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公开(公告)号:TW201735282A
公开(公告)日:2017-10-01
申请号:TW105139143
申请日:2016-11-28
发明人: 郭豐維 , KUO, FENG WEI , 廖文翔 , LIAO, WEN-SHIANG , 周淳朴 , JOU, CHEWN-PU , 陳煥能 , CHEN, HUAN-NENG , 卓聯洲 , CHO, LAN-CHOU , 沈武 , SHEN, WILLIAM WU
CPC分类号: H01L23/66 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L24/17 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2223/6622 , H01L2223/6638 , H01L2224/16225 , H01L2924/141 , H01L2924/1421 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1443 , H01L2924/146 , H01L2924/3025
摘要: 一種半導體封裝包含:一第一半導體裝置;一第二半導體裝置,其垂直定位於該第一半導體裝置上面;及一接地屏蔽傳輸路徑。該接地屏蔽傳輸路徑將該第一半導體裝置耦合至該第二半導體裝置。該接地屏蔽傳輸路徑包含縱向延伸於一第一端與一第二端之間的一第一訊號路徑。該第一訊號路徑包含一導電材料。一第一絕緣層放置於縱向於該第一端與該第二端之間的該訊號路徑上方。該第一絕緣層包含一電絕緣材料。一接地屏蔽層放置於縱向於該訊號路徑之第一端與第二端之間的該絕緣材料上方。該接地屏蔽層包含耦合至接地之一導電材料。該接地屏蔽層將接收於其中之輻射訊號驅動至接地以防止該第一訊號路徑中之誘導雜訊。
简体摘要: 一种半导体封装包含:一第一半导体设备;一第二半导体设备,其垂直定位于该第一半导体设备上面;及一接地屏蔽传输路径。该接地屏蔽传输路径将该第一半导体设备耦合至该第二半导体设备。该接地屏蔽传输路径包含纵向延伸于一第一端与一第二端之间的一第一信号路径。该第一信号路径包含一导电材料。一第一绝缘层放置于纵向于该第一端与该第二端之间的该信号路径上方。该第一绝缘层包含一电绝缘材料。一接地屏蔽层放置于纵向于该信号路径之第一端与第二端之间的该绝缘材料上方。该接地屏蔽层包含耦合至接地之一导电材料。该接地屏蔽层将接收于其中之辐射信号驱动至接地以防止该第一信号路径中之诱导噪声。
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公开(公告)号:TW201725490A
公开(公告)日:2017-07-16
申请号:TW105133045
申请日:2016-10-13
申请人: 哈納米克羅恩公司 , HANA MICRON INC.
发明人: 金炫柱 , KIM, HYUN-JOO
IPC分类号: G06F3/041
CPC分类号: G06K9/0002 , G06F3/03547 , G06F2203/0338 , G06K9/00053 , H01L21/4803 , H01L21/565 , H01L23/10 , H01L23/3121 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/1433 , H01L2924/146 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/45099 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/85399
摘要: 本發明涉及智慧型裝置的觸控板半導體封裝件及其製造方法。本發明的觸控板半導體封裝件可包括:印刷電路板;觸控板元件,層疊於上述印刷電路板上;導電線,用於連接上述印刷電路板和上述觸控板元件;玻璃元件,利用膠黏帶直接附著於上述觸控板元件上;以及環氧樹脂模塑膠成型部,用於保護不被上述玻璃元件所覆蓋的上述觸控板元件的一部分區域及導電線。根據如上所述的本發明的結構,將大為提高檢測靈敏度。
简体摘要: 本发明涉及智能型设备的触摸板半导体封装件及其制造方法。本发明的触摸板半导体封装件可包括:印刷电路板;触摸板组件,层叠于上述印刷电路板上;导电线,用于连接上述印刷电路板和上述触摸板组件;玻璃组件,利用胶黏带直接附着于上述触摸板组件上;以及环氧树脂模塑胶成型部,用于保护不被上述玻璃组件所覆盖的上述触摸板组件的一部分区域及导电线。根据如上所述的本发明的结构,将大为提高检测灵敏度。
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公开(公告)号:TW201733056A
公开(公告)日:2017-09-16
申请号:TW106106082
申请日:2017-02-23
申请人: 精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人: 林佳昇 , LIN, CHIA SHENG , 賴炯霖 , LAI, CHAUNG LIN , 陳瑰瑋 , CHEN, KUEI WEI
CPC分类号: H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L23/3171 , H01L23/5384 , H01L24/05 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14683 , H01L2924/146 , H01L2924/19102 , H01L2924/301
