公开(公告)号：TW201730555A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105105605

申请日：2016-02-25

申请人： 國立清華大學 ,  NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

发明人： 王玉麟 ,  WANG, YU-LIN ,  許振彬 ,  HSU, CHEN-PIN ,  陳姵圻 ,  CHEN, PEI-CHI

IPC分类号： G01N27/327 ,  G01N27/414 ,  H01L27/12 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L24/32 ,  G01D11/245 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L29/1606 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/0509 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1082 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13061 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

摘要： 一種感測器的製造方法，包括以下步驟。提供具有模穴的模具。於模穴中配置至少一晶片。晶片具有相對的主動面與背面。主動面朝向模穴的底面。將高分子材料填入模穴中，以覆蓋晶片的背面。進行熱處理，使得高分子材料固化為高分子基板。進行脫模處理，使得高分子基板從模穴分離出來。於高分子基板的第一表面上形成多條導線。導線與晶片電性連接。

简体摘要： 一种传感器的制造方法，包括以下步骤。提供具有模穴的模具。于模穴中配置至少一芯片。芯片具有相对的主动面与背面。主动面朝向模穴的底面。将高分子材料填入模穴中，以覆盖芯片的背面。进行热处理，使得高分子材料固化为高分子基板。进行脱模处理，使得高分子基板从模穴分离出来。于高分子基板的第一表面上形成多条导线。导线与芯片电性连接。

公开(公告)号：TW201448207A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103109139

申请日：2014-03-13

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 萊爾拉克許K ,  LAL, RAKESH K.

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/535 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： III-N增強型電晶體包括：III-N結構，該III-N結構包括導電通道；源極觸點及汲極觸點；及在源極觸點與汲極觸點之間的閘電極。絕緣層在III-N結構上方，其中凹部在電晶體之閘極區域中經形成穿過絕緣層，其中閘電極至少部分地位於凹部中。電晶體進一步包括具有在閘電極與汲極觸點之間的部分的場板，該場板電連接至源極觸點。閘電極包括延伸部分，該延伸部分在凹部外且朝向汲極觸點延伸。導電通道與閘電極之延伸部分之間的間隔大於導電通道與場板之在閘電極與汲極觸點之間的部分之間的間隔。

简体摘要： III-N增强型晶体管包括：III-N结构，该III-N结构包括导电信道；源极触点及汲极触点；及在源极触点与汲极触点之间的闸电极。绝缘层在III-N结构上方，其中凹部在晶体管之闸极区域中经形成穿过绝缘层，其中闸电极至少部分地位于凹部中。晶体管进一步包括具有在闸电极与汲极触点之间的部分的场板，该场板电连接至源极触点。闸电极包括延伸部分，该延伸部分在凹部外且朝向汲极触点延伸。导电信道与闸电极之延伸部分之间的间隔大于导电信道与场板之在闸电极与汲极触点之间的部分之间的间隔。

公开(公告)号：TWI456705B

公开(公告)日：2014-10-11

申请号：TW101101191

申请日：2012-01-12

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 今田忠紘 ,  IMADA, TADAHIRO ,  岡本圭史郎 ,  OKAMOTO, KEISHIRO ,  今泉延弘 ,  IMAIZUMI, NOBUHIRO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L23/045

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201236113A

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW101101191

申请日：2012-01-12

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 今田忠紘 ,  岡本圭史郎 ,  今泉延弘 ,  吉川俊英

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導體裝置包含：具有電極的半導體晶片；對應於該電極的引線；將該電極連接至該引線的金屬線；第一樹脂部分，係覆蓋該金屬線及該電極之間的連接部分及該金屬線及該引線之間的連接部分；以及第二樹脂部分，係覆蓋該金屬線、該第一樹脂部分及該半導體晶片。

简体摘要： 半导体设备包含：具有电极的半导体芯片；对应于该电极的引线；将该电极连接至该引线的金属线；第一树脂部分，系覆盖该金属线及该电极之间的连接部分及该金属线及该引线之间的连接部分；以及第二树脂部分，系覆盖该金属线、该第一树脂部分及该半导体芯片。

