公开(公告)号：JP6315736B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2017097865

申请日：2017-05-17

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  肥塚 純一

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/385 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：JP6310695B2

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：JP2013267187

申请日：2013-12-25

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 平井 友洋 ,  望月 省吾 ,  南雲 俊治

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78684

公开(公告)号：JP2017085128A

公开(公告)日：2017-05-18

申请号：JP2016238669

申请日：2016-12-08

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

发明人： YAMAZAKI SHUNPEI ,  HIZUKA JUNICHI

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H01L27/146 ,  H01L29/417 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/385 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介して、ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極と、酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極、及びドレイン電極上の絶縁層と、絶縁層と、ソース電極との間の、第1の酸化金属領域と、絶縁層と、ドレイン電極との間の、第2の酸化金属領域と、絶縁層に設けられた開口と、開口に設けられた導電層とを有し、導電層は、第1の酸化金属領域及び第2の酸化金属領域とは重ならない領域を有する半導体装置である。【選択図】図5

公开(公告)号：JP5917830B2

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：JP2011108534

申请日：2011-05-13

申请人： 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 金 明哲 ,  鄭 修然 ,  洪 俊九 ,  金 度亨 ,  金 容珍 ,  李 珍旭 ,  金 倫楷

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：JP2014078027A

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：JP2013252783

申请日：2013-12-06

申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： YAMAZAKI SHUNPEI ,  MURAKAMI TOMOHITO ,  OSAME MITSUAKI

IPC分类号： G09F9/30 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78645 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device with uniform display characteristics having reduced fluctuation in threshold voltage while an influence of plasma damage is reduced during a manufacturing process of the semiconductor device.SOLUTION: The semiconductor device includes a flattened layer 113 on a transistor and a barrier layer 112 provided on the upper or lower surface of the flattened layer and also preventing moisture or degassing components from diffusing from the flattened layer, and uses a device structure effective for reducing plasma damage to the flattened layer by devising a positional relation between the flattened layer and the barrier layer. A combination with a novel structure as a structure of a pixel electrode also contributes to improve brightness or the like.

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有均匀的显示特性的半导体器件，其具有降低的阈值电压的波动，同时在半导体器件的制造过程期间等离子体损伤的影响减小。解决方案：半导体器件包括晶体管上的平坦化层113 以及设置在平坦化层的上表面或下表面上的阻挡层112，并且还防止湿气或脱气成分从平坦层扩散，并且使用通过设计平面化层之间的位置关系有效减少对扁平层的等离子体损伤的装置结构 平坦层和阻挡层。 作为像素电极的结构的新颖结构的组合也有助于提高亮度等。

公开(公告)号：JP5475972B2

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：JP2008218400

申请日：2008-08-27

申请人： 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 成▲文▼ 金 ,  旻相 金 ,  志明 李 ,  洞院 金

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7856 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66795

公开(公告)号：JP5435530B2

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：JP2008003462

申请日：2008-01-10

申请人： アイメックImec ,  カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァンKatholieke Universiteit Leuven

发明人： ナディーネ・コラエルト ,  ポール・ジマーマン ,  マルク・ドゥマン ,  ウェルナー・ボウラルト ,  アデリナ・ク・シコヴァ

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32136 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：JP5376734B2

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：JP2011279488

申请日：2011-12-21

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 舜平 山崎 ,  智史 村上 ,  光明 納

IPC分类号： H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/32 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/326 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78645 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

摘要： Disclosed is a display device and an electronic apparatus incorporating the display device. The display device includes a transistor and a planarization film over the transistor. The planarization film has an opening where an edge portion is rounded. The display device further includes a first electrode over the planarization film and an organic resin film over the first electrode. The organic resin film also has an opening where an edge portion is rounded. The organic resin film is located in the opening of the planarization film. The first electrode and the transistor are electrically connected to each other through a conductive film. The first electrode is in contact with a top surface of the conductive film. Over the first electrode, a light-emitting member and a second electrode are provided.

公开(公告)号：JP5342903B2

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：JP2009074427

申请日：2009-03-25

申请人： 株式会社東芝

发明人： 野 泉 平 ,  谷 祐一郎 三 ,  水 達 雄 清 ,  崎 靖 中 ,  田 明 子 正 ,  津 茂 人 深 ,  池 正 浩 小

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

摘要： A semiconductor device includes a MISFET comprising: a semiconductor layer including a semiconductor region formed therein; a gate insulating film formed above the semiconductor region, and including a metal oxide layer containing a metal and oxygen, the metal contained in the metal oxide layer being at least one selected from Hf and Zr, the metal oxide layer further including at least one element selected from the group consisting of Ru, Cr, Os, V, Tc, and Nb, the metal oxide layer having sites that capture or release charges formed by inclusion of the element, density of the element in the metal oxide layer being in the range of 1×1015 cm-3 to 2.96×1020 cm-3, the sites being distributed to have a peak closer to the semiconductor region than to a center of the metal oxide layer; and a gate electrode formed on the gate insulating film.

公开(公告)号：JP2012516036A

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：JP2011546308

申请日：2010-01-13

申请人： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

发明人： ブイ． カーブ、ゴーリ ,  ジー． テクリーブ、ダニエル ,  ルオ、ティエン−イン

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7833

摘要： ＰＭＯＳデバイス領域１１２、１１３内にシリコンゲルマニウムチャネル層２１を有する単一基板１５にデュアルゲート酸化物（ＤＧＯ）トランジスタデバイス５０、５２およびコアトランジスタデバイス５１、５３を集積するための方法および装置を記載する。 各ＤＧＯトランジスタデバイス５０、５２は、金属ゲート２５と、第２の相対的により高い高Ｋ金属酸化物層２４から形成された上部ゲート酸化物領域６０、８６と、第１の相対的により低い高Ｋ誘電体層２２から形成された下部ゲート酸化領域５８、８４とを含む。 また、各コアトランジスタデバイス５１、５３は、金属ゲートと、第２の相対的により高い高Ｋ金属酸化物層２４から形成されたコアゲート誘電層７２、９８とを含む。