公开(公告)号：JP2010144170A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：JP2009285376

申请日：2009-12-16

申请人： Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ,  Samsung Electronics Co Ltd ,  三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. ,  三星電機株式会社

发明人： KIM TAE-GON ,  KUBOTA SHUNICHI ,  KIM YOUNG SIC ,  IM SEOUNG-JAE

IPC分类号： C09K11/61 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/59 ,  C09K11/64 ,  C09K11/71 ,  C09K11/73 ,  C09K11/78 ,  C09K11/84 ,  H01L33/50

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/7739 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7781 ,  C09K11/7787 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a halosilicate phosphor and a white light emitting device including the halosilicate phosphor.
SOLUTION: The halosilicate phosphor has a large half value width. The white light emitting device includes the halosilicate phosphor and has excellent color rendering properties.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

摘要翻译： 解决的问题：提供一种卤硅酸盐荧光体和包括卤硅酸盐荧光体的白色发光器件。 解决方案：卤硅酸盐荧光体具有大的半值宽度。 白色发光器件包括卤硅酸盐荧光体，并且具有优异的显色性。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2014505742A

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：JP2013539359

申请日：2011-11-16

申请人： サン−ゴバン クリストー エ デテクトゥール

发明人： ブラウタ，サミュエル ,  マットマン，エリック ,  ポーウェルス，ダミアン ,  ビアナ，ブルーノ ,  ウスペンスキー，ウラジミール

IPC分类号： C09K11/79 ,  A61B6/03 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/80 ,  G01T1/161 ,  G01T1/20

CPC分类号： C09K11/7781 ,  C09K11/7772 ,  C09K11/7773 ,  C09K11/7774 ,  C30B13/24 ,  C30B15/00 ,  C30B29/34

摘要： 本発明は、Ｌｎとは異なる元素Ｂでドープされた希土類（Ｌｎ）ケイ酸塩を含む材料であって、Ｂは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｂの中から選択され、Ｂは、少なくとも部分的に、その４＋酸化状態にあり（Ｂ４＋）、前記材料中のＢ４＋の量が、０．０００１質量％〜０．１質量％の間に含まれる、材料に関する。 この材料は、発光材料であってもよく、Ｘ線照射中に測定される強度に対して、１００ミリ秒後に、通常２００ｐｐｍ未満の残光を呈し得る。 好ましくは共ドープされる。 酸化アニールすることにより得ることができる。 特に、医療用画像装置で使用することができるイオン化粒子検出器への組み込みに適している。

公开(公告)号：JP2016131248A

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：JP2016019158

申请日：2016-02-03

申请人： 三菱化学株式会社

发明人： 加藤 波奈子 ,  森 寛 ,  小林 博 ,  外村 翼

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C08G77/08 ,  H01L33/56

CPC分类号： C09K11/7774 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7735 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7775 ,  C09K11/7781 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7794 ,  C09K11/7795 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

摘要： 【課題】耐熱性、耐光性、成膜性、密着性に優れ、クラックや剥離なく半導体デバイスを封止できる半導体デバイス用部材を提供する。 【解決手段】方法(I)による加熱重量減を50重量%以下、方法(II)による剥離率を30%以下とする。 方法(I):部材の破砕片10mgを用いて熱重量・示差熱測定装置により空気200ml/分流通下、昇温速度10℃/分で35℃から500℃まで加熱し重量減を測定。 方法(II):直径9mm、凹部の深さ1mmの銀メッキ表面銅製カップに形成液を滴下し硬化させ半導体デバイス用部材を得、該部材を温度85℃湿度85%で20時間吸湿させ、吸湿後の該部材を室温より260℃まで50秒で昇温後260℃で10秒間保持し、該部材を室温まで冷却しカップからの剥離の有無を観察する操作を、該部材10個につき実施し剥離率を求める。 【選択図】なし

