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    塗布顯影裝置及塗布顯影方法 COATING AND DEVELOPING APPARATUS, AND COATING AND DEVELOPING METHOD
    31.
    发明专利
    塗布顯影裝置及塗布顯影方法 COATING AND DEVELOPING APPARATUS, AND COATING AND DEVELOPING METHOD 有权
    涂布显影设备及涂布显影方法 COATING AND DEVELOPING APPARATUS, AND COATING AND DEVELOPING METHOD

    公开(公告)号：TWI323482B

    公开(公告)日：2010-04-11

    申请号：TW095143970

    申请日：2006-11-28

    申请人： 東京威力科創股份有限公司

    发明人： 石田省貴 ,  山本太郎

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/0257

    摘要： 於對基板塗布抗蝕劑液而形成抗蝕劑膜，並對該抗蝕劑膜表面形成液層而進行液浸曝光後之基板進行顯影處理的裝置中，抑制由於抗蝕劑膜變質造成晶圓間不一致。
    於前述裝置中，設置：清洗部，將形成有抗蝕劑膜之基板的表面予以清洗；及運送機構，用以從該清洗部將基板取出並運送至用以進行浸液曝光之曝光裝置；並將前述運送機構控制成：使從在前述清洗部清洗液接觸基板表面之時點起至將該基板搬入曝光裝置為止之時間為預先設定的設定時間，亦即從對前述基板表面供給前述清洗液之時點起的經過時間與在該基板表面之清洗液的接觸角變化之關係中，設定為使設定時間成為：基板接受浸液曝光是在接觸角之降低速度比起剛接觸後為大幅減慢的時間帶。 Coating and developing apparatus has a washing part that washes surface of a substrate with which the resist film is formed, and a transportation means to take out the substrate of the washing part and to transport it to the exposure machine to proceed the dipping exposure process.
    For the settime that time until the substrate is carried from point that cleaning solution comes in contact with surface of the substrate in the washing part to the exposure machine set beforehand, that is, the relation to change in elapsed time from point that supplies cleaning solution to surface of the substrate and contact angle of cleaning solution, the transportation means is controlled to become time that the substrate was proceeded the dipping exposure process to be exposed by time zone that the decrease speed of the contact angle greatly become small compared with immediately after contact. 【創作特點】 本發明係有鑑於如該情事而生，其目的為提供一種技術，能於在基板形成抗蝕劑膜，並對在其表面形成液層而浸液曝光後之基板進行顯影處理之裝置中，抑制由於抗蝕劑膜變質造成之基板間不一致。
