公开(公告)号：KR1020170123253A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：KR1020170052789

申请日：2017-04-25

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 후쿠시마마사히로 ,  가타야마가즈히로

IPC分类号： C07C59/115 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C59/115 ,  C07C69/753 ,  C07C271/24 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/68 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/00 ,  C07D493/18 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38

摘要： [과제] 원자외선리소그래피및 EUV 리소그래피에있어서, LWR나해상성이우수하고, 또한현상후의결함이적은레지스트패턴을형성할수 있는화학증폭레지스트조성물, 이것에이용되는카르복실산오늄염및 상기레지스트조성물을이용한패턴형성방법을제공한다. [해결수단] 하기식(1)으로표시되는카르복실산오늄염및 이것을포함하는화학증폭레지스트조성물.

摘要翻译： 根据光刻和EUV光刻，LWR nahae电阻yiwoosu，并使用另一模式[问题]紫外线化学放大型抗蚀剂组合物，其可形成抗蚀剂显影之后小，羧基沙诺盐和抗蚀剂组合物的图案缺陷在此要使用的 Lt。 由下式（1）表示的羧酸酯化合物和包含其的化学放大型抗蚀剂组合物。

公开(公告)号：KR1020170117464A

公开(公告)日：2017-10-23

申请号：KR1020177025089

申请日：2016-02-19

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 데빌리어스안톤제이. ,  스미스제프리

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/325 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70633

摘要： 본원의기판패터닝기술은오버레이오정렬(overlay misalignment)을방지한다. 본기술은, 하나의릴리프패턴이특정포토레지스트로충전된개구부를포함하고이들개구부가미리정해진임계파장보다큰 파장을갖는전자기방사선의파동전파를가능하게하기에불충분한폭을갖는, 릴리프패턴의조합을사용하는것을포함한다. 따라서, 특정파장보다높은화학방사선은이들비교적작은개구부내의포토레지스트에영향을미칠수 없다. 이들개구부를충전한포토레지스트는개구부가부분적으로노출된상태에서특정현상제에의해제거될수 있어, 피처및 접속부가설계된대로확실하게제조되는것을돕는다.

摘要翻译： 本文的衬底图案化技术防止重叠未对准。 此技术在本浮雕图案中的一个包括填充有特定光致抗蚀剂的开口，并且这些开口具有预定使电磁辐射的波传播具有波长比阈值更大的波长具有hagie hanpok不足，浮雕图案的组合 它涉及使用。 因此，高于一定波长的光化辐射不会影响这些相对较小开口中的光刻胶。 这些开口的光刻胶填充GOT通过在开口部的特定显影液中除去的一部分露出的状态，这有助于可靠地制造按设计，特征和连接单元。

公开(公告)号：KR1020170113518A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020170121934

申请日：2017-09-21

申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

发明人： 필립디.허스타드 ,  박종근

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/225 ,  H01L21/47 ,  G03F7/09 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075

CPC分类号： H01L21/0206 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144

摘要： 포토리소그래픽방법이제공된다. 본방법은하기단계를포함한다: (a) 에칭될유기층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 포토레지스트조성물의층을상기유기층상에직접적으로도포하는단계로서, 상기포토레지스트조성물은하기를포함하는단계: 산절단가능이탈그룹을포함하는수지로서, 그것의절단은산 그룹및/또는알코올그룹을형성하는수지; 광산발생제; 및용매; (c) 상기포토레지스트층을패턴화된포토마스크를통해활성방사선에노광시키는단계; (d) 상기포토레지스트층을가열하는단계로서, 상기산 발생제에의해산출된산은산 절단가능이탈그룹의절단을야기하고, 그렇게함으로써상기산 그룹및/또는상기알코올그룹을형성하는단계; (e) 상기노출된포토레지스트조성물층을유기용매현상액으로현상하여상기산 그룹및/또는상기알코올그룹을포함하는음성레지스트패턴을형성하는단계; (f) 실리콘-함유조성물을상기레지스트패턴상에도포하는단계로서, 상기조성물은실리콘-함유폴리머및 용매를포함하고가교결합제가없는단계; (g) 잔류실리콘-함유조성물을상기기판으로부터린스하고, 일부의상기실리콘-함유폴리머를상기레지스트패턴의표면상에남겨두는단계; 및 (h) 선택적으로상기유기층을에칭하는단계. 본방법은고분해패턴을제공하기위해반도체소자의제조에서특정한적용가능성을발견한다.