摘要翻译： 要解决的问题：提供耐热性，耐光性，成膜性和粘附性优异的半导体器件的构件，并且能够密封半导体器件而不引起裂纹或分层。解决方案：用于 通过根据方法（I）的加热，半导体装置的重量减少为50重量％以下，根据方法（II）的分层速度为30％以下。 在方法（I）中，使用10mg成分的片段; 将片状物在温度上升10℃/分钟的条件下，以200ml /分钟的循环速度从35℃加热至500℃，通过热重量/差热测定装置进行重量减少测定。 在方法（II）中，包括将表面镀银的步骤，在直径为9mm，凹入深度为1mm的铜杯中滴加和固化地层液的步骤，从而获得半导体 装置，在85℃的温度和85％的湿度下离开构件吸收水分​​20小时的步骤，在50秒内从室温吸收水分至260℃后加热该构件的步骤，以及 然后将其保持在260℃10秒钟，将构件冷却到室温的步骤，并且对10个构件进行观察是否引起从杯子的分层的步骤，以确定速率 分层。选择图：无

公开(公告)号：JP5897600B2

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：JP2013546784

申请日：2011-12-13

申请人： コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ,  KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

发明人： グロイエル ジョージ ,  プレーヴァ ユリアン ,  ベッテントラップ ヘルガ ,  ユエステル トマス

IPC分类号： H01J61/44 ,  A61N5/06 ,  C09K11/84

CPC分类号： C09K11/7781 ,  A61B18/18 ,  C09K11/0822 ,  C09K11/7407 ,  C09K11/7701 ,  C09K11/7713 ,  H01J61/40 ,  H05B33/14 ,  H05B33/18

公开(公告)号：JP5880512B2

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：JP2013206246

申请日：2013-10-01

申请人： 三菱化学株式会社

发明人： 加藤 波奈子 ,  森 寛 ,  小林 博 ,  外村 翼

IPC分类号： C08G77/14 ,  H01L23/08 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/56

CPC分类号： C09K11/7774 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7735 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7775 ,  C09K11/7781 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7794 ,  C09K11/7795 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

公开(公告)号：JP2014508819A

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：JP2013546784

申请日：2011-12-13

申请人： コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ

发明人： ジョージ グロイエル ,  ユリアン プレーヴァ ,  ヘルガ ベッテントラップ ,  トマス ユエステル

IPC分类号： C09K11/84 ,  A61N5/06 ,  H01J61/44

CPC分类号： C09K11/7781 ,  A61B18/18 ,  C09K11/0822 ,  C09K11/7407 ,  C09K11/7701 ,  C09K11/7713 ,  H01J61/40 ,  H05B33/14 ,  H05B33/18

摘要： 本発明は、式（Ｙ
１−ｗ−ｘ−ｙ−ｚ Ｓｃ
ｗ Ｌａ
ｘ Ｇｄ
ｙ Ｌｕ
ｚ ）
２−ａ （ＳＯ
４ ）
３ ：Ｍｅ
ａ の化合物を有する波長変換材料であって、Ｍｅは、三価の陽イオン又はＵＶ−Ｃ放射可能な三価の陽イオンの混合物を表し、ｗ、ｘ、ｙ、ｚの各々は、０．０から０．１の範囲にあり、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ≦１．０であり、０．０００５≦ａ≦０．２である、波長変換材料を提供する。 当該波長変換材料は、紫外線照射のための、とりわけ、殺菌用紫外線照射による殺菌又は消毒のための照明装置において適用され得る。

公开(公告)号：JP6213585B2

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：JP2016019158

申请日：2016-02-03

申请人： 三菱ケミカル株式会社

发明人： 加藤 波奈子 ,  森 寛 ,  小林 博 ,  外村 翼

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C08G77/08 ,  H01L33/56

CPC分类号： C09K11/7774 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7735 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7775 ,  C09K11/7781 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7794 ,  C09K11/7795 ,  H01L24/17 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

公开(公告)号：JP2014027295A

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：JP2013206246

申请日：2013-10-01

申请人： Mitsubishi Chemicals Corp ,  三菱化学株式会社

发明人： KATO HANAKO ,  MORI HIROSHI ,  KOBAYASHI HIROSHI ,  TOMURA TSUBASA

IPC分类号： H01L33/56 ,  C08G77/14 ,  H01L23/08 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/32 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62

