公开(公告)号：TW201701359A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW104138302

申请日：2015-11-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHING WEI ,  卡羅司 迪亞玆 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  連萬益 ,  LIEN, WAI YI ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7851

Abstract: 一種半導體元件的製造方法，包含形成從基材延伸之鰭片並具有源極/汲極區域和通道區域。鰭片包含具有第一組成的第一磊晶層和位於第一磊晶層之上的第二磊晶層，而第二磊晶層具有第二組成。從鰭片之閘極/源極區域移除第二磊晶層以形成間隙。填充介電材料於間隙中。於第一磊晶層之至少兩個表面上形成另一磊晶層以形成源極/汲極特徵。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件的制造方法，包含形成从基材延伸之鳍片并具有源极/汲极区域和信道区域。鳍片包含具有第一组成的第一磊晶层和位于第一磊晶层之上的第二磊晶层，而第二磊晶层具有第二组成。从鳍片之闸极/源极区域移除第二磊晶层以形成间隙。填充介电材料于间隙中。于第一磊晶层之至少两个表面上形成另一磊晶层以形成源极/汲极特征。

公开(公告)号：TWI633606B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：TW106118341

申请日：2017-06-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  朱熙甯 ,  JU, SHI NING ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/77

公开(公告)号：TWI601189B

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105131738

申请日：2016-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  朱熙甯 ,  JU, SHI NING ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHING WEI ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201727898A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105136464

申请日：2016-11-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHING WEI ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L29/41

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 一種半導體元件包含含有第一鰭元件、第二鰭元件及第三鰭元件的基板。第一源極/汲極磊晶特徵位於第一及第二鰭元件上。第一源極/汲極磊晶特徵位於第一鰭元件上之第一部分與第一源極/汲極磊晶特徵位於第二鰭元件上之第二部分於合併點合併。第二源極/汲極磊晶特徵位於第三鰭元件上。第二源極/汲極磊晶特徵之第一側壁接合位於沿第三鰭元件之第一側壁的第一第三鰭隔層。第二源極/汲極磊晶特徵之第二側壁接合位於沿第三鰭元件之第二側壁的第二第三鰭隔層。此合併點具有小於第一第三鰭隔層之第二高度的第一高度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包含含有第一鳍组件、第二鳍组件及第三鳍组件的基板。第一源极/汲极磊晶特征位于第一及第二鳍组件上。第一源极/汲极磊晶特征位于第一鳍组件上之第一部分与第一源极/汲极磊晶特征位于第二鳍组件上之第二部分于合并点合并。第二源极/汲极磊晶特征位于第三鳍组件上。第二源极/汲极磊晶特征之第一侧壁接合位于沿第三鳍组件之第一侧壁的第一第三鳍隔层。第二源极/汲极磊晶特征之第二侧壁接合位于沿第三鳍组件之第二侧壁的第二第三鳍隔层。此合并点具有小于第一第三鳍隔层之第二高度的第一高度。

公开(公告)号：TW201709342A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW104139762

申请日：2015-11-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHING WEI ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636

Abstract: 本發明描述一種半導體製造方法，此方法包括提供自基板延伸的複數個鰭片。複數個鰭片中之各者具有頂表面及兩個相對橫向側壁。在複數個鰭片中之各者之第一區域上方形成閘極結構及閘極結構作為頂表面與兩個相對橫向側壁之介面。在複數個鰭片中之各者之第二區域上形成源極/汲極磊晶特徵。源極/汲極磊晶特徵作為頂表面與兩個相對橫向側壁之介面。提供由源極/汲極磊晶特徵之至少一個表面所界定的氣隙。

Abstract in simplified Chinese: 本发明描述一种半导体制造方法，此方法包括提供自基板延伸的复数个鳍片。复数个鳍片中之各者具有顶表面及两个相对横向侧壁。在复数个鳍片中之各者之第一区域上方形成闸极结构及闸极结构作为顶表面与两个相对横向侧壁之界面。在复数个鳍片中之各者之第二区域上形成源极/汲极磊晶特征。源极/汲极磊晶特征作为顶表面与两个相对横向侧壁之界面。提供由源极/汲极磊晶特征之至少一个表面所界定的气隙。

公开(公告)号：TW201601311A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104118367

申请日：2015-06-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUOCHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHINGWEI ,  劉繼文 ,  LIU, CHIWEN ,  王志豪 ,  WANG, CHIHHAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YINGKEUNG

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  H01L21/762

Abstract: 一半導體裝置包含：複數個隔離區域，延伸進入一半導體基板，在這些隔離區域的複數個相對部份之間有一具有一第一寬度的基板條；一源極/汲極區域，具有一重疊基板條的部分，其中源極/汲極區域的一上部具有一大於第一寬度的第二寬度，以及源極/汲極區域的上部具有實質上垂直的複數個側壁；以及一源極/汲極矽化區域，具有複數個內部側壁接觸源極/汲極區域的這些垂直的側壁。

Abstract in simplified Chinese: 一半导体设备包含：复数个隔离区域，延伸进入一半导体基板，在这些隔离区域的复数个相对部份之间有一具有一第一宽度的基板条；一源极/汲极区域，具有一重叠基板条的部分，其中源极/汲极区域的一上部具有一大于第一宽度的第二宽度，以及源极/汲极区域的上部具有实质上垂直的复数个侧壁；以及一源极/汲极硅化区域，具有复数个内部侧壁接触源极/汲极区域的这些垂直的侧壁。

公开(公告)号：TW201820634A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106135961

