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公开(公告)号:TWI607509B
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:TW103146010
申请日:2014-12-29
发明人: 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 王昭雄 , WANG, CHAO HSIUNG
IPC分类号: H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/772 , H01L29/78
CPC分类号: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/84 , H01L27/1207 , H01L27/1211
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公开(公告)号:TW201742250A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:TW106122057
申请日:2013-01-24
发明人: 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号: H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号: H01L27/1229 , H01L21/02565 , H01L21/02672 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L29/04 , H01L29/0847 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要: 本發明的課題是實現使用氧化物半導體構成的電晶體的電特性的穩定化,而提高該電晶體的可靠性。在一個氧化物半導體膜中,分別形成結晶成分較多的部分和非晶成分較多的區域。以其用作通道形成區的方式構成結晶成分較多的區域,以包含較多的非晶成分的方式構成其他區域。較佳的是,自對準地形成混有結晶成分較多的區域和非晶成分較多的區域的氧化物半導體膜。為了在一個氧化物半導體膜中分別形成其結晶性彼此不同的區域,首先在形成包含較多的結晶成分的氧化物半導體膜之後,進行用來使該氧化物半導體膜的一部分非晶化的製程。
简体摘要: 本发明的课题是实现使用氧化物半导体构成的晶体管的电特性的稳定化,而提高该晶体管的可靠性。在一个氧化物半导体膜中,分别形成结晶成分较多的部分和非晶成分较多的区域。以其用作信道形成区的方式构成结晶成分较多的区域,以包含较多的非晶成分的方式构成其他区域。较佳的是,自对准地形成混有结晶成分较多的区域和非晶成分较多的区域的氧化物半导体膜。为了在一个氧化物半导体膜中分别形成其结晶性彼此不同的区域,首先在形成包含较多的结晶成分的氧化物半导体膜之后,进行用来使该氧化物半导体膜的一部分非晶化的制程。
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公开(公告)号:TWI606497B
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:TW104139353
申请日:2015-11-26
发明人: 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
IPC分类号: H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/772
CPC分类号: H01L29/42376 , H01L21/31111 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/0653 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851
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公开(公告)号:TW201737487A
公开(公告)日:2017-10-16
申请号:TW106106095
申请日:2017-02-23
申请人: 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人: 莫洛威 派翠克 , MORROW, PATRICK , 梅漢度 里夏比 , MEHANDRU, RISHABH , 傑克 內森 D. , JACK, NATHAN D.
IPC分类号: H01L29/772
CPC分类号: H01L29/165 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L28/00 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66356 , H01L29/7391 , H01L29/785 , H01L29/861
摘要: 積體電路(IC)層包括一或多個電晶體與一或多個半導體二極體。一電晶體可包括具有一通道區域之一或多個非平面半導體本體,而該二極體亦包括具有一p型區域、一n型區域、或兩者之一或多個非平面半導體本體。一IC層可僅為數百奈米的厚度、並包括前側與背側互連體層面兩者。該前側互連體層面放置於該等非平面半導體本體之一或多個的一前側上、並耦接至該電晶體之至少一端子。該背側互連體層面放置於該等非平面半導體本體之一或多個的一背側上、並耦接至該半導體二極體之至少一端子。
简体摘要: 集成电路(IC)层包括一或多个晶体管与一或多个半导体二极管。一晶体管可包括具有一信道区域之一或多个非平面半导体本体,而该二极管亦包括具有一p型区域、一n型区域、或两者之一或多个非平面半导体本体。一IC层可仅为数百奈米的厚度、并包括前侧与背侧互连体层面两者。该前侧互连体层面放置于该等非平面半导体本体之一或多个的一前侧上、并耦接至该晶体管之至少一端子。该背侧互连体层面放置于该等非平面半导体本体之一或多个的一背侧上、并耦接至该半导体二极管之至少一端子。
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公开(公告)号:TWI601290B
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW103146009
申请日:2014-12-29