CPC分类号： C09K11/7774 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7735 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7775 ,  C09K11/7781 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7794 ,  C09K11/7795 ,  H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L24/17 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a member for a semiconductor device which improves heat resistance, light resistance, film forming property and adhesion and is capable of sealing the semiconductor device without being cracked or exfoliated.SOLUTION: According to a method (I), heating weight reduction is 50 wt% or less and according to a method (II), an exfoliation rate is 30% or less. The method (I) includes: using 10 mg of fragments of the member; and measuring the weight reduction by means of a heating weight reduction/differential heat measuring device through heating from 35°C to 500°C under circulation of air at 200 ml/minute and at a temperature elevation speed of 10°C/minute. The method (II) includes: dripping and hardening a formation fluid into a copper cup in which the diameter is 9 mm and the depth of a recess is 1 mm and which has a surface plated with silver to obtain the member for the semiconductor device; absorbing moisture from the member for 20 hours in the temperature of 85°C and the humidity of 85%; holding the moisture absorbed member for 10 sec in the temperature of 260°C after the temperature is elevated from the room temperature to 260°C for 50 sec; cooling the member to the room temperature; observing whether the member is exfoliated from the cup; implementing such operations for each of ten members; and calculating an exfoliation rate.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种提高耐热性，耐光性，成膜性和粘合性的半导体装置的构件，能够密封半导体装置而不会破裂或剥离。解决方案：根据方法（I）， 加热重量减少为50重量％以下，根据方法（II），剥离率为30％以下。 方法（I）包括：使用10mg成员的片段; 并通过加热重量减少/差热测量装置通过以200ml /分钟的循环和10℃/分钟的升温速度在35℃至500℃下加热来测量重量减轻。 方法（II）包括：将地层流体滴加并硬化成直径为9mm的铜杯，凹槽的深度为1mm，并且具有镀银的表面以获得半导体器件的构件; 在85℃的温度和85％的湿度下从构件吸收湿气20小时; 在温度从室温升高到260℃后，保持吸湿构件在260℃的温度下持续10秒，持续50秒; 将构件冷却至室温; 观察成员是否从杯子脱落; 对十名成员中的每一名执行此类操作; 并计算剥脱率。

公开(公告)号：JP2009105432A

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：JP2009003366

申请日：2009-01-09

申请人： Mitsubishi Chemicals Corp ,  三菱化学株式会社

发明人： KATO HANAKO ,  MORI HIROSHI ,  KOBAYASHI HIROSHI ,  TONOMURA TASUKU

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L33/32 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62

CPC分类号： C09K11/7774 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7735 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/774 ,  C09K11/7775 ,  C09K11/7781 ,  C09K11/7789 ,  C09K11/7794 ,  C09K11/7795 ,  H01L23/24 ,  H01L23/293 ,  H01L24/17 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device member that seals semiconductor devices without cracks and peeling and is excellent in heat-resistance, light-resistance, film formation, and adhesiveness. SOLUTION: The semiconductor device member has a heating weight reduction of ≤50 wt.% measured by the method (I) below and a peeling rate of ≤30% measured by the method (II) below. The method (I) measures weight reduction of 10 mg of crushed pieces of the member by thermogravimetric/differential thermal analyzer under 200 ml/min air flow with heating from 35°C to 500°C at 10°C/min of heat-up rate. The method (II) determines the peeling rate by performing on ten pieces of the member a series of steps of dropping liquid for curing semiconductor device member in a silver-plated copper cup of 9 mm diameter and 1 mm depth of a recess to make a semiconductor device member, and letting the member absorb moisture for 20 hours at 85°C and 85% of humidity, heating the moisturized member from room temperature to 260°C in 50 second, holding at 260°C for 10 seconds and cooling it down to room temperature, observing the existence of peeling, and determining the separation rate. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

摘要翻译： 解决的问题：提供一种密封半导体器件而没有裂纹和剥离并且耐热性，耐光性，成膜性和粘附性优异的半导体器件部件。 解决方案：半导体器件部件通过下述方法（I）测量的加热重量减少≤50重量％，通过下述方法（II）测量的剥离速率≤30％。 方法（I）通过热重/差热分析仪在200ml / min空气流下，以10℃/分钟的加热速率从35℃加热到500℃，测量10毫克粉碎片的重量减少 率。 方法（II）通过对10个构件进行一系列的步骤，通过在9mm直径和1mm深度的凹槽的镀银铜杯中滴加用于固化半导体器件部件的步骤来确定剥离速率，以使 半导体器件部件，并使部件在85℃和85％的湿度下吸湿20小时，将保湿部件从室温加热至260℃，持续50秒，保持在260℃10秒钟并冷却 到室温，观察剥离的存在，并确定分离速率。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT