公开(公告)号：KR1020160042773A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：KR1020150140570

申请日：2015-10-06

申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨

发明人： 폴제이.라비움 ,  비풀자인 ,  수잔엠.콜리 ,  제임스더블유.새커리 ,  제임스에프.카메론 ,  에이미엠.곽 ,  데이비드에이.발레리

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/038 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  C08F220/38 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274

摘要： 포토레지스트조성물은상기반복단위의적어도반이광산-발생반복단위인제1 폴리머, 및산의작용하에서알칼리현상액에서용해도의변화를나타내는제2 폴리머를포함한다. 상기제1 폴리머에서, 각각의상기광산-발생반복단위는광산-발생작용기및 염기-용해도-향상작용기를포함한다.

公开(公告)号：KR1020160032703A

公开(公告)日：2016-03-24

申请号：KR1020150131080

申请日：2015-09-16

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 시마다마사히코 ,  스즈키유키 ,  이치카와고지

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C08F14/185 ,  C08F220/22 ,  C08F224/00 ,  G03F7/0325 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38

摘要： 보존안정성(결함, 형상)이양호한레지스트패턴을제조할수 있는수지및 레지스트조성물을제공하는것을목적으로한다. 식 (a4)로나타내어지는구조단위및 환상에테르를갖는구조단위를함유하고, 또한, 산불안정기를갖지않는수지 (A1), 산불안정기를갖는수지 (A2), 및, 산발생제를함유하는레지스트조성물.식 (a4) 중, R은, 수소원자또는메틸기를나타낸다. R는, 탄소수 1∼24의불소원자를갖는포화탄화수소기를나타내고, 당해포화탄화수소기에포함되는메틸렌기는, 산소원자또는카르보닐기로치환되어있어도된다.

摘要翻译： 提供能够制造具有良好的保存稳定性（缺陷和构象）和抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的树脂。 根据本发明，抗蚀剂组合物含有由化学式（a4）表示的结构单元和具有环醚的结构单元，还含有不具有酸不稳定基团的树脂（A1），树脂（A2 ）和酸发生剂。 在化学式（a4）中，R 3表示氢原子或甲基，R 4表示具有1-24个碳原子的氟原子的饱和烃基，其中包含在饱和的 烃基可以被氧原子或羰基取代。

公开(公告)号：KR1020160024811A

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：KR1020150119451

申请日：2015-08-25

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 오치아이미츠요시 ,  시마다마사히코 ,  이치카와고지

IPC分类号： C08F220/22 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/004

CPC分类号： C07C69/75 ,  C07C69/753 ,  C07C69/757 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/14 ,  C07C2603/70 ,  C07C2603/74 ,  C08F122/10 ,  C08F122/18 ,  C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  C08F220/68 ,  C08F222/10 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38

摘要： 식 (ia)로나타내어지는기를갖는화합물: 식중, r1 및 r2는각각독립적으로 c1 내지 c8의불소화알킬기를나타내고, 환 w는치환기를갖고있어도되는 c5 내지 c18의지환식탄화수소기를나타내고, *은결합손을나타낸다.

摘要翻译： 本发明涉及由化学式（ia）表示的化合物。 在化学式（ia）中，r1和r2分别表示碳原子数为1〜8的氟代烷基; 环状w表示碳数为5〜18的脂肪族烃基，可以具有取代基，*表示结合手。 本发明的化合物可用作抗蚀剂组合物的树脂。 包含树脂的抗蚀剂组合物可以提供具有优异形状的抗蚀剂图案，具有减少的缺陷，从而可用于半导体的微图形化。

公开(公告)号：KR1020160024809A

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：KR1020150119449

申请日：2015-08-25

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 마스야마다츠로 ,  야마모토사토시 ,  이치카와고지

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/004

CPC分类号： C08F220/24 ,  C07C69/653 ,  C07C69/74 ,  C07C233/14 ,  C07C2101/08 ,  C07C2101/14 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C08F120/22 ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/38

摘要： 레지스트조성물은산 불안정기를갖는구조단위를포함하는수지 (a1), 식 ( i a)로나타내어지는기를갖는구조단위를포함하는수지 (a2) 및산 발생제를가진다. 식중, r1은각 경우에독립적으로불소원자또는 c1 내지 c6의불소화알킬기를나타내고, 환 w는 c5 내지 c18의지환식탄화수소기를나타내고, n은 1 내지 6의정수를나타내고, *은결합손을나타낸다.

摘要翻译： 本发明涉及化合物，树脂，抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案的制造方法。 本发明的抗蚀剂组合物包括：包含具有酸不稳定基团的结构单元的树脂（a1） 包含具有由化学式（ia）表示的基团的结构单元的树脂（a2）; 和酸发生剂。 在化学式中，r1分别表示氟原子或具有1-6个碳原子的氟代烷基，环状w表示碳原子数为5〜18的取代烃基。 另外，n表示1-6的整数，*表示结合位点。 根据本发明，可以获得具有良好的线边缘粗糙度（LER）的无缺陷抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR1020160024807A

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：KR1020150119447

申请日：2015-08-25

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 니시무라다카시 ,  무카이유코 ,  이치카와고지

IPC分类号： C07C311/09 ,  C07C13/615 ,  C07C57/28 ,  C08F12/14 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C311/48 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C08F12/14 ,  C08F12/20 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08F12/30 ,  C08F220/18 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38

摘要： 식 (i)로나타내어지는염. 식중, q1 및 q2는, 각각독립적으로불소원자또는 c1 내지 c6 의퍼플루오로알킬기를나타내고, lb1 은단결합또는 2 가의 c1 내지 c24 의포화탄화수소기를나타내고, 여기서메틸렌기는산소원자또는카르보닐기에의해치환될수 있고, 수소원자는히드록실기또는불소원자에의해치환될수 있고, y 는수소원자, 불소원자, 또는치환기를갖고있어도되는 c3 내지 c18 의지환식탄화수소기를나타내고, 여기서메틸렌기는산소원자, 카르보닐기또는술포닐기에의해치환될수 있고, ar 은 2 가의 c6 내지 c20 의방향족탄화수소기를나타내고, z+는유기술포늄카티온또는유기요오드늄카티온을나타낸다.

摘要翻译： 本发明涉及一种抗蚀图案的盐，树脂，抗蚀剂组合物及其制造方法。 盐由化学式（i）表示。 在化学式（i）中，Q 1和Q 2各自独立地表示氟原子或C 1〜C 6全氟烷基; L ^ b1表示单键或二价C 1〜C 24饱和烃基，其中亚甲基可被氧原子或羰基取代，氢原子可被羟基或氟原子取代; Y表示氢原子，氟原子或任选取代的C 3〜C 18脂环族烃基，其中亚甲基可以被氧原子，羰基或磺酰基取代; Ar表示二价C 6〜C 20芳族烃基; Z ^ +表示有机锍阳离子或有机碘鎓阳离子。

公开(公告)号：KR1020160023566A

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：KR1020150115311

申请日：2015-08-17

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 오하시마사키 ,  하타케야마준 ,  후쿠시마마사히로

IPC分类号： C07D209/04 ,  C07C381/12 ,  C07D231/56 ,  C07D215/02 ,  C07D241/36 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07D209/04 ,  C07D209/08 ,  C07D209/18 ,  C07D209/42 ,  C07D209/60 ,  C07D209/62 ,  C07D215/06 ,  C07D215/14 ,  C07D215/48 ,  C07D215/50 ,  C07D231/06 ,  C07D231/12 ,  C07D231/56 ,  C07D233/18 ,  C07D235/06 ,  C07D235/08 ,  C07D241/44 ,  C07D249/18 ,  C07D249/20 ,  C07D261/20 ,  C07D263/56 ,  C07D263/58 ,  C07D275/06 ,  C07D277/64 ,  C07D277/68 ,  C07D277/74 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

摘要： 식 (1)로표시되는오늄염화합물.[Z는식 (a)로표시되는술포늄양이온또는식 (b)로표시되는요오도늄양이온.는, 질소원자를개재하는탄소수 2∼5의환상구조를나타낸다. 식 (1)에있어서는, 치환기 -L-CO(L은단결합또는 2가탄화수소기)를반드시하나갖는다.]본발명의레지스트조성물에포함되는오늄염화합물은, 산확산제어제로서양호하게기능하고, 결과적으로 MEF 및 LWR이작으며, 초점심도가우수하여고해상인패턴프로파일을구축할수 있다.

摘要翻译： 本发明涉及由式（1）表示的鎓盐组合物。 在化学式（1）中，Z +是由式（a）表示的锍的正离子或由式（b）表示的碘的正离子。 式（2）表示碳原子数为2〜5的氮原子的环状结构。 式（1）必须包括一个取代基-L-CO 2 - ，其中L是单键或二价烃基。 根据本发明，抗蚀剂组合物中包含的鎓盐组合物作为酸扩散抑制剂有利地起作用，因此具有低的MEF和LWR，并且显示出优异的聚焦深度，从而能够构建高分辨率图案轮廓 。

公开(公告)号：KR101597126B1

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：KR1020140024873

申请日：2014-03-03

申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨

发明人： 갈라거마이클케이. ,  잠피니안토니 ,  온가이오웬디

IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L21/027 ,  C09D7/12

CPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/091 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0276

摘要： 제 1 일예에서, (a) 기판상에경화성조성물을도포하고; (b) 경화성조성물위에하드마스크조성물을도포하며; (c) 하드마스크조성물위에포토레지스트조성물층을도포하는것을포함하는방법이제공되며, 여기서하나이상의조성물이무회분(ash-free) 공정으로제거된다. 제 2 일예에서, (a) 기판상에유기조성물을도포하고; (b) 유기조성물위에포토레지스트조성물을도포하는것을포함하는방법이제공되며, 여기서유기조성물은열 및/또는조사선처리시알칼리-가용성그룹을생성하는물질을포함한다. 관련조성물이또한제공된다.