摘要: 本發明揭露一種晶片封裝體,包括一基底。基底內的一感測區或元件區電性連接至一導電墊。一第一絕緣層位於基底上。一重佈線層位於第一絕緣層上。重佈線層的一第一部分及一第二部分電性連接至導電墊。一第二絕緣層順應性地延伸於第一絕緣層上且包覆第一部分及第二部分的側表面。一保護層位於第二絕緣層上。第二絕緣層的一部分位於保護層與第一絕緣層之間。本發明亦揭露一種晶片封裝體的製造方法。
简体摘要: 本发明揭露一种芯片封装体,包括一基底。基底内的一传感区或组件区电性连接至一导电垫。一第一绝缘层位于基底上。一重布线层位于第一绝缘层上。重布线层的一第一部分及一第二部分电性连接至导电垫。一第二绝缘层顺应性地延伸于第一绝缘层上且包覆第一部分及第二部分的侧表面。一保护层位于第二绝缘层上。第二绝缘层的一部分位于保护层与第一绝缘层之间。本发明亦揭露一种芯片封装体的制造方法。
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公开(公告)号:TW201543641A
公开(公告)日:2015-11-16
申请号:TW104112639
申请日:2015-04-21
申请人: 精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人: 姚皓然 , YIU, HO YIN , 溫英男 , WEN, YING NAN , 劉建宏 , LIU, CHIEN HUNG , 楊惟中 , YANG, WEI CHUNG
CPC分类号: H01L24/19 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/5226 , H01L24/08 , H01L24/17 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13144 , H01L2224/1403 , H01L2224/141 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48465 , H01L2224/73209 , H01L2224/73215 , H01L2224/73217 , H01L2224/73227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06568 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/1433 , H01L2924/146 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要: 本發明揭露一種晶片封裝體,包括一第一基底,其中第一基底內包括一感測裝置。一第二基底貼附於第一基底上,其中第二基底內包括一積體電路裝置。一第一導電結構透過設置於第一基底上的重佈線層電性連接感測裝置及積體電路裝置。一絕緣層覆蓋第一基底、第二基底及重佈線層,其中絕緣層內具有孔洞。一第二導電結構設置於孔洞的底部下方。本發明亦揭露一種晶片封裝體的製造方法。
简体摘要: 本发明揭露一种芯片封装体,包括一第一基底,其中第一基底内包括一传感设备。一第二基底贴附于第一基底上,其中第二基底内包括一集成电路设备。一第一导电结构透过设置于第一基底上的重布线层电性连接传感设备及集成电路设备。一绝缘层覆盖第一基底、第二基底及重布线层,其中绝缘层内具有孔洞。一第二导电结构设置于孔洞的底部下方。本发明亦揭露一种芯片封装体的制造方法。
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公开(公告)号:TWI612300B
公开(公告)日:2018-01-21
申请号:TW105105605
申请日:2016-02-25
发明人: 王玉麟 , WANG, YU-LIN , 許振彬 , HSU, CHEN-PIN , 陳姵圻 , CHEN, PEI-CHI
IPC分类号: G01N27/327 , G01N27/414 , H01L27/12 , H01L29/772
CPC分类号: H01L24/32 , G01D11/245 , H01L21/4846 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L29/1606 , H01L2224/32225 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/0509 , H01L2924/06 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/1082 , H01L2924/1203 , H01L2924/1304 , H01L2924/1306 , H01L2924/13061 , H01L2924/13064 , H01L2924/146 , H01L2924/1461 , H01L2924/15747 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
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公开(公告)号:TW201631716A
公开(公告)日:2016-09-01
申请号:TW104143066
申请日:2015-12-22
申请人: 精材科技股份有限公司 , XINTEC INC.
