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1.

发明专利
電子回路パッケージ审中-公开

公开(公告)号：JP6407186B2

公开(公告)日：2018-10-17

申请号：JP2016058731

申请日：2016-03-23

申请人： TDK株式会社

发明人： 川畑賢一 , 早川敏雄 , 大久保俊郎

IPC分类号： H01F1/20 , H01F1/36 , H01F27/36 , H01L23/12 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L23/00

CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/32051 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/16 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/81192 , H01L2224/97 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/05442 , H01L2924/15159 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2924/014

2.

发明专利
フレキシブル基板上に電気構成要素を組み立てる方法および装置、ならびに電気構成要素とフレキシブル基板との組立体有权

公开(公告)号：JP6148176B2

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：JP2013541948

申请日：2011-12-02

申请人： ネーデルランドセ・オルガニサティ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンスハッペライク・オンデルズーク・テーエヌオー

发明人： イェルン・ヴァン・デン・ブラント , ルール・ヘンリー・ルイ・クステルス , アンドレアス・ハインリッヒ・ディーツェル

IPC分类号： H01L21/50 , H05K3/34 , H05K3/32

CPC分类号： H05K3/32 , H01L23/4985 , H01L24/24 , H01L24/76 , H01L24/82 , H05K1/0283 , H05K1/189 , H01L2224/2405 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/25171 , H01L2224/25175 , H01L2224/76155 , H01L2224/76261 , H01L2224/766 , H01L2224/767 , H01L2224/82102 , H01L2224/82104 , H01L2224/82106 , H01L2224/82874 , H01L2224/9202 , H01L2224/92144 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0106 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H05K2201/10674 , H05K2203/107 , H05K2203/1469 , H05K2203/1545 , H05K2203/175 , H05K3/12 , H05K3/305 , Y10T29/49133 , Y10T29/53178

3.

发明专利
金属球の製造方法、接合材料及び金属球有权

公开(公告)号：JPWO2015118612A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：JP2014523135

申请日：2014-02-04

申请人： 千住金属工業株式会社

发明人： 浩由川▲崎▼ , 浩由川▲崎▼ , 六本木　貴弘 , 貴弘六本木 , 相馬　大輔 , 大輔相馬 , 佐藤　勇 , 勇佐藤

IPC分类号： C22B9/02 , B22F1/00 , B22F9/00 , B22F9/06 , C22B15/14 , C22B23/06 , H05K3/34

CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F9/14 , B22F2009/0848 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/0623 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2201/42 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , B22F2202/13 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0106 , H01L2924/01032 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01071 , H01L2924/01051 , H01L2924/01069 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01026 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/01059 , H01L2924/01079 , H01L2924/01067 , H01L2924/01066 , H01L2924/01065 , H01L2924/01064 , H01L2924/01061 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/0107 , H01L2924/01058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01043 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01048 , H01L2924/01052 , H01L2924/01004 , H01L2924/01016 , H01L2924/01076 , H01L2924/01013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025

摘要： 放射されるα線量を抑えた金属球を製造する。純金属に含まれる不純物の中で、除去対象とした不純物の気圧に応じた沸点より高い沸点を有し、Uの含有量が5ppb以下であり、Thの含有量が5ppb以下であり、純度が99.9%以上99.995%以下であり、PbまたはBiのいずれかの含有量、あるいは、PbおよびBiの合計の含有量が1ppm以上である純金属を、除去対象とした不純物の沸点より高く、純金属の融点より高く、かつ、純金属の沸点より低い温度で加熱して、純金属を溶融させる工程と、溶融した純金属を球状に造球する工程を含む。

4.

发明专利
Ｚｎ系鉛フリーはんだおよび半導体パワーモジュール审中-公开
标题翻译： Zn基无铅焊料和半导体功率模块

公开(公告)号：JPWO2014203425A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2015522470

申请日：2013-12-13

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 浩次山▲崎▼

IPC分类号： B23K35/28 , C22C18/00 , H01L21/52 , H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18

CPC分类号： B23K35/282 , B23K35/28 , C22C18/00 , H01L23/3171 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04042 , H01L2224/05618 , H01L2224/05644 , H01L2224/06181 , H01L2224/08225 , H01L2224/291 , H01L2224/29118 , H01L2224/32227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83065 , H01L2224/83101 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099

摘要： 実用的な融点の範囲が300〜350℃であるZn系鉛フリーはんだを得ること。0.05〜0.2wt%のCrと、0.25〜1.0wt%のAlと、0.5〜2.0wt%のSbと、1.0〜5.8wt%のGeと、5〜10wt%のGaとを含んでなるZn系鉛フリーはんだ。または、0.05〜0.2wt%のCrと、0.25〜1.0wt%のAlと、0.5〜2.0wt%のSbと、1.0〜5.8wt%のGeと、10〜20wt%のInとを含んでなるZn系鉛フリーはんだ。

摘要翻译： 熔点的实际范围，得到Zn系的无铅焊料为300〜350℃.. 和Cr的0.05〜0.2重量％及Al的0.25〜1.0重量％，和Sb的0.5〜2.0重量％，和基于Ge，锌铅1.0〜5.8Wt％含Ga的5至10％（重量）无铅焊料。或Cr的0.05〜0.2重量％及Al的0.25〜1.0重量％，和Sb的0.5〜2.0重量％，和Ge 1.0〜5.8Wt％，包括的10-20％（重量）的Zn在系统无铅焊料。

5.

发明专利
半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件

公开(公告)号：JPWO2014181883A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2015515915

申请日：2014-05-09

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 和優木戸 , 隆齋藤 , 恭平福田 , 慎司多田 , 文彦百瀬 , 芳孝西村

IPC分类号： H01L21/52 , B23K1/00

CPC分类号： H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2201/42 , B23K2203/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013

摘要： はんだ接合層は、マトリクスに分散した第1結晶部(21)同士の結晶粒界に微細粒状の複数の第2結晶部(22)が析出した構造を有する。第1結晶部(21)は、錫とアンチモンとを所定の割合で含む複数のSn結晶粒である。第2結晶部(22)は、Sn原子に対してAg原子を所定の割合で含む第1部分、または、Sn原子に対してCu原子を所定の割合で含む第2部分、もしくはその両方で構成される。また、はんだ接合層は、Sn原子に対してSb原子を所定の割合で含む結晶粒である第3結晶部(23)を有しても良い。これにより、低融点でのはんだ接合を可能とし、実質的に均一な金属組織を有し、信頼性の高いはんだ接合層を形成することができる。

摘要翻译： 焊料接合层具有第一晶体部分（21）分散在基体（22）中沉淀结构之间的多个细粒状的第二晶体部分晶界。第一晶体部分（21）是由多个含有锡和锑中的预定比率的Sn晶粒。第二晶体部分（22）具有含有以预定比例的Ag原子相对于Sn原子或以规定的比例含有铜原子的第二部分相对于Sn原子的第一部分或由两者的，是的。此外，焊料结合层，所述第三可具有结晶部（23）是含有Sb的原子在相对于Sn原子的预定比率的晶粒。因此，允许在低的熔点的焊料接头，它具有基本上均匀的金属结构，它能够形成可靠的钎焊接合部的层。