半導體裝置及其製造方法
    22.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201742250A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:TW106122057

    申请日:2013-01-24

    摘要: 本發明的課題是實現使用氧化物半導體構成的電晶體的電特性的穩定化,而提高該電晶體的可靠性。在一個氧化物半導體膜中,分別形成結晶成分較多的部分和非晶成分較多的區域。以其用作通道形成區的方式構成結晶成分較多的區域,以包含較多的非晶成分的方式構成其他區域。較佳的是,自對準地形成混有結晶成分較多的區域和非晶成分較多的區域的氧化物半導體膜。為了在一個氧化物半導體膜中分別形成其結晶性彼此不同的區域,首先在形成包含較多的結晶成分的氧化物半導體膜之後,進行用來使該氧化物半導體膜的一部分非晶化的製程。

    简体摘要: 本发明的课题是实现使用氧化物半导体构成的晶体管的电特性的稳定化,而提高该晶体管的可靠性。在一个氧化物半导体膜中,分别形成结晶成分较多的部分和非晶成分较多的区域。以其用作信道形成区的方式构成结晶成分较多的区域,以包含较多的非晶成分的方式构成其他区域。较佳的是,自对准地形成混有结晶成分较多的区域和非晶成分较多的区域的氧化物半导体膜。为了在一个氧化物半导体膜中分别形成其结晶性彼此不同的区域,首先在形成包含较多的结晶成分的氧化物半导体膜之后,进行用来使该氧化物半导体膜的一部分非晶化的制程。

    使用背側半導體或金屬之半導體二極體
    24.
    发明专利
    使用背側半導體或金屬之半導體二極體 审中-公开
    使用背侧半导体或金属之半导体二极管

    公开(公告)号:TW201737487A

    公开(公告)日:2017-10-16

    申请号:TW106106095

    申请日:2017-02-23

    IPC分类号: H01L29/772

    摘要: 積體電路(IC)層包括一或多個電晶體與一或多個半導體二極體。一電晶體可包括具有一通道區域之一或多個非平面半導體本體,而該二極體亦包括具有一p型區域、一n型區域、或兩者之一或多個非平面半導體本體。一IC層可僅為數百奈米的厚度、並包括前側與背側互連體層面兩者。該前側互連體層面放置於該等非平面半導體本體之一或多個的一前側上、並耦接至該電晶體之至少一端子。該背側互連體層面放置於該等非平面半導體本體之一或多個的一背側上、並耦接至該半導體二極體之至少一端子。

    简体摘要: 集成电路(IC)层包括一或多个晶体管与一或多个半导体二极管。一晶体管可包括具有一信道区域之一或多个非平面半导体本体,而该二极管亦包括具有一p型区域、一n型区域、或两者之一或多个非平面半导体本体。一IC层可仅为数百奈米的厚度、并包括前侧与背侧互连体层面两者。该前侧互连体层面放置于该等非平面半导体本体之一或多个的一前侧上、并耦接至该晶体管之至少一端子。该背侧互连体层面放置于该等非平面半导体本体之一或多个的一背侧上、并耦接至该半导体二极管之至少一端子。

    藉由在可熱膨脹材料上執行加熱製程之在FINFET裝置上形成應變通道區之方法
    26.
    发明专利
    藉由在可熱膨脹材料上執行加熱製程之在FINFET裝置上形成應變通道區之方法 审中-公开
    借由在可热膨胀材料上运行加热制程之在FINFET设备上形成应变信道区之方法

    公开(公告)号:TW201732949A

    公开(公告)日:2017-09-16

    申请号:TW105139438

    申请日:2016-11-30

    IPC分类号: H01L21/336 H01L29/772

    摘要: 本文揭示的一種說明性方法包含其中移除未被閘極結構覆蓋的整體鰭片結構的垂直高度部分的至少一部分,結果定義出位於所述閘極結構下方的所述整體鰭片結構的剩餘部分,其中,所述剩餘部分包括溝道部分以及位於所述溝道部分的較低部分。所述方法繼續形成可熱膨脹材料(HEM)層,於HEM上執行加熱製程以使HEM膨脹,凹陷HEM以暴露溝道部分的邊緣以及使用溝道部分的暴露邊緣作為生長表面以於HEM的上方生長半導體材料。

    简体摘要: 本文揭示的一种说明性方法包含其中移除未被闸极结构覆盖的整体鳍片结构的垂直高度部分的至少一部分,结果定义出位于所述闸极结构下方的所述整体鳍片结构的剩余部分,其中,所述剩余部分包括沟道部分以及位于所述沟道部分的较低部分。所述方法继续形成可热膨胀材料(HEM)层,于HEM上运行加热制程以使HEM膨胀,凹陷HEM以暴露沟道部分的边缘以及使用沟道部分的暴露边缘作为生长表面以于HEM的上方生长半导体材料。