公开(公告)号：JP2018174338A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2018113493

申请日：2018-06-14

Applicant: スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド ,  SKYWORKS SOLUTIONS,INC.

Inventor： チェン,ハワード・イー ,  グオ,イーファン ,  ホアン,ディンフュオク・ブ ,  ジャナニ,メーラン ,  コー,ティン・ミント ,  レートラ,フィリップ・ジョン ,  ロビアンコ,アンソニー・ジェームズ ,  モディ,ハーディック・ブペンドラ ,  グエン,ホアン・モン ,  オザラス,マシュー・トーマス ,  ペティ−ウィークス,サンドラ・ルイーズ ,  リード,マシュー・ショーン ,  リージ,イェンス・アルブレヒト ,  リプレー,デイビット・スティーブン ,  シャオ・ホンシアオ ,  シェン,ホン ,  サン,ウェイミン ,  サン,シャン−チー ,  ウェルチ,パトリック・ローレンス ,  ザンパルディ,ピーター・ジェイ,ジュニア ,  チャン,グオハオ

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H03F3/195 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/331

CPC classification number: H03F3/213 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8252 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/812 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85411 ,  H01L2224/85416 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/565 ,  H03F3/187 ,  H03F3/19 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F3/347 ,  H03F3/45 ,  H03F3/60 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/48 ,  H03F2200/555 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 【課題】無線通信において使用されるパワーアンプモジュールを提供する。 【解決手段】パワーアンプモジュールは、無線周波数(RF)信号を受けて、増幅したRF信号を供給するように構成されたパワーアンプと、パワーアンプに電気的に接続されたワイヤーボンドパッドとを含み、ワイヤーボンドパッドは0.5μm未満の厚みを有するニッケル層と、ニッケル層の上のパラジウム層と、パラジウム層の上の金層とを含む。パワーアンプモジュールは、さらに、導電トレースを含み、導電トレースはめっき部と、めっき部を囲む非めっき部とを有する上面部を含み、ワイヤーボンドパッドは、めっき部の上に配置される。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2017220584A

公开(公告)日：2017-12-14

申请号：JP2016114537

申请日：2016-06-08

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 大部 功 ,  吉田 茂 ,  井手野 馨

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L27/082 ,  H01L23/66 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H03F1/0238 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H01L29/0821 ,  H03F2200/451

Abstract: 【課題】低出力電力時及び高出力電力時の双方において高い電力付加効率を維持しつつ信頼性が向上する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置100Aは、対向する第1及び第2主面を有する半導体基板1と、半導体基板の第1主面側に形成され、第1エミッタ層5aを有する第1バイポーラトランジスタQ1と、半導体基板の第1主面側に形成され、第2エミッタ層5bと、当該第2エミッタ層より第1主面の法線方向に積層されたエミッタバラスト抵抗層8と、を有する第2バイポーラトランジスタQ2と、を備える。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP5967317B2

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：JP2015556754

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 梅本 康成 ,  ▲徳▼田 大輔 ,  西明 恒和 ,  徳矢 浩章

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7375 ,  H01L29/7378 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13563 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L24/03 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/10338 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/351

公开(公告)号：JP2016009795A

公开(公告)日：2016-01-18

申请号：JP2014130358

申请日：2014-06-25

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 彦坂 年輝 ,  大野 浩志 ,  布上 真也

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/12

Abstract: 【課題】高生産性の窒化物半導体層、窒化物半導体装置及び窒化物半導体層の製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態によれば、第1面に沿って広がる窒化物半導体層が提供される。前記窒化物半導体層は、第1領域と、第2領域と、を含む。前記第1面に対して平行な第1方向における前記第1領域の長さは、前記第1面に対して平行で前記第1方向に対して垂直な第2方向における前記第1領域の長さよりも長い。前記第2領域は、前記第2方向において前記第1領域と並ぶ。前記第1方向における前記第2領域の長さは、前記第2方向における前記第2領域の長さよりも長い。前記第1領域及び前記第2領域のc軸は、前記第2方向に対して傾斜する。前記c軸は、前記第1面に対して垂直な第3方向と交差する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有高生产率的氮化物半导体层，氮化物半导体器件和氮化物半导体层的制造方法。解决方案：根据实施例，提供沿着第一表面扩展的氮化物半导体层 。 氮化物半导体层包括第一区域和第二区域。 与第一表面平行的第一方向上的第一区域的长度比在与第一表面平行且垂直于第一方向的第二方向上的第一区域的长度长。 第二区域在第二方向上与第一区域对准。 所述第二区域在所述第一方向上的长度比所述第二区域在所述第二方向上的长度长。 第一区域和第二区域中的c轴相对于第二方向倾斜。 c轴与垂直于第一表面的第三方向相交。

公开(公告)号：JP2015225883A

公开(公告)日：2015-12-14

申请号：JP2014108047

申请日：2014-05-26

Applicant: 株式会社サイオクス

Inventor： 藤生 真二郎 ,  目黒 健

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/20 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L29/737