摘要翻译： 提供了光刻方法。 该方法包括以下步骤：（a）提供包括待蚀刻的有机层的半导体衬底; （b）将光致抗蚀剂组合物层直接施加到有机层上，所述光致抗蚀剂组合物包含：包含酸可裂解离去基团的树脂，其裂解包括使酸基团和/或 形成醇基的树脂; 光酸发生器; 和一种溶剂; （c）通过图案化的光掩模将光致抗蚀剂层暴露于光化辐射; （d）加热光致抗蚀剂层，其中酸产生剂产生的酸引起酸可裂解离去基团的裂解，从而形成酸基团和/或醇基团; （e）用有机溶剂显影剂显影曝光的光致抗蚀剂组合物层以形成包含酸基团和/或醇基团的负性抗蚀剂图案; （f）将含硅组合物涂覆到抗蚀剂图案上，所述组合物包含含有机硅的聚合物和溶剂且不含交联剂; （g）从衬底清洗剩余的含硅组合物，并在抗蚀剂图案的表面上留下一些含硅聚合物; （h）任选地蚀刻所述有机层。 本发明的方法在制造半导体器件中找到了特别的适用性，以提供高分辨率图案。

公开(公告)号：KR1020170104136A

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：KR1020170112648

申请日：2017-09-04

申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 ,  롬엔드하스전자재료코리아유한회사

发明人： 홍창영 ,  슈쳉-바이 ,  김정우 ,  류콩 ,  야마다신타로 ,  조에스텐로리앤 ,  이충봉 ,  허스태드필립디. ,  테일러제임스씨.

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  G03F7/0025 ,  G03F7/20

摘要： 다중패턴의형성방법이제공된다. 이방법은 (a) 패턴화될하나이상의층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 산불안정성그룹을포함하는매트릭스폴리머; 광산발생제; 및용매를포함하는조성물로부터형성된포토레지스트층을패턴화될하나이상의층 위에형성하는단계; (c) 포토레지스트층을활성화조사선에패턴식으로노광하는단계; (d) 노광된포토레지스트층을베이킹하는단계; (e) 베이킹된포토레지스트층을제1 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴을형성하는단계; (f) 제1 레지스트패턴의측벽영역의용해도를제1 현상제와상이한제2 현상제에대해용해성에서불용성으로변경하기위한수단을포함하는코팅조성물로제1 레지스트패턴을처리하는단계; 및 (g) 처리된제1 레지스트패턴을제2 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴의일부를제거함으로써용해도-변경된측벽영역을남겨다중-패턴을형성하는단계를포함한다. 상기방법은미세리소그래피패턴의형성을위한반도체제조산업에서특정응용성을가진다.

摘要翻译： 提供了形成多个图案的方法。 该方法包括以下步骤：（a）提供包括至少一个待图案化的层的半导体衬底; （b）包含酸稳定基团的基质聚合物; 光酸发生器; 在至少一个待图案化的层上形成由包含溶剂的组合物形成的光致抗蚀剂层; （c）用激活辐射图案化光致抗蚀剂层; （d）烘烤曝光的光致抗蚀剂层; （e）使烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀剂图案; （f）对于不同于第一显影剂的第二显影剂，将第一抗蚀剂图案的侧壁区域的可溶性从可溶性改变为不可溶的装置; 及（g）通过除去第一抗蚀剂图案修饰的侧壁和离开该区域的多并形成图案的一部分处理过的第一抗蚀图案和第二显影剂溶解度接触。 该方法在半导体制造工业中特别适用于形成微光刻图案。

公开(公告)号：KR101775396B1

公开(公告)日：2017-09-06

申请号：KR1020147036560

申请日：2013-05-30

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 타카하시히데노리

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  C08F220/36 ,  C08F220/38

CPC分类号： G03F7/004 ,  C08F220/36 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/325

摘要： 노광래티튜드, 국소적인패턴치수의균일성이뛰어난패턴형성방법, 그것에사용되는감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 레지스트막, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공한다. (가) 환상구조와하기일반식(I), 일반식(II-1) 또는일반식(II-2)으로나타내어지는부분구조를갖는반복단위(a)와산의작용에의해분해되어극성기를발생시키는기를갖는반복단위(b)를갖는수지(P), 및활성광선또는방사선의조사에의해산을발생시키는화합물(B)을함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물에의해막을형성하는공정, (나) 상기막을노광하는공정, 및 (다) 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상해서네거티브형의패턴을형성하는공정을포함하는패턴형성방법, 그것에사용되는감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 레지스트막, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스.[식중, A및 A는각각독립적으로 -CO- 또는 -SO-를나타낸다. R및 R는각각독립적으로수소원자또는알킬기를나타낸다. R과 R가서로결합되어환을형성해도좋다. R은수소원자, 또는알킬기를나타낸다. *은결합손을나타낸다. 단, 상기일반식(II-1)에있어서의부분구조의 2개의결합손은상기환상구조의환에직접또는간접적으로결합되고, 상기일반식(II-2)에있어서의부분구조의 3개의결합손중 2개이상은상기환상구조의환에직접또는간접적으로결합된다]

摘要翻译： 曝光宽容度，具有优异的局部图案尺寸均匀性的图案形成方法，使用其的敏化光化射线或辐射敏感树脂组合物，抗蚀剂膜，制造电子器件的方法和电子器件。 （A）具有由通式（I），通式（II-1）或通式（II-2）表示的环状结构和部分结构的重复单元（a） （P）具有包含具有重复单元的重复单元（b）和能够在用光化射线或辐射照射时能够产生解离的化合物（B）的重复单元（b）的重复单元 （B）使膜曝光的步骤，和（c）使用含有有机溶剂的显影液显影以形成负图案的步骤，以及形成具有负活性射线或负 辐射敏感树脂组合物，抗蚀膜，电子器件制造方法和电子器件，其中A和A独立地表示-CO-或-SO-。 R和R各自独立地表示氢原子或烷基。 R和R可以结合在一起形成环。 R表示氢原子或烷基。 *表示合并。 如果通式（II-1）中的部分结构的两个键合的键直接或间接键合到环状结构的环上，并且通式（II-2）中的三个部分结构 两个或两个以上的结合手直接或间接结合到环状结构的环]

公开(公告)号：KR1020170093991A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020177021644

申请日：2011-06-24

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 이와토카오루 ,  카타오카쇼헤이

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/32

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  Y10S430/108 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/322 ,  H01L21/0274

摘要： 본발명의패턴형성방법은 (i) (A) 산의작용에의해극성이증가하여유기용매를함유하는현상액에대한용해성이감소할수 있는수지, (B) 활성광선또는방사선의조사시에산을발생할수 있는화합물, 및 (C) 용매를함유하는화학증폭형레지스트조성물로형성된막을형성하는공정; (ii) 상기막을노광하는공정; 및 (iii) 유기용매를함유하는현상액을사용하여현상하는공정을포함하고, 여기서상기수지(A)는극성기가산의작용에의해분해되어이탈할수 있는탈리기로보호된구조를갖고, 상기탈리기는불소원자를함유한다.

摘要翻译： 本发明的图案形成方法是在（ⅰ）（A）树脂的酸可以由极性通过酸的作用增加减少在含有有机溶剂的显影溶液中的溶解度，光化射线或辐射的（B）照射 能够产生，和（C）成形而形成的膜的步骤的化合物的化学放大型抗蚀剂含有溶剂的组合物; （ii）暴露胶片; 和（iii）通过使用含有有机溶剂，其中，所述树脂（A）具有被保护基团结构相符，可以逃避由极性基团的作用而分解的加入的显影剂显影的步骤中，所述离去基团是氟 它包含的原子。

公开(公告)号：KR101762995B1

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：KR1020130069482

申请日：2013-06-18

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 하따께야마,준 ,  하세가와,고지 ,  사게하시,마사요시 ,  가따야마,가즈히로 ,  구마끼,겐따로 ,  고바야시,도모히로

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/38 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F220/10 ,  C08F220/14 ,  C08F220/16 ,  C08F220/24 ,  C08F222/10 ,  C08F222/14 ,  C08F228/02 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/325

摘要： 본발명은카르복실기의수소원자가식(1)로표시되는산불안정기로치환된반복단위를갖는고분자화합물과, 필요에따라서산 발생제를포함하는레지스트조성물을기판상에도포하고, 가열처리후에고에너지선으로상기레지스트막을노광하고, 가열처리후에유기용제에의한현상액을이용하여미노광부를용해시켜노광부가용해되지않는네가티브형패턴을얻는패턴형성방법을제공한다.(식중, R은알킬기이고, R, R, R는수소원자, 메틸기또는에틸기이고, R, R, R중 2개이상이수소원자로되는일은없으며, R는수소원자또는메틸기이고, R은메틸렌기또는에틸렌기임) 본발명에따른고분자화합물을베이스로하는레지스트조성물은, 노광, PEB 후의유기용제현상에있어서높은용해콘트라스트를얻을수 있어, 미세한홀 패턴이나트렌치패턴을치수제어좋게고감도로형성하는것이가능해진다.