    本發明為一種塗布顯影裝置，係對基板塗布抗蝕劑液而形成抗蝕劑膜，並對浸液曝光後之基板進行顯影處理，其特徵在於：具備：清洗部，於形成有抗蝕劑膜之基板表面進行清洗；運送機構，用以從該清洗部取出基板，運送到用以進行浸液曝光之曝光裝置；及控制部，控制使在前述清洗部清洗液接觸基板表面之時點起算至該基板搬入曝光裝置為止之時間成為預先設定的設定時間；前述設定時間係設定為，於從對前述基板表面供給前述清洗液之時點起的經過時間與該基板表面中清洗液之接觸角的關係中，使基板在接觸角之降低速度比起剛接觸後為大幅減慢的時間帶內進行浸液曝光。
    以對基板表面供給前述清洗液之時點起的經過時間作為横軸，若以在基板表面之清洗液的接觸角作為縱軸，則接觸角隨時間變小，接觸角起初降低很快，但是後來曲線平緩下來。在此，前述設定時間，可設定在該平緩的域內的某個時點，或也包含較開始進入此區域之時點為長的情形。
    上述塗布顯影裝置中，可為以下構成：設置待機部，使基板在用以在前述清洗部與曝光裝置之間的運送路徑待機，於待機部進行時間調整，使前述運送機構所進行之基板的運送時間成為設定時間。於該情形，前述控制部，控制運送機構，使得於接受到來自於曝光裝置基板之搬入指令的時點，當於該基板中前述清洗液之接觸開始時點起計測之計測時間較設定時間為長時，將該基板搬入曝光裝置，又，於前述計測時間較設定時間為短時，使該基板於待機部待機。
    又，上述塗布顯影裝置中，可為以下構成：具備保護膜形成部，在抗蝕劑膜上塗布化學藥品溶液，形成用以在浸液曝光時保護基板表面之撥水性保護膜，清洗部將該保護膜之表面予以清洗。又，可為以下構成，具備：加熱部，將在前述保護膜形成部塗布了化學藥品溶液之基板予以加熱處理；運送機構，用以將在加熱部經過加熱處理之基板運送到清洗部；及控制部，控制使從在該加熱部之基板加熱處理結束的時點起算至對該基板開始進行前述清洗之時間成為預先設定之設定時間。
    上述塗布顯影裝置中，於前述抗蝕劑膜為撥水性之情形，可為以下構成，具備：加熱部，對塗布有抗蝕劑液之基板進行加熱處理；運送機構，用以將在該加熱部經過加熱處理之基板運送到清洗部；及，控制部，控制使得在該加熱部之基板加熱處理結束的時點起算至對該基板開始進行在前述清洗部之清洗為止的時間，成為設定為預先設定的設定時間。
    再者，於上述塗布顯影裝置中，可為以下構成：在前述加熱部與清洗部之間的運送路徑設有使基板待機之待機部，前述控制部，控制運送機構，使得藉由在使基板該待機部待機，將從基板加熱結束時點起至基板清洗開始時點為止時間予以調整。
    又，本發明為一種塗布顯影方法，係對基板塗布抗蝕劑液，並對浸液曝光後之基板進行顯影處理，其特徵在於：具備：在基板表面形成抗蝕劑膜之步驟；之後，將基板表面藉由清洗液進行清洗之清洗步驟；將於此步驟經過清洗之基板以運送機構運送到用以進行浸液曝光之曝光裝置的步驟；控制前述運送機構，使從前述清洗液接觸基板表面之時點起至該基板搬入曝光裝置為止之時間成為設定時間；前述設定時間，係於從對前述基板表面供給前述清洗液之時點起的經過時間與在該基板表面之清洗液的接觸角的關係中，以使基板在接觸角之降低速度比起剛接觸後為大幅減慢的時間帶接受浸液曝光之方式而預先設定的時間。
    上述中，接觸角之降低速度，比起清洗剛接觸基板表面後為大幅減慢的時間帶，希望為相較於剛接觸後之接觸角的降低速度，為3分之1以下。
    依照本發明，由於對基板進行清洗後至到達浸液曝光為止的時間以上述方式管理，故即使從清洗至浸液曝光為止的時間，在基板間有些許的不一致，由於浸液曝光時，基板表面之接觸角幾乎為一致，因此，液體對於基板表面之撥水性保護膜或抗蝕劑膜的浸透程度齊一。因此，基板表面之變質程度幾乎為相同，能抑制得到之抗蝕劑圖案的線寬在基板之間發生不一致。
    又，由於藉由將塗布有保護膜用化學藥品溶液或抗蝕劑液之基板進行加熱處理後，至開始浸液曝光前之清洗為止的時間，管理為成為預先設定的設定時間，由於基板之間的環境氛圍水分吸附量一致，能抑制由於該水分量之吸附量不一致造成基板表面變質之不一致。