公开(公告)号：KR1020160004286A

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：KR1020157031264

申请日：2014-04-15

申请人： 제이에스알 가부시끼가이샤

发明人： 하마구치히토시 ,  다나카켄로우 ,  오오키타켄조우 ,  구리야마케이스케

IPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/36 ,  H05K1/0296 ,  H05K3/107 ,  H05K3/1208 ,  H05K3/287 ,  H05K2201/0145 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0166

摘要： 막형성잉크가젖어퍼짐, 스며듦을억제하여고정세한패턴을형성하는데에이용되는오목패턴을갖는기재(基材)의제조방법을제공하고, 그기재의제조에이용하는조성물을제공하고, 도전막의형성방법, 전자회로및 전자디바이스를제공한다. 오목패턴을갖는기재의제조방법은, 기판(1) 상에, (ⅰ) 산해리성기를갖는중합체및 산발생제를포함하는조성물을도포하고, 도막(2)을형성하는공정, 그리고, (ⅱ) 도막(2)의소정부분에방사선조사를행하는공정을포함한다. 도전막의형성방법은, 도막(2)의노광된부분에형성된오목패턴에도전막형성잉크를도포하고, 가열하여, 패턴(6)을형성한다. 도전막의형성방법을이용하여전자회로및 전자디바이스를제공한다.

公开(公告)号：KR1020150122874A

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：KR1020140048803

申请日：2014-04-23

申请人： (주) 예스티

发明人： 최재운 ,  권용환

IPC分类号： G03F7/38 ,  G09F9/00

CPC分类号： G03F7/38 ,  G09F9/30 ,  H01L21/324

摘要： 본발명에따른가동형풍량조절부재를포함하는열처리장치는장치의전체외관을구성하는챔버부재와, 상기챔버부재의일측에형성되는도어부재와, 상기챔버부재의내부에배치되는필터부재와, 상기필터부재쪽으로기체를이송시키기위한블로우어부재와, 상기필터부재에인접하여배치되는풍량조절부재와, 상기풍량조절부재의전방에배치되어열처리대상물을지지하는열처리물지지부재를포함하며, 상기풍량조절부재는슬라이딩부재에슬라이딩가능하게배치된상태에서상기챔버부재외부로돌출되는방향으로이동될수 있도록설치되는것을특징으로한다. 본발명에의해, 열처리대상물로공급되는공기의양을조절하기위한풍량조절부재가열처리챔버외부로인출됨으로써풍량조절부재구성의변경이용이하며, 구성의변경을위한작업시간을획기적으로단축시킬수 있다. 또한, 풍량조절부재를통해배출되는공기의양을조절할수 있도록구성됨으로써, 디스플레이패널전체영역의온도를균일하게상승시킬수 있다.

摘要翻译： 根据本发明的包括可移动空气量控制构件的热处理装置包括：用于形成装置的整体外观的室构件; 形成在所述室构件的一侧的门构件; 设置在所述室构件内的过滤构件; 用于将空气朝向过滤构件输送的鼓风机构件; 与所述过滤构件相邻配置的风量控制构件; 以及热处理对象支撑构件，用于通过布置在所述空气量控制构件的前侧来支撑热处理目标。 空气量控制构件被安装成在空气量控制构件布置成在滑动构件处滑动的状态下沿朝向腔室构件的外部突出的方向移动。 根据本发明，由于用于控制供给到热处理对象物的空气量的空气量控制部件被抽出到热处理室的外部，所以能够容易地改变风量控制部件的结构， 对于改变配置可以大大缩短。 另外，显示面板的整个区域的温度可以通过构成为控制通过风量控制部件排出的空气量而均匀地增加。

公开(公告)号：KR1020150100046A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：KR1020140021349

申请日：2014-02-24

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 박경민 ,  김진호

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/28

CPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/0017 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38

摘要： 절연막 구조물 형성 방법 및 금속 배선 제조 방법이 개시된다. 상기 절연막 구조물 형성 방법에 있어서, 기판 상에 제1 광민감성 물질막을 형성한다. 상기 제1 광민감성 물질막을 선택적으로 노광하여, 제1 패턴과 실리콘 산화물을 포함하는 제2 패턴을 형성한다. 상기 제2 패턴 상에 제2 광민감성 물질막을 형성한다. 상기 제2 광민감성 물질막을 선택적으로 노광하여, 제3 패턴과 실리콘 산화물을 포함하는 제4 패턴을 형성한다. 현상 공정을 수행하여 제1 패턴을 제거한다. 현상 공정을 수행하여 제3 패턴을 제거한다.

摘要翻译： 公开了形成绝缘层结构的方法和制造金属互连的方法。 在形成绝缘层结构的方法中，在基板上形成第一光敏材料层。 通过将第一光敏材料层选择性地暴露于光而形成包括第一图案和氧化硅的第二图案。 在第二图案上形成第二光敏材料层。 通过将第二光敏材料层选择性地暴露于光而形成包括第三图案和氧化硅的第四图案。 通过执行开发过程来删除第一个模式。 通过执行开发过程来删除第三种模式。