公开(公告)号：TW201626468A

公开(公告)日：2016-07-16

申请号：TW104133047

申请日：2015-10-07

申请人： 通用電機股份有限公司 ,  GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： 格達 艾倫 ,  GOWDA, ARUN VIRUPAKSHA ,  麥克尼爾 保羅 ,  MCCONNELEE, PAUL ALAN

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L24/46 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1302 ,  H01L2924/13023 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/207

摘要： 功率覆蓋(POL)結構包含功率裝置，其具有設置在功率裝置的上表面上的至少一上接觸墊，以及功率覆蓋互連層，其具有耦接至功率裝置的上表面的介電層以及具有金屬互連的金屬化層，該金屬互連延伸通過通過介電層而形成的通孔並且電性耦接至功率裝置的至少一上接觸墊。功率覆蓋結構更包含至少一銅焊線，其直接耦接至金屬化層。

简体摘要： 功率覆盖(POL)结构包含功率设备，其具有设置在功率设备的上表面上的至少一上接触垫，以及功率覆盖互连层，其具有耦接至功率设备的上表面的介电层以及具有金属互连的金属化层，该金属互连延伸通过通过介电层而形成的通孔并且电性耦接至功率设备的至少一上接触垫。功率覆盖结构更包含至少一铜焊线，其直接耦接至金属化层。

公开(公告)号：TW201532228A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103136322

申请日：2014-10-21

申请人： 矽力杰股份有限公司 ,  SILERGY CORP.

发明人： 譚小春

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L25/165 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49572 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 公開了一種封裝元件及其製造方法。所述封裝元件，包括：具有互連區的晶片承載裝置；位於互連區中的焊料；以及具有導電凸塊的電子元件，所述導電凸塊的端部接觸焊料，使得所述電子元件與所述晶片承載裝置形成焊料互連，其中，所述互連區具有凹陷的表面，用於接觸和容納焊料並且固定導電凸塊的位置。在工作期間焊料流動的情形下，本發明的封裝元件仍然可以保證晶片承載裝置和電子元件之間的良好電連接，從而提高可靠性和使用壽命。

简体摘要： 公开了一种封装组件及其制造方法。所述封装组件，包括：具有互连区的芯片承载设备；位于互连区中的焊料；以及具有导电凸块的电子组件，所述导电凸块的端部接触焊料，使得所述电子组件与所述芯片承载设备形成焊料互连，其中，所述互连区具有凹陷的表面，用于接触和容纳焊料并且固定导电凸块的位置。在工作期间焊料流动的情形下，本发明的封装组件仍然可以保证芯片承载设备和电子组件之间的良好电连接，从而提高可靠性和使用寿命。

公开(公告)号：TW201225227A

公开(公告)日：2012-06-16

申请号：TW099143290

申请日：2010-12-10

申请人： 國立成功大學

发明人： 蘇炎坤 ,  陳冠群 ,  林俊良

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L33/48 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2933/0075 ,  H01S5/024 ,  H01L2224/81

摘要： 一種半導體元件之散熱座的製作方法,包含下列步驟。形成一導電層覆蓋在一暫時基板之表面上。利用至少一金屬凸塊將至少一半導體晶片接合於導電層,其中前述之至少一金屬凸塊介於至少一半導體晶片與導電層之間。形成一金屬基板於導電層上,其中金屬基板填滿前述之至少一半導體晶片與導電層之間之間隙。移除前述之暫時基板。

简体摘要： 一种半导体组件之散热座的制作方法,包含下列步骤。形成一导电层覆盖在一暂时基板之表面上。利用至少一金属凸块将至少一半导体芯片接合于导电层,其中前述之至少一金属凸块介于至少一半导体芯片与导电层之间。形成一金属基板于导电层上,其中金属基板填满前述之至少一半导体芯片与导电层之间之间隙。移除前述之暂时基板。

