎

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  C23C14/04 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16054 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16059 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81801 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001

公开(公告)号：JP6673088B2

公开(公告)日：2020-03-25

申请号：JP2016154730

申请日：2016-08-05

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

公开(公告)号：JP2019040961A

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：JP2017160576

申请日：2017-08-23

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 牛島 隆志

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】 イオン注入技術を利用することなくp型窒化物半導体のボディ層を形成可能な窒化物半導体装置を提供すること。 【解決手段】 窒化物半導体装置は、窒化物半導体層の表層部に形成されている溝内に設けられたp型窒化物半導体のボディ層を備える。前記ボディ層は、高濃度エピタキシャル層と低濃度エピタキシャル層を有しており、前記高濃度エピタキシャル層と前記低濃度エピタキシャル層は、前記溝内においてこの順で積層されている。前記高濃度エピタキシャル層は、前記窒化物半導体層の表面に露出するコンタクト部を有する。前記ソース層は、前記低濃度エピタキシャル層上に設けられている。 【選択図】 図1