Abstract: 【課題】ターンオン電圧をより低下させることが可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 【解決手段】GaAsからなるコレクタ層103と、コレクタ層103上に形成されると共にInGaAsからなるベース層104と、ベース層104上に形成されると共にInGaPからなるエミッタ層105と、を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ100において、ベース層104は、コレクタ層103からエミッタ層105に向けてIn組成が低下しているものである。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于异质结双极晶体管的外延晶片，其中可以进一步降低导通电压，并提供异质结双极晶体管。解决方案：在用于异质结双极晶体管100的外延晶片中，包括集成层103 的GaAs，形成在集电极层103上并由InGaAs构成的基极层104和形成在基极层104上并由InGaP构成的发射极层105，基极层104的In组成从集电极层103向着 发射极层105。

公开(公告)号：JP2008507838A

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：JP2007522079

申请日：2005-07-07

Applicant: コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

Inventor： エルウィン、ヘイゼン ,  プラブハット、アガルバル ,  ホデフリドゥス、アー．エム．フルクス ,  レイモンド、イェー．エー．フエティン

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/0821 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7378

Abstract: 本発明は、基板（１１）と、それぞれ第１の導電型、第１の導電型と反対の第２の導電型、及び第１の導電型の、エミッタ領域、ベース領域及びコレクタ領域（１、２、３）を有する垂直型バイポーラ・トランジスタを備える半導体本体（１２）とを有する半導体装置（１０）であって、コレクタ領域（３）は、ベース領域（２）と境を接する第１の部分領域（３Ａ）と、第１の部分領域（３Ａ）と境を接する第２の部分領域（３Ｂ）とを備え、第１の部分領域（３Ａ）は第２の部分領域（３Ｂ）よりも低いドーピング濃度を有し、トランジスタには、第１の部分領域（３Ａ）と横方向に境を接するゲート電極（５）が設けられ、ゲート電極（５）により第１の部分領域（３Ａ）が空乏化されうる半導体装置（１０）に関する。 本発明によれば、コレクタ領域（３）は半導体本体（１２）の表面と境を接するが、エミッタ領域（１）は半導体本体（１２）中に埋め込まれ、コレクタ領域（３）は半導体本体（１２）の表面に形成されたメサ構造体（６）の一部分を形成する。 このような装置（１０）は、高周波数及び高電圧で非常に好ましい特性を有しており、さらに製造することも簡単である。 好ましい実施形態においては、コレクタ（３）は、メサ構造体（６）を形成するナノワイヤ（３０）を備える。

公开(公告)号：JP6437277B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2014225233

申请日：2014-11-05

Applicant: 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

Inventor： 申 鉉振 ,  朴 晟準 ,  李 載昊 ,  許 鎭盛

IPC: H01L31/0256 ,  H01L31/072 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/66 ,  H01L21/331 ,  H01L29/732 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267

CPC classification number: H01L29/0665 ,  C01B19/04 ,  C01G25/00 ,  C01G27/00 ,  C01G39/06 ,  C01G41/00 ,  C01P2004/20 ,  C01P2006/40 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/22 ,  H01L29/221 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/737 ,  H01L29/74 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/792 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/109 ,  Y10T428/24802

公开(公告)号：JP2018056297A

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：JP2016189839

申请日：2016-09-28

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 富田 英幹 ,  兼近 将一 ,  上田 博之 ,  森 朋彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66916 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7832

Abstract: 【課題】縦型ドリフト領域(即ち、JFET領域)を備えている半導体装置において、耐圧とオン抵抗の間に存在するトレードオフの関係を改善する。 【解決手段】半導体装置1は、窒化物半導体層20の表面上の一部に設けられているヘテロ接合領域42を備える。ヘテロ接合領域42は、縦型ドリフト領域21bが窒化物半導体層20の表面に露出する範囲の少なくとも一部に接触しており、縦型ドリフト領域21bより広いバンドギャップを有する。ヘテロ接合領域42と縦型ドリフト領域21bの間のヘテロ接合界面に2次元電子ガスが形成され、オン抵抗が下がる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018026406A

公开(公告)日：2018-02-15

申请号：JP2016155800

申请日：2016-08-08

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 大部 功 ,  梅本 康成 ,  吉田 茂 ,  柴田 雅博

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L29/201 ,  H01L29/32 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/737 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/12 ,  H01L29/20 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371

Abstract: 【課題】 制御安定性を維持しつつ、ベース・コレクタ間容量のコレクタ電圧依存性が低下するHBTを提供する。 【解決手段】 HBTは、対向する第1及び第2主面を有する半導体基板と、半導体基板の第1主面側に順に積層されたコレクタ層、ベース層、及びエミッタ層と、を備え、コレクタ層は、複数の金属原子が結合して成る金属微粒子が分散された第1半導体層を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6211999B2

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：JP2014130358

申请日：2014-06-25

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 彦坂 年輝 ,  大野 浩志 ,  布上 真也

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/12 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521