发明人: 何偉碩 , HO, WEI SHUO , 江宗育 , CHIANG, TSUNG YU , 陳光鑫 , CHEN, KUANG HSIN
IPC分类号: H01L29/772 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号: H01L21/3215 , H01L21/28088 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L21/32139 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545
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公开(公告)号:TW201732949A
公开(公告)日:2017-09-16
申请号:TW105139438
申请日:2016-11-30
申请人: 格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
IPC分类号: H01L21/336 , H01L29/772
CPC分类号: H01L21/324 , H01L29/66795 , H01L29/7846 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要: 本文揭示的一種說明性方法包含其中移除未被閘極結構覆蓋的整體鰭片結構的垂直高度部分的至少一部分,結果定義出位於所述閘極結構下方的所述整體鰭片結構的剩餘部分,其中,所述剩餘部分包括溝道部分以及位於所述溝道部分的較低部分。所述方法繼續形成可熱膨脹材料(HEM)層,於HEM上執行加熱製程以使HEM膨脹,凹陷HEM以暴露溝道部分的邊緣以及使用溝道部分的暴露邊緣作為生長表面以於HEM的上方生長半導體材料。
简体摘要: 本文揭示的一种说明性方法包含其中移除未被闸极结构覆盖的整体鳍片结构的垂直高度部分的至少一部分,结果定义出位于所述闸极结构下方的所述整体鳍片结构的剩余部分,其中,所述剩余部分包括沟道部分以及位于所述沟道部分的较低部分。所述方法继续形成可热膨胀材料(HEM)层,于HEM上运行加热制程以使HEM膨胀,凹陷HEM以暴露沟道部分的边缘以及使用沟道部分的暴露边缘作为生长表面以于HEM的上方生长半导体材料。
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公开(公告)号:TWI598938B
公开(公告)日:2017-09-11
申请号:TW102101667
申请日:2013-01-16
发明人: 阿門德哈雷德Z , AHMED, KHALED Z. , 古柏羅吉帕布 , GOPALRAJA, PRABU , 諾里阿提夫 , NOORI, ATIF , 張鎂 , CHANG, MEI
IPC分类号: H01L21/205 , H01L29/772
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公开(公告)号:TW201730555A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:TW105105605
申请日:2016-02-25
发明人: 王玉麟 , WANG, YU-LIN , 許振彬 , HSU, CHEN-PIN , 陳姵圻 , CHEN, PEI-CHI
IPC分类号: G01N27/327 , G01N27/414 , H01L27/12 , H01L29/772
CPC分类号: H01L24/32 , G01D11/245 , H01L21/4846 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L29/1606 , H01L2224/32225 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/0509 , H01L2924/06 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/1082 , H01L2924/1203 , H01L2924/1304 , H01L2924/1306 , H01L2924/13061 , H01L2924/13064 , H01L2924/146 , H01L2924/1461 , H01L2924/15747 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要: 一種感測器的製造方法,包括以下步驟。提供具有模穴的模具。於模穴中配置至少一晶片。晶片具有相對的主動面與背面。主動面朝向模穴的底面。將高分子材料填入模穴中,以覆蓋晶片的背面。進行熱處理,使得高分子材料固化為高分子基板。進行脫模處理,使得高分子基板從模穴分離出來。於高分子基板的第一表面上形成多條導線。導線與晶片電性連接。
简体摘要: 一种传感器的制造方法,包括以下步骤。提供具有模穴的模具。于模穴中配置至少一芯片。芯片具有相对的主动面与背面。主动面朝向模穴的底面。将高分子材料填入模穴中,以覆盖芯片的背面。进行热处理,使得高分子材料固化为高分子基板。进行脱模处理,使得高分子基板从模穴分离出来。于高分子基板的第一表面上形成多条导线。导线与芯片电性连接。
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公开(公告)号:TWI595653B
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:TW105129675
申请日:2016-09-13
发明人: 陳智聖 , CHEN, CHIH-SHENG , 李宗翰 , LEE, TSUNG-HAN , 陳長億 , CHEN, CHANG-YI
IPC分类号: H01L29/772 , H01L29/92
CPC分类号: H01L27/0629 , H01L29/78
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公开(公告)号:TWI593109B
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:TW105111318
申请日:2016-04-12
发明人: 溫文瑩 , WEN, WEN YING
IPC分类号: H01L29/772 , H01L29/36
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