公开(公告)号：KR101755139B1

公开(公告)日：2017-07-06

申请号：KR1020157026176

申请日：2014-02-18

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 서머벨마크에이치 ,  카카시마이클에이

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/16 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/11 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  G03F7/168 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40

摘要： 자기조립물질을포함하는층상기판의형성방법(100)이제공된다. 상기방법(100)은기판위에제1 물질층을형성하는단계(110), 제1 물질층 위에방사선감응성물질층을형성하는단계(120), 방사선감응성물질층을패턴화광으로이미지화하는단계(130), 방사선감응성물질층(130)을가교반응온도이상의온도로가열하는단계(140), 이미지화층을현상하는단계(150), 및블록공중합체패턴을형성하는단계를포함한다. 방사선감응성물질은 (a) 광분해성가교제, (b) 광염기발생제, 또는 (c) 광분해성염기로부터선택되는하나이상의감광성성분; 및가교성중합체를포함하며, 여기서패턴화광에의한이미지화단계에서는비손상감광성성분의실질적인부분을갖는영역에의해둘러싸인분해된감광성성분의실질적인부분을갖는제1 영역에의해한정되는패턴을제공한다.

摘要翻译： 现在提供形成包含自组装材料的分层基板的方法100。 方法100包括在衬底110上形成第一层材料，在第一层材料上形成辐射敏感材料层120， （140）将辐射敏感材料层（130）加热至高于交联反应温度的温度，显影成像层（150），并形成嵌段共聚物图案。 所述辐射敏感材料包含选自（a）可光降解交联剂，（b）光产碱剂或（c）可光降解基质的至少一种光敏组分; 并且其中用图案化光的成像步骤提供由第一区域限定的图案的可交联聚合物，所述第一区域具有被具有大部分完整光敏组分的区域围绕的退化感光组分的大部分。

公开(公告)号：KR1020170077055A

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：KR1020160176826

申请日：2016-12-22

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 아다치데페이 ,  다니구치료스케 ,  하세가와고지 ,  야마다겐지

IPC分类号： C08F220/26 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0382 ,  C07D307/77 ,  C07D307/93 ,  C07D307/94 ,  C07D493/18 ,  C07D493/20 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F2220/283 ,  C08F2800/20 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/327 ,  C08F2220/1891 ,  C08F220/20

摘要： 본발명은, 하기식 (1)로표시되는반복단위를포함하는고분자화합물을제공하는것을목적으로한다.본발명의고분자화합물을레지스트조성물의베이스수지로서이용하면, 초점심도(DOF) 마진이나마스크치수의존성(마스크에러팩터: MEF)이우수한양호한패턴을형성할수 있다.

摘要翻译： 本发明的目的在于提供含有下述式（1）所示的重复单元的高分子化合物，使用本发明的高分子化合物作为抗蚀剂组合物的基础树脂时，焦点​​深度（DOF） 尺寸依赖性（掩模误差因子：MEF）可以形成良好的模式。

公开(公告)号：KR1020170074797A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：KR1020160174741

申请日：2016-12-20

申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

发明人： 나가미네다카시 ,  엔도고타로 ,  오이카와도모히로

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C211/05 ,  C07C211/63 ,  C07C321/28 ,  C07C323/20 ,  C07C381/12 ,  C07C2103/74 ,  C07C2603/74 ,  C07D493/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38

摘要： 노광에의해산을발생시키고, 또한산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는레지스트조성물로서, 산의작용에의해현상액에대한용해성이변화하는기재성분 (A) 와, 노광에의해산을발생시키는산 발생제성분 (B) 를함유하고, 산발생제성분 (B) 는, 일반식 (b1) 로나타내는화합물 (B1) 을함유하는것을특징으로한다. 일반식 (b1) 중, R은극성기를함유하는탄소수 7 ∼ 30 의유교지환식기를나타낸다. Y은치환기 (단, 방향족탄화수소기및 비닐기로이루어지는군에서선택되는치환기를제외한다) 를가지고있어도되는탄소수 9 이상의직사슬형탄화수소기를나타낸다. V은불소화알킬렌기를나타낸다. m 은 1 이상의정수로서, M는 m 가의유기카티온을나타낸다. [화학식 1]

摘要翻译： 产生的暴露，并且还溶解造成的用抗蚀剂组合物，在通过酸，碱中由酸成分（A）的动作显影液的更改的溶解性的作用显影液改变溶解度，曝光的溶解 含有产酸剂成分（B）和酸产生剂成分（B），其特征在于它含有由式（b1）表示的化合物（B1）。 在通式（b1）中，R表示具有7〜30的含极性基团的碳原子数的儒脂环基。 Y是一个取代基是具有9个或更多直链烃基的碳数，其可具有的基团（其中的芳族烃基和比选自以下组成的组中选择的取代基的其它乙烯基）。 V表示氟化亚烷基。 m是1或更大的整数，M代表m的有机阳离子。 [式1]