    简体摘要： 于对基板涂布抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜，并对该抗蚀剂膜表面形成液层而进行液浸曝光后之基板进行显影处理的设备中，抑制由于抗蚀剂膜变质造成晶圆间不一致。 于前述设备中，设置：清洗部，将形成有抗蚀剂膜之基板的表面予以清洗；及运送机构，用以从该清洗部将基板取出并运送至用以进行浸液曝光之曝光设备；并将前述运送机构控制成：使从在前述清洗部清洗液接触基板表面之时点起至将该基板搬入曝光设备为止之时间为预先设置的设置时间，亦即从对前述基板表面供给前述清洗液之时点起的经过时间与在该基板表面之清洗液的接触角变化之关系中，设置为使设置时间成为：基板接受浸液曝光是在接触角之降低速度比起刚接触后为大幅减慢的时间带。 Coating and developing apparatus has a washing part that washes surface of a substrate with which the resist film is formed, and a transportation means to take out the substrate of the washing part and to transport it to the exposure machine to proceed the dipping exposure process. For the settime that time until the substrate is carried from point that cleaning solution comes in contact with surface of the substrate in the washing part to the exposure machine set beforehand, that is, the relation to change in elapsed time from point that supplies cleaning solution to surface of the substrate and contact angle of cleaning solution, the transportation means is controlled to become time that the substrate was proceeded the dipping exposure process to be exposed by time zone that the decrease speed of the contact angle greatly become small compared with immediately after contact. 【创作特点】 本发明系有鉴于如该情事而生，其目的为提供一种技术，能于在基板形成抗蚀剂膜，并对在其表面形成液层而浸液曝光后之基板进行显影处理之设备中，抑制由于抗蚀剂膜变质造成之基板间不一致。 本发明为一种涂布显影设备，系对基板涂布抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜，并对浸液曝光后之基板进行显影处理，其特征在于：具备：清洗部，于形成有抗蚀剂膜之基板表面进行清洗；运送机构，用以从该清洗部取出基板，运送到用以进行浸液曝光之曝光设备；及控制部，控制使在前述清洗部清洗液接触基板表面之时点起算至该基板搬入曝光设备为止之时间成为预先设置的设置时间；前述设置时间系设置为，于从对前述基板表面供给前述清洗液之时点起的经过时间与该基板表面中清洗液之接触角的关系中，使基板在接触角之降低速度比起刚接触后为大幅减慢的时间带内进行浸液曝光。 以对基板表面供给前述清洗液之时点起的经过时间作为横轴，若以在基板表面之清洗液的接触角作为纵轴，则接触角随时间变小，接触角起初降低很快，但是后来曲线平缓下来。在此，前述设置时间，可设置在该平缓的域内的某个时点，或也包含较开始进入此区域之时点为长的情形。 上述涂布显影设备中，可为以下构成：设置待机部，使基板在用以在前述清洗部与曝光设备之间的运送路径待机，于待机部进行时间调整，使前述运送机构所进行之基板的运送时间成为设置时间。于该情形，前述控制部，控制运送机构，使得于接受到来自于曝光设备基板之搬入指令的时点，当于该基板中前述清洗液之接触开始时点起计测之计测时间较设置时间为长时，将该基板搬入曝光设备，又，于前述计测时间较设置时间为短时，使该基板于待机部待机。 又，上述涂布显影设备中，可为以下构成：具备保护膜形成部，在抗蚀剂膜上涂布化学药品溶液，形成用以在浸液曝光时保护基板表面之拨水性保护膜，清洗部将该保护膜之表面予以清洗。又，可为以下构成，具备：加热部，将在前述保护膜形成部涂布了化学药品溶液之基板予以加热处理；运送机构，用以将在加热部经过加热处理之基板运送到清洗部；及控制部，控制使从在该加热部之基板加热处理结束的时点起算至对该基板开始进行前述清洗之时间成为预先设置之设置时间。 上述涂布显影设备中，于前述抗蚀剂膜为拨水性之情形，可为以下构成，具备：加热部，对涂布有抗蚀剂液之基板进行加热处理；运送机构，用以将在该加热部经过加热处理之基板运送到清洗部；及，控制部，控制使得在该加热部之基板加热处理结束的时点起算至对该基板开始进行在前述清洗部之清洗为止的时间，成为设置为预先设置的设置时间。 再者，于上述涂布显影设备中，可为以下构成：在前述加热部与清洗部之间的运送路径设有使基板待机之待机部，前述控制部，控制运送机构，使得借由在使基板该待机部待机，将从基板加热结束时点起至基板清洗开始时点为止时间予以调整。 又，本发明为一种涂布显影方法，系对基板涂布抗蚀剂液，并对浸液曝光后之基板进行显影处理，其特征在于：具备：在基板表面形成抗蚀剂膜之步骤；之后，将基板表面借由清洗液进行清洗之清洗步骤；将于此步骤经过清洗之基板以运送机构运送到用以进行浸液曝光之曝光设备的步骤；控制前述运送机构，使从前述清洗液接触基板表面之时点起至该基板搬入曝光设备为止之时间成为设置时间；前述设置时间，系于从对前述基板表面供给前述清洗液之时点起的经过时间与在该基板表面之清洗液的接触角的关系中，以使基板在接触角之降低速度比起刚接触后为大幅减慢的时间带接受浸液曝光之方式而预先设置的时间。 上述中，接触角之降低速度，比起清洗刚接触基板表面后为大幅减慢的时间带，希望为相较于刚接触后之接触角的降低速度，为3分之1以下。 依照本发明，由于对基板进行清洗后至到达浸液曝光为止的时间以上述方式管理，故即使从清洗至浸液曝光为止的时间，在基板间有些许的不一致，由于浸液曝光时，基板表面之接触角几乎为一致，因此，液体对于基板表面之拨水性保护膜或抗蚀剂膜的浸透程度齐一。因此，基板表面之变质程度几乎为相同，能抑制得到之抗蚀剂图案的线宽在基板之间发生不一致。 又，由于借由将涂布有保护膜用化学药品溶液或抗蚀剂液之基板进行加热处理后，至开始浸液曝光前之清洗为止的时间，管理为成为预先设置的设置时间，由于基板之间的环境氛围水分吸附量一致，能抑制由于该水分量之吸附量不一致造成基板表面变质之不一致。