公开(公告)号：TW201201302A

公开(公告)日：2012-01-01

申请号：TW100119095

申请日：2011-05-31

申请人： 住友電氣工業股份有限公司

发明人： 初川聰

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L22/10 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L23/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明中,將複數個SiC半導體晶片安裝於安裝基板上(S1),對安裝基板上之SiC半導體晶片施加電壓(S2)。於施加有電壓之狀態下,使用熱寫法、紅外線顯微鏡等熱影像裝置獲取安裝基板表面之溫度分佈圖像(S3),藉由進行圖像解析而判定不良晶片之有無(S5)。於安裝基板上包含不良晶片之情形時(S5:是),藉由切斷該不良晶片之配線而排除不良晶片(S7)。藉此,提供一種使用小容量晶片之半導體裝置之製造方法。

简体摘要： 本发明中,将复数个SiC半导体芯片安装于安装基板上(S1),对安装基板上之SiC半导体芯片施加电压(S2)。于施加有电压之状态下,使用热写法、红外线显微镜等热影像设备获取安装基板表面之温度分布图像(S3),借由进行图像解析而判定不良芯片之有无(S5)。于安装基板上包含不良芯片之情形时(S5:是),借由切断该不良芯片之配线而排除不良芯片(S7)。借此,提供一种使用小容量芯片之半导体设备之制造方法。

公开(公告)号：TW201735116A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105142441

申请日：2016-12-21

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/48 ,  H01L21/822 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1436

摘要： 本發明提供用於提供具有已知良好晶粒的三維晶圓組件的範例系統和方法。一種範例方法編輯一半導體晶圓上的晶粒的索引編號並且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部為可操作的晶粒的晶圓。多個晶圓上的有缺陷晶粒可以被平行移除，並且產生於三維晶圓組件中堆疊全部為良好晶粒的晶圓。於一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空間可以可操作的晶粒或是一填補材料被至少部分填補。有缺陷的晶粒可以在晶圓至晶圓組裝之前或之後被置換，以避免生產有缺陷的堆疊式裝置，或者，該些空間亦可以保持空白。一底部裝置晶圓亦可以移除或是置換其有缺陷的晶粒，從而產生會提供沒有任何有缺陷晶粒之三維堆疊的晶圓至晶圓組件。

简体摘要： 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除，并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换，以避免生产有缺陷的堆栈式设备，或者，该些空间亦可以保持空白。一底部设备晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒，从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒之三维堆栈的晶圆至晶圆组件。

公开(公告)号：TW201532229A

公开(公告)日：2015-08-16

申请号：TW103138823

申请日：2014-11-07

申请人： 菲爾卻德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 凱勒 戴倫W ,  KELLER, DAREN W.

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/78 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L23/544 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/78753 ,  H01L2224/789 ,  H01L2224/78901 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2224/8585 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示一種設備，其包含銲線接合系統，該銲線接合系統包括銲線接合裝置、測量裝置、及排除裝置。該銲線接合裝置經組態以附接銲線型電互連至電子總成。銲線係形成於第一半導體裝置與第二電子裝置之間而形成該電子總成之至少一部分。該測量裝置經組態以執行與銲線相關聯之三維測量，且該排除裝置經組態以根據該三維銲線測量值來辨識電子總成以供排除。

简体摘要： 本发明揭示一种设备，其包含焊线接合系统，该焊线接合系统包括焊线接合设备、测量设备、及排除设备。该焊线接合设备经组态以附接焊线型电互连至电子总成。焊线系形成于第一半导体设备与第二电子设备之间而形成该电子总成之至少一部分。该测量设备经组态以运行与焊线相关联之三维测量，且该排除设备经组态以根据该三维焊线测量值来辨识电子总成以供排除。

公开(公告)号：TWI482255B

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：TW101144063

申请日：2011-04-19

申请人： 泰斯拉公司 ,  TESSERA, INC.

发明人： 貝勒卡塞姆 哈巴 ,  BELGACEM, HABA

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16221 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201505535A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW102127530

申请日：2013-07-31

申请人： 環旭電子股份有限公司 ,  UNIVERSAL SCIENTIFIC INDUSTRIAL (SHANGHAI) CO., LTD.