申请日：2017-10-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 魏煥昇 ,  WEI, HUAN SHENG ,  江宏禮 ,  CHIANG, HUNG LI ,  劉佳雯 ,  LIU, CHIA WEN ,  許義明 ,  SHEU, YI MING ,  吳志強 ,  WU, ZHI-QIANG ,  吳忠政 ,  WU, CHUNG CHENG ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一種形成多閘極半導體元件的方法，包含提供具有數個第一類磊晶層與複數第二類磊晶層的鰭。去除在鰭的通道區中第二類磊晶層之第一層的第一部分，以形成開口在第一類磊晶層的第一層與第一類磊晶層的第二層之間。然後形成具有一閘極介電質與一閘極電極的閘極結構的一部分於開口中。一種介電質材料形成抵接於部分閘極結構。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成多闸极半导体组件的方法，包含提供具有数个第一类磊晶层与复数第二类磊晶层的鳍。去除在鳍的信道区中第二类磊晶层之第一层的第一部分，以形成开口在第一类磊晶层的第一层与第一类磊晶层的第二层之间。然后形成具有一闸极介电质与一闸极电极的闸极结构的一部分于开口中。一种介电质材料形成抵接于部分闸极结构。

公开(公告)号：TW201801196A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106118341

申请日：2017-06-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  朱熙甯 ,  JU, SHI NING ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/76237 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/7851

Abstract: 鰭式場效電晶體包括半導體層，其具有向半導體層外突出之鰭片結構。鰭片結構包括第一區段及安置在第一區段上之第二區段。介電層安置在半導體層上方。鰭片結構之第一區段由介電層環繞。金屬層安置在介電層上。鰭片結構之第二區段由金屬層環繞。介電層具有比金屬層更大的含氮量。鰭片結構之第一區段亦具有第一側面，此第一側面比鰭片結構之第二區段之第二側面更粗糙。

Abstract in simplified Chinese: 鳍式场效应管包括半导体层，其具有向半导体层外突出之鳍片结构。鳍片结构包括第一区段及安置在第一区段上之第二区段。介电层安置在半导体层上方。鳍片结构之第一区段由介电层环绕。金属层安置在介电层上。鳍片结构之第二区段由金属层环绕。介电层具有比金属层更大的含氮量。鳍片结构之第一区段亦具有第一侧面，此第一侧面比鳍片结构之第二区段之第二侧面更粗糙。

公开(公告)号：TW201729340A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105135763

申请日：2016-11-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  吳忠政 ,  WU, CHUNG CHENG ,  黃靖方 ,  HUANG, CHING FANG ,  謝文興 ,  HSIEH, WEN HSING ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG ,  鍾政庭 ,  CHUNG, CHENG TING

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66545

Abstract: 一種半導體，包含第一電晶體和第二電晶體。第一電晶體包含第一和第二磊晶層，由第一半導體材料組成。第二磊晶層配置於第一磊晶層上方。第一電晶體也包含第一閘極介電層和第一金屬閘極層，第一閘極介電層環繞第一和第二磊晶層且從第一磊晶層的頂面延伸至第二磊晶層的底面，第一金屬閘極層環繞第一閘極介電層。第二電晶體包含由第一半導體材料組成的第三磊晶層及由第二半導體組成的第四磊晶層，第四磊晶層直接配置於第三磊晶層上。第二電晶體也包含第二閘極介電層，且配置於第三和第四磊晶層上方且第二金屬閘極層配置於第二閘極介電層上方。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体，包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一和第二磊晶层，由第一半导体材料组成。第二磊晶层配置于第一磊晶层上方。第一晶体管也包含第一闸极介电层和第一金属闸极层，第一闸极介电层环绕第一和第二磊晶层且从第一磊晶层的顶面延伸至第二磊晶层的底面，第一金属闸极层环绕第一闸极介电层。第二晶体管包含由第一半导体材料组成的第三磊晶层及由第二半导体组成的第四磊晶层，第四磊晶层直接配置于第三磊晶层上。第二晶体管也包含第二闸极介电层，且配置于第三和第四磊晶层上方且第二金属闸极层配置于第二闸极介电层上方。

公开(公告)号：TW201715732A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105133095

申请日：2016-10-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 江國誠 ,  CHING, KUO CHENG ,  蔡慶威 ,  TSAI, CHING WEI ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  梁英強 ,  LEUNG, YING-KEUNG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/11807 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/7851 ,  H01L2027/11853 ,  H01L2027/11864

Abstract: 一種半導體裝置包含第一鰭式場效電晶體及第二鰭式場效電晶體。第一鰭式場效電晶體包含第一閘極、第一源極及第一汲極，且具有源極/汲極間之第一距離。第二場鰭式效電晶體包含第二閘極、第二源極及第二汲極，且具有小於第一鰭式場效電晶體源極/汲極間距離之第二距離。在一些實施例中，第一鰭式場效電晶體裝置為一種輸入/輸出裝置，而第二鰭式場效電晶體裝置為諸如一核心裝置之非輸入/輸出裝置。在一些實施例中，第一鰭式場效電晶體源極/汲極之間具有較大的距離，是因為第一鰭式場效電晶體裝置的一附加間隔層而第二鰭式場效電晶體裝置沒有。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含第一鳍式场效应管及第二鳍式场效应管。第一鳍式场效应管包含第一闸极、第一源极及第一汲极，且具有源极/汲极间之第一距离。第二场鳍式效晶体管包含第二闸极、第二源极及第二汲极，且具有小于第一鳍式场效应管源极/汲极间距离之第二距离。在一些实施例中，第一鳍式场效应管设备为一种输入/输出设备，而第二鳍式场效应管设备为诸如一内核设备之非输入/输出设备。在一些实施例中，第一鳍式场效应管源极/汲极之间具有较大的距离，是因为第一鳍式场效应管设备的一附加间隔层而第二鳍式场效应管设备没有。