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    被処理物改質装置、印刷装置、印刷システムおよび印刷物の製造方法
    2.
    发明专利
    被処理物改質装置、印刷装置、印刷システムおよび印刷物の製造方法 有权
    打印机，打印机，打印系统和打印物的制造方法的改造

    公开(公告)号：JP2015192991A

    公开(公告)日：2015-11-05

    申请号：JP2015020534

    申请日：2015-02-04

    Applicant: 株式会社リコー

    Inventor： 椿 健悟 ,  加藤 肇

    IPC: B41M5/00 ,  B41M5/50 ,  B41M5/52 ,  H05H1/24 ,  B41J2/01 ,  B01J19/08

    CPC classification number: B41J11/0015 ,  B41J3/60 ,  B41M1/36 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32889 ,  H05H1/2406 ,  H01J2237/338 ,  H05H2001/2412

    Abstract: 【課題】高品質な印刷物を製造すること。 【解決手段】印刷装置(システム)の被処理物改質装置は、第1の電極手段と、第2の電極手段と、前記第1の電極手段と前記第2の電極手段の間に配置された誘電体とからなり、前記第1の電極手段と前記誘電体の間に配置された被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理手段と、前記被処理物の一方の面を前記第1の電極手段に向けた状態で前記プラズマ処理を実行した後に前記被処理物の他方の面を前記第1の電極手段に向けた状態でプラズマ処理する両面処理において、いずれか一方の面を処理する際に前記被処理物が受けるプラズマエネルギー量が、前記被処理物のいずれか一方の面を前記第1の電極手段に向けた状態でプラズマ処理を実行する片面処理の際に前記いずれか一方の面が受けるプラズマエネルギー量と異なるように制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。 【選択図】図13

    Abstract translation: 要解决的问题：提供高质量的印刷物。解决方案：打印机（打印系统）中要处理的物体的重整器包括：等离子体处理装置，包括第一电极装置，第二电极装置和介于 第一电极装置和第二电极装置，其等离子体处理设置在第一电极装置和电介质之间的被处理物体; 以及控制装置，其控制进行等离子体处理的双面处理，所述待处理物体的一侧面向第一电极装置，然后与待处理物体的另一侧面对第一电极装置， 在任何一方的处理中要被处理物体接收的等离子体能量的量不同于等离子体处理中的单面处理中的任何一侧将要接收的等离子体能量的量 被处理物体的一侧面对第一电极装置进行。

    半導体製造装置および半導体装置の製造方法
    5.
    发明专利
    半導体製造装置および半導体装置の製造方法 有权
    半导体制造设备和半导体器件制造方法

    公开(公告)号：JP2016039173A

    公开(公告)日：2016-03-22

    申请号：JP2014159637

    申请日：2014-08-05

    Applicant: 株式会社東芝

    Inventor： 須黒 恭一

    IPC: C23C16/44 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/02233 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/338

    Abstract: 【課題】プラズマを用いて所望の特性を有する膜を短時間で形成可能な半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】一の実施形態によれば、半導体製造装置は、ウエハを収容する収容部と、前記収容部内の前記ウエハを支持する支持部とを備える。さらに、前記装置は、1本以上のプラズマ管を備えるプラズマ発生器であって、第1期間と前記第1期間の後の第2期間とに前記プラズマ管により前記収容部内にプラズマを発生させることにより、前記ウエハに膜を形成するプラズマ発生器を備える。さらに、前記装置は、前記第1期間に前記プラズマ管と前記ウエハとの距離を第1距離に設定し、前記第2期間に前記距離を前記第1距離よりも長い第2距離に設定する制御部を備える。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以通过使用等离子体在短时间内形成具有预期特性的膜的半导体制造装置和半导体器件制造方法。根据一个实施方式，半导体制造装置包括：存储部， 将晶片和用于将晶片支撑的支撑部分存储在存储部分中。 该装置还包括等离子体发生器，其是具有一个或多个等离子体管的等离子体发生器，用于通过在第一周期和第一周期之后的第二周期期间由等离子体管在存储部分中产生等离子体在晶片上形成膜。 该装置还包括控制部分，其在第一时段中以第一距离设置等离子体管和晶片之间的距离，并将第二距离的距离设置为长于第二时段中的第一距离。选择的图示：图1

    Electrostatic chuck device
    9.
    发明专利
    Electrostatic chuck device 有权
    静电切割装置

    公开(公告)号：JP2011124377A

    公开(公告)日：2011-06-23

    申请号：JP2009280672

    申请日：2009-12-10

    Applicant: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd ,  Tokyo Electron Ltd ,  住友大阪セメント株式会社 ,  東京エレクトロン株式会社

    Inventor： SASAKI YASUHARU ,  MASUZAWA KENJI ,  MAKABE AKIYUKI ,  KOSAKAI MAMORU ,  SATO TAKASHI ,  ISHIMURA KAZUNORI ,  HAYAHARA RYUJI ,  KONO HITOSHI

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/338 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic chuck device capable of keeping constant the temperature of a focus ring during processing, stabilizing the temperature of the outer peripheral part of a planar sample, thereby uniformizing etching characteristics within a plane of the planar sample and preventing the deposition of deposit on the focus ring by adjusting the temperature of the focus ring provided so as to surround the planar sample of a silicon wafer or the like. SOLUTION: The electrostatic chuck device 1 includes an electrostatic chuck part 2, an annular focus ring part 3 provided so as to surround the electrostatic chuck part 2, and a cooling base part 4 for cooling the electrostatic chuck part 2 and the focus ring part 3. The focus ring part 3 is configured by piling up an annular focus ring 21, an annular heat conductive sheet 22, an annular ceramic ring 23, and a heater 25 of a nonmagnetic body, and a terminal 26 for power supply is attached to the heater 25. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供能够在加工期间保持聚焦环的温度恒定的静电卡盘装置，稳定平面样品的外周部分的温度，从而使平面内的平面内的蚀刻特性均匀化 通过调节设置为围绕硅晶片等的平面样品的聚焦环的温度来采样并防止沉积物沉积在聚焦环上。 解决方案：静电卡盘装置1包括静电卡盘部件2，设置为围绕静电卡盘部件2的环形聚焦环部件3和用于冷却静电卡盘部件2和焦点的冷却基部件4 聚焦环部3通过堆叠环形聚焦环21，环形导热片22，环形陶瓷环23和非磁性体的加热器25构成，电源用端子26为 附件加热器25.版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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