公开(公告)号：TW201816850A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106121974

申请日：2017-06-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 提供半導體裝置及其製造方法，在間隔物旁形成源/汲極區，其相鄰於閘極電極，透過植入遮罩對源/汲極區和第一間隔物實施植入，在間隔物內形成植入區。

Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备及其制造方法，在间隔物旁形成源/汲极区，其相邻于闸极电极，透过植入遮罩对源/汲极区和第一间隔物实施植入，在间隔物内形成植入区。

公开(公告)号：TWI622094B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW105139539

申请日：2016-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/306 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI621266B

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：TW105123752

申请日：2016-07-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7856 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI619203B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105138671

申请日：2016-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528

公开(公告)号：TWI618126B

公开(公告)日：2018-03-11

申请号：TW105143415

申请日：2016-12-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TW201806007A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106114064

申请日：2017-04-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  李俊鴻 ,  LEE, CHUN HUNG

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 實施例為半導體裝置的製造方法，其包含在基底的第一區內形成第一鰭片和在基底的第二區內形成第二鰭片，在基底上形成第一隔離區，第一隔離區圍繞第一鰭片和第二鰭片，在第一鰭片上形成第一虛設閘極和在第二鰭片上形成第二虛設閘極，第一虛設閘極和第二虛設閘極具有相同的縱軸，以第一置換閘極取代第一虛設閘極和以第二置換閘極取代第二虛設閘極，在第一置換閘極和第二置換閘極之間形成第一凹陷，以及在第一凹陷內填入絕緣材料以形成第二隔離區。

Abstract in simplified Chinese: 实施例为半导体设备的制造方法，其包含在基底的第一区内形成第一鳍片和在基底的第二区内形成第二鳍片，在基底上形成第一隔离区，第一隔离区围绕第一鳍片和第二鳍片，在第一鳍片上形成第一虚设闸极和在第二鳍片上形成第二虚设闸极，第一虚设闸极和第二虚设闸极具有相同的纵轴，以第一置换闸极取代第一虚设闸极和以第二置换闸极取代第二虚设闸极，在第一置换闸极和第二置换闸极之间形成第一凹陷，以及在第一凹陷内填入绝缘材料以形成第二隔离区。

公开(公告)号：TWI611510B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW105138444

申请日：2016-11-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/7685 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

公开(公告)号：TW201737339A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106103021

申请日：2017-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636

Abstract: 本案介紹形成半導體裝置的一種方法，此方法包括接收具有複數個閘極結構之基板；在閘極結構側壁上形成間隔物；評估閘極結構之間距差異；根據間距差異決定蝕刻配方；藉由使用蝕刻配方對與閘極結構關連之極區域執行蝕刻製程，從而形成具有各自深度之源極/汲極凹槽；以及藉由使用半導體材料執行磊晶生長以在源極/汲極凹槽中形成源極/汲極特徵。

Abstract in simplified Chinese: 本案介绍形成半导体设备的一种方法，此方法包括接收具有复数个闸极结构之基板；在闸极结构侧壁上形成间隔物；评估闸极结构之间距差异；根据间距差异决定蚀刻配方；借由使用蚀刻配方对与闸极结构关连之极区域运行蚀刻制程，从而形成具有各自深度之源极/汲极凹槽；以及借由使用半导体材料运行磊晶生长以在源极/汲极凹槽中形成源极/汲极特征。

公开(公告)号：TW201737324A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106103018

申请日：2017-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/42364 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 一種形成半導體裝置之方法包括接收裝置，裝置具有基板及環繞閘極溝槽之第一介電層。方法更包括在閘極溝槽中沉積閘極介電層及閘極功函數(work function，WF)層，及在由閘極功函數層環繞之空間中形成硬遮罩(hard mask，HM)層。方法更包括使閘極功函數層凹陷以使得閘極溝槽中之閘極功函數層之頂表面在第一介電層之頂表面下方。在使閘極功函數層凹陷之後，方法更包括移除閘極溝槽中之硬遮罩層。在移除硬遮罩層之後，方法更包括在閘極溝槽中沉積金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成半导体设备之方法包括接收设备，设备具有基板及环绕闸极沟槽之第一介电层。方法更包括在闸极沟槽中沉积闸极介电层及闸极功函数(work function，WF)层，及在由闸极功函数层环绕之空间中形成硬遮罩(hard mask，HM)层。方法更包括使闸极功函数层凹陷以使得闸极沟槽中之闸极功函数层之顶表面在第一介电层之顶表面下方。在使闸极功函数层凹陷之后，方法更包括移除闸极沟槽中之硬遮罩层。在移除硬遮罩层之后，方法更包括在闸极沟槽中沉积金属层。

公开(公告)号：TW201735101A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105136826

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329

Abstract: 一種半導體裝置之形成方法，其包括形成材料層於基板之上以及形成第一溝槽於上述材料層中、沿著第一溝槽之側壁形成共形蓋層、在上述蓋層沿著第一溝槽之側壁設置的情況下形成第二溝槽於材料層中、以及形成導電特徵於第一溝槽及第二溝槽中。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备之形成方法，其包括形成材料层于基板之上以及形成第一沟槽于上述材料层中、沿着第一沟槽之侧壁形成共形盖层、在上述盖层沿着第一沟槽之侧壁设置的情况下形成第二沟槽于材料层中、以及形成导电特征于第一沟槽及第二沟槽中。