    凹入特徵部中之膜的由下而上沉積方法
    38.
    发明专利
    凹入特徵部中之膜的由下而上沉積方法 审中-公开
    凹入特征部中之膜的由下而上沉积方法

    公开(公告)号：TW201714226A

    公开(公告)日：2017-04-16

    申请号：TW105130711

    申请日：2016-09-23

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 泰伯利 坎達巴拉 N ,  TAPILY, KANDABARA N. ,  歐米拉 大衛 L ,  O'MEARA, DAVID L. ,  庫馬 寇西克 A ,  KUMAR, KAUSHIK A

    IPC分类号： H01L21/34

    CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76877

    摘要： 本發明的實施例提供一種在凹入特徵部中之膜的由下而上沉積的處理方法。根據一實施例，該方法包含：a）設置包含一凹入特徵部的一基板，該凹入特徵部具有一底部及一側壁；b）在該凹入特徵部的該底部上及該側壁上沉積一膜；及 c）以一遮罩層覆蓋在該凹入特徵部之底部的該膜。該方法進一步包含：d）自該側壁蝕刻該膜；及 e）移除該遮罩層以曝露在該凹入特徵部之底部的該膜。步驟 b）- e）可重複至少一次，直到在該凹入特徵部之底部的該膜具有一期望厚度。在一例子中，該凹入特徵部可被該膜填滿。

    简体摘要： 本发明的实施例提供一种在凹入特征部中之膜的由下而上沉积的处理方法。根据一实施例，该方法包含：a）设置包含一凹入特征部的一基板，该凹入特征部具有一底部及一侧壁；b）在该凹入特征部的该底部上及该侧壁上沉积一膜；及 c）以一遮罩层覆盖在该凹入特征部之底部的该膜。该方法进一步包含：d）自该侧壁蚀刻该膜；及 e）移除该遮罩层以曝露在该凹入特征部之底部的该膜。步骤 b）- e）可重复至少一次，直到在该凹入特征部之底部的该膜具有一期望厚度。在一例子中，该凹入特征部可被该膜填满。