发明人： 陳仁君 ,  CHEN, JEN CHUN ,  曹曉文 ,  CAO, XIAO-WEN ,  張鶴議 ,  CHANG, HE YI

IPC分类号： H05K9/00 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/142 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H05K9/0037 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明實施例提供電子封裝模組的製造方法，所述電子封裝模組的製造方法包括提供基板，基板具有上表面，且基板包括至少一接地墊，接地墊裸露於上表面。裝設複數個電子元件於上表面上，而電子元件與基板電性連接。形成封裝體於上表面包覆於電子元件，其中封裝體具有至少一側面。於封裝體內形成溝槽以劃分出至少二封裝隔間，其中溝槽裸露出接地墊，而溝槽的端部位於封裝體內且未觸及側面。填置導電材料於溝槽以覆蓋溝槽的表面而形成一隔間遮蔽結構，隔間遮蔽結構具有至少一側寬面以及至少一側長面，其中隔間遮蔽結構連接接地墊。於側面對應溝槽的端部附近移除部分封裝體以分別形成一凹口，而凹口裸露出隔間遮蔽結構的側寬面。形成電磁遮蔽層覆蓋封裝體的表面及隔間遮蔽結構，其中電磁遮蔽層透過凹口而與側寬面連接。

简体摘要： 本发明实施例提供电子封装模块的制造方法，所述电子封装模块的制造方法包括提供基板，基板具有上表面，且基板包括至少一接地垫，接地垫裸露于上表面。装设复数个电子组件于上表面上，而电子组件与基板电性连接。形成封装体于上表面包覆于电子组件，其中封装体具有至少一侧面。于封装体内形成沟槽以划分出至少二封装隔间，其中沟槽裸露出接地垫，而沟槽的端部位于封装体内且未触及侧面。填置导电材料于沟槽以覆盖沟槽的表面而形成一隔间屏蔽结构，隔间屏蔽结构具有至少一侧宽面以及至少一侧长面，其中隔间屏蔽结构连接接地垫。于侧面对应沟槽的端部附近移除部分封装体以分别形成一凹口，而凹口裸露出隔间屏蔽结构的侧宽面。形成电磁屏蔽层覆盖封装体的表面及隔间屏蔽结构，其中电磁屏蔽层透过凹口而与侧宽面连接。

公开(公告)号：TWI550871B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW103126711

申请日：2014-08-05

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 林瑀宏 ,  LIN, YU HUNG ,  林聖軒 ,  LIN, SHENG HSUAN ,  張志維 ,  CHANG, CHIH WEI ,  周友華 ,  CHOU, YOU HUA

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/76855 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/02 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66568 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/1304

公开(公告)号：TW201624659A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104130364

申请日：2015-09-15

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 舩津勝彥 ,  FUNATSU, KATSUHIKO ,  佐藤幸弘 ,  SATO, YUKIHIRO ,  金澤孝光 ,  KANAZAWA, TAKAMITSU ,  小井土雅寬 ,  KOIDO, MASAHIRO ,  田谷博美 ,  TAYA, HIROYOSHI

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L25/07 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/52 ,  H01L21/54 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/057 ,  H01L23/10 ,  H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/071 ,  H01L25/072 ,  H01L29/41708 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H02S40/32 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85399

摘要： 本發明之目的在於抑制半導體裝置的可靠度降低。為了達成上述目的，本發明之半導體裝置，具有形成在陶瓷基板CS1上的複數個金屬圖案MP，以及搭載於複數個金屬圖案MP之中的一部分的半導體晶片CP。另外，於複數個金屬圖案MP的周緣部位，形成了複數個窪部DP。另外，於複數個金屬圖案MP之中的與半導體晶片CP重疊的區域，並未形成複數個窪部DP。另外，於複數個金屬圖案MP之中的配置在最靠近陶瓷基板CS1的頂面CSt的周緣部位的位置的複數個金屬圖案MPT設置複數個窪部DP。

简体摘要： 本发明之目的在于抑制半导体设备的可靠度降低。为了达成上述目的，本发明之半导体设备，具有形成在陶瓷基板CS1上的复数个金属图案MP，以及搭载于复数个金属图案MP之中的一部分的半导体芯片CP。另外，于复数个金属图案MP的周缘部位，形成了复数个洼部DP。另外，于复数个金属图案MP之中的与半导体芯片CP重叠的区域，并未形成复数个洼部DP。另外，于复数个金属图案MP之中的配置在最靠近陶瓷基板CS1的顶面CSt的周缘部位的位置的复数个金属图案MPT设置复数个洼部DP。