发明人: 張恕銘 , CHANG, SHU-MING , 劉滄宇 , LIU, TSANG-YU , 何彥仕 , HO, YEN-SHIH
CPC分类号: G06K9/0002 , B81C3/00 , G06F3/041 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/525 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/02371 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32237 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92 , H01L2224/92242 , H01L2224/97 , H01L2924/146 , H01L2924/15153 , H01L2924/15788 , H05K1/0271 , H05K3/3436 , H05K2201/0311 , H05K2201/10151 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L21/78
摘要: 本發明揭示一種具有低生產生本且具有高效率的晶片尺寸等級的感測晶片封裝模組,其特徵乃藉由晶圓級封裝製程使一薄觸板可以精確地放置在感測晶片上,且在搭配旋塗製程情況下,使得觸板晶圓與具感測元件的晶圓之間的黏著膠厚度降低,故可改用具中、低介質電容係數的材料。
简体摘要: 本发明揭示一种具有低生产生本且具有高效率的芯片尺寸等级的传感芯片封装模块,其特征乃借由晶圆级封装制程使一薄触板可以精确地放置在传感芯片上,且在搭配旋涂制程情况下,使得触板晶圆与具传感组件的晶圆之间的黏着胶厚度降低,故可改用具中、低介质电容系数的材料。
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公开(公告)号:TW201730555A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:TW105105605
申请日:2016-02-25
发明人: 王玉麟 , WANG, YU-LIN , 許振彬 , HSU, CHEN-PIN , 陳姵圻 , CHEN, PEI-CHI
IPC分类号: G01N27/327 , G01N27/414 , H01L27/12 , H01L29/772
CPC分类号: H01L24/32 , G01D11/245 , H01L21/4846 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L29/1606 , H01L2224/32225 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/0509 , H01L2924/06 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/1082 , H01L2924/1203 , H01L2924/1304 , H01L2924/1306 , H01L2924/13061 , H01L2924/13064 , H01L2924/146 , H01L2924/1461 , H01L2924/15747 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要: 一種感測器的製造方法,包括以下步驟。提供具有模穴的模具。於模穴中配置至少一晶片。晶片具有相對的主動面與背面。主動面朝向模穴的底面。將高分子材料填入模穴中,以覆蓋晶片的背面。進行熱處理,使得高分子材料固化為高分子基板。進行脫模處理,使得高分子基板從模穴分離出來。於高分子基板的第一表面上形成多條導線。導線與晶片電性連接。
简体摘要: 一种传感器的制造方法,包括以下步骤。提供具有模穴的模具。于模穴中配置至少一芯片。芯片具有相对的主动面与背面。主动面朝向模穴的底面。将高分子材料填入模穴中,以覆盖芯片的背面。进行热处理,使得高分子材料固化为高分子基板。进行脱模处理,使得高分子基板从模穴分离出来。于高分子基板的第一表面上形成多条导线。导线与芯片电性连接。
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公开(公告)号:TW201715662A
公开(公告)日:2017-05-01
申请号:TW105133520
申请日:2016-10-18
申请人: 精材科技股份有限公司 , XINTEX INC.
发明人: 何彥仕 , HO, YEN SHIH , 劉滄宇 , LIU, TSANG YU , 李柏漢 , LEE, PO HAN , 廖季昌 , LIAO, CHI CHANG
CPC分类号: H01L24/16 , H01L24/11 , H01L24/81 , H01L2224/08265 , H01L2224/81815 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/146
摘要: 本發明揭露一種晶片封裝體,包括一基底。基底內具有一感測區或元件區。一第一導電結構位於基底上,且與感測區或元件區電性連接。一被動元件縱向地堆疊於基底上,且與第一導電結構橫向排列。本發明亦揭露一種晶片封裝體的製造方法。
简体摘要: 本发明揭露一种芯片封装体,包括一基底。基底内具有一传感区或组件区。一第一导电结构位于基底上,且与传感区或组件区电性连接。一被动组件纵向地堆栈于基底上,且与第一导电结构横向排列。本发明亦揭露一种芯片封装体的制造方法。
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公开(公告)号:TW201607333A
公开(公告)日:2016-02-16
申请号:TW104122725
申请日:2015-07-14
申请人: 蝴蝶網路公司 , BUTTERFLY NETWORK, INC.
发明人: 羅斯貝格 強納森M , ROTHBERG, JONATHAN M. , 阿里 蘇珊A , ALIE, SUSAN A. , 法菲 凱斯G , FIFE, KEITH G. , 桑雪茲 尼瓦達J , SANCHEZ, NEVADA J. , 拉司頓 泰勒S , RALSTON, TYLER S.
CPC分类号: G01N29/2406 , A61B8/4483 , B06B1/0292 , B81B7/007 , B81B2201/0271 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , H01L2224/4813 , H01L2924/0002 , H01L2924/146 , H01L2924/1461
摘要: 與互補金屬氧化物半導體(CMOS)基板整合之微加工的超音波換能器以及製造此種裝置之方法係被描述。製造可以牽涉到兩個個別的晶圓接合的步驟。晶圓接合可被用來在一基板中製造密封的凹處。晶圓接合亦可被用來將該基板接合至另一例如是CMOS晶圓的基板。至少該第二晶圓接合可以是在一低溫下加以執行的。
简体摘要: 与互补金属氧化物半导体(CMOS)基板集成之微加工的超音波换能器以及制造此种设备之方法系被描述。制造可以牵涉到两个个别的晶圆接合的步骤。晶圆接合可被用来在一基板中制造密封的凹处。晶圆接合亦可被用来将该基板接合至另一例如是CMOS晶圆的基板。至少该第二晶圆接合可以是在一低温下加以运行的。
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