公开(公告)号：TWI612300B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW105105605

申请日：2016-02-25

申请人： 國立清華大學 ,  NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY

发明人： 王玉麟 ,  WANG, YU-LIN ,  許振彬 ,  HSU, CHEN-PIN ,  陳姵圻 ,  CHEN, PEI-CHI

IPC分类号： G01N27/327 ,  G01N27/414 ,  H01L27/12 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L24/32 ,  G01D11/245 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L29/1606 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0496 ,  H01L2924/0509 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1082 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13061 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

公开(公告)号：TWI577022B

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW103106659

申请日：2014-02-27

申请人： 台達電子工業股份有限公司 ,  DELTA ELECTRONICS, INC.

发明人： 林立凡 ,  LIN, LIFAN ,  楊竣傑 ,  YANG, CHUNCHIEH ,  廖文甲 ,  LIAO, WENCHIA ,  薛清全 ,  SHIUE, CHINGCHUAN ,  陳世鵬 ,  CHEN, SHIHPENG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/535 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201533906A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103106659

申请日：2014-02-27

申请人： 台達電子工業股份有限公司 ,  DELTA ELECTRONICS, INC.

发明人： 林立凡 ,  LIN, LIFAN ,  楊竣傑 ,  YANG, CHUNCHIEH ,  廖文甲 ,  LIAO, WENCHIA ,  薛清全 ,  SHIUE, CHINGCHUAN ,  陳世鵬 ,  CHEN, SHIHPENG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/535 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體裝置包含主動層、源極、汲極、閘極、間介電層、源極中間層、至少一源極間插塞、汲極中間層、至少一汲極間插塞、閘極中間層與至少一閘極間插塞。主動層之材質為三五族半導體。源極與汲極皆位於主動層上。閘極位於主動層上，並介於源極與汲極之間。間介電層覆蓋源極、汲極與閘極。源極中間層、汲極中間層與閘極中間層皆位於間介電層上。源極間插塞電性連接源極與源極中間層。汲極間插塞電性連接汲極與汲極中間層。閘極間插塞電性連接閘極與閘極中間層。一種應用半導體裝置之半導體裝置封裝體亦在此揭露。

简体摘要： 一种半导体设备包含主动层、源极、汲极、闸极、间介电层、源极中间层、至少一源极间插塞、汲极中间层、至少一汲极间插塞、闸极中间层与至少一闸极间插塞。主动层之材质为三五族半导体。源极与汲极皆位于主动层上。闸极位于主动层上，并介于源极与汲极之间。间介电层覆盖源极、汲极与闸极。源极中间层、汲极中间层与闸极中间层皆位于间介电层上。源极间插塞电性连接源极与源极中间层。汲极间插塞电性连接汲极与汲极中间层。闸极间插塞电性连接闸极与闸极中间层。一种应用半导体设备之半导体设备封装体亦在此揭露。

公开(公告)号：TWI496251B

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：TW101103353

申请日：2012-02-02

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 谷元昭 ,  TANI, MOTOAKI ,  岡本圭史郎 ,  OKAMOTO, KEISHIRO

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1047 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201238017A

公开(公告)日：2012-09-16

申请号：TW101103353

申请日：2012-02-02

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 谷元昭 ,  岡本圭史郎

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33183 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1047 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： 一種半導體裝置,包含:半導體元件,包含第一電極;基板,包含第二電極和凹部;以及散熱黏著材料,將該半導體元件安置於該凹部中以便將該第一電極配置成靠近該第二電極,其中該第一電極耦接至該第二電極和該散熱黏著材料覆蓋該半導體元件之底表面和至少部分之側表面。

简体摘要： 一种半导体设备,包含:半导体组件,包含第一电极;基板,包含第二电极和凹部;以及散热黏着材料,将该半导体组件安置于该凹部中以便将该第一电极配置成靠近该第二电极,其中该第一电极耦接至该第二电极和该散热黏着材料覆盖该半导体组件之底表面和至少部分之侧表面。