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    具有整體式散熱器之塑料球柵陣列封裝 PLASTIC BALL GRID ARRAY PACKAGE WITH INTEGRAL HEATSINK
    1.
    发明专利
    具有整體式散熱器之塑料球柵陣列封裝 PLASTIC BALL GRID ARRAY PACKAGE WITH INTEGRAL HEATSINK 有权
    具有整体式散热器之塑料球栅数组封装 PLASTIC BALL GRID ARRAY PACKAGE WITH INTEGRAL HEATSINK

    公开(公告)号：TWI303471B

    公开(公告)日：2008-11-21

    申请号：TW091113866

    申请日：2002-06-25

    申请人： 恰巴克有限公司 CHIPPAC, INC.

    发明人： 李泰谷 TAEKEUN LEE ,  佛林 卡爾森 FLYNN CARSON ,  馬可仕 康諾斯 MARCOS KARNEZOS

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

    摘要： 一種塑料球柵陣列半導體封裝利用一金屬熱擴散器,其有一嵌入模蓋中之支撐臂,其中該嵌入之支撐臂未直接連在基板,或其中連在基板上之任何支撐臂係利用彈性材料如彈性黏膠所連接。此外,一構成封裝之方法包括以下步驟;將熱擴散器置於模腔內,置基板於模腔之上,俾基板之模片支撐表面與熱擴散器之支撐臂接觸,及注入模塑材料於空腔中以構成模蓋。基板置於模腔上之寄存器內,俾當模塑材料變硬構成模蓋時,嵌入之熱擴散器在與基板相關之適當位置固定。此外,構成封裝之方法包括以下步驟:將熱擴散器置於基體上俾熱擴散器之至少一支撐臂利用彈性固定物,如彈性黏膠連接在基板上,將模腔置於熱擴散器上,及注入模塑材料於空腔。彈性黏膠在注入模塑材料期間,將熱擴散器保持在與基板成適當之位置'當模塑材料變硬而構成模蓋時,嵌入之熱擴散器與基板以適當位置固定。在某些實施例中,在熱擴散器與模塑化合物間之介面之熱擴散器之下表面甚為粗糙,或包括一黑氧化銅層以改進黏接及熱擴散器與模塑材料間之接觸。本發明可提供製造能力及使用可靠性之大幅改進。

    简体摘要： 一种塑料球栅数组半导体封装利用一金属热扩散器,其有一嵌入模盖中之支撑臂,其中该嵌入之支撑臂未直接连在基板,或其中连在基板上之任何支撑臂系利用弹性材料如弹性黏胶所连接。此外,一构成封装之方法包括以下步骤;将热扩散器置于模腔内,置基板于模腔之上,俾基板之模片支撑表面与热扩散器之支撑臂接触,及注入模塑材料于空腔中以构成模盖。基板置于模腔上之寄存器内,俾当模塑材料变硬构成模盖时,嵌入之热扩散器在与基板相关之适当位置固定。此外,构成封装之方法包括以下步骤:将热扩散器置于基体上俾热扩散器之至少一支撑臂利用弹性固定物,如弹性黏胶连接在基板上,将模腔置于热扩散器上,及注入模塑材料于空腔。弹性黏胶在注入模塑材料期间,将热扩散器保持在与基板成适当之位置'当模塑材料变硬而构成模盖时,嵌入之热扩散器与基板以适当位置固定。在某些实施例中,在热扩散器与模塑化合物间之界面之热扩散器之下表面甚为粗糙,或包括一黑氧化铜层以改进黏接及热扩散器与模塑材料间之接触。本发明可提供制造能力及使用可靠性之大幅改进。

    用於覆晶互連之精確封裝之裝置及方法 APPARATUS AND PROCESS FOR PRECISE ENCAPSULATION OF FLIP CHIP INTERCONNECTS
    3.
    发明专利
    用於覆晶互連之精確封裝之裝置及方法 APPARATUS AND PROCESS FOR PRECISE ENCAPSULATION OF FLIP CHIP INTERCONNECTS 有权
    用于覆晶互连之精确封装之设备及方法 APPARATUS AND PROCESS FOR PRECISE ENCAPSULATION OF FLIP CHIP INTERCONNECTS

    公开(公告)号：TWI251317B

    公开(公告)日：2006-03-11

    申请号：TW091103587

    申请日：2002-02-27

    申请人： 恰巴克有限公司 CHIPPAC, INC.

    发明人： 拉傑卓 潘希 RAJENDRA PENDSE

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

    摘要： 一種封膠覆晶內連線之方法，其包含施加一限量的封膠樹脂到一積體電路晶片的該內連線側，然後將該晶片與一基板放在一起，其條件為藉由該基板上的接合墊來促進該晶片的內連線側上之凸塊的接合。在一些具體實施例中，施加樹脂到該晶片的步驟包含沉浸該晶片的內連線側到一樹脂池中一預定的深度，然後由該樹脂池退出該晶片。在一些具體實施例中，該施加樹脂到該晶片的步驟包含提供具有一底部的容器，其在該容器中提供一樹脂池成為該容器底部之上一淺的深度，沉浸該晶片到該樹脂池中，所以該凸塊會接觸該容器底部，然後由該樹脂池退出該晶片。以及，用以施加一精確量的封膠樹脂到一晶片之裝置，其包含一具有底部之容器，及用以散佈一封膠樹脂池到該容器底部之上一預定深度的構件。

    简体摘要： 一种封胶覆晶内连接之方法，其包含施加一限量的封胶树脂到一集成电路芯片的该内连接侧，然后将该芯片与一基板放在一起，其条件为借由该基板上的接合垫来促进该芯片的内连接侧上之凸块的接合。在一些具体实施例中，施加树脂到该芯片的步骤包含沉浸该芯片的内连接侧到一树脂池中一预定的深度，然后由该树脂池退出该芯片。在一些具体实施例中，该施加树脂到该芯片的步骤包含提供具有一底部的容器，其在该容器中提供一树脂池成为该容器底部之上一浅的深度，沉浸该芯片到该树脂池中，所以该凸块会接触该容器底部，然后由该树脂池退出该芯片。以及，用以施加一精确量的封胶树脂到一芯片之设备，其包含一具有底部之容器，及用以散布一封胶树脂池到该容器底部之上一预定深度的构件。

    覆晶之互連墊佈局 FLIP CHIP INTERCONNECTION PAD LAYOUT
    5.
    发明专利
    覆晶之互連墊佈局 FLIP CHIP INTERCONNECTION PAD LAYOUT 审中-公开
    覆晶之互连垫布局 FLIP CHIP INTERCONNECTION PAD LAYOUT

    公开(公告)号：TW200522237A

    公开(公告)日：2005-07-01

    申请号：TW093134034

    申请日：2004-11-08

    申请人： 恰巴克有限公司 CHIPPAC, INC.

    发明人： 雷佐拉D 潘迪司 PENDESA, RAJENDRA D.

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L23/50 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025

    摘要： 本發明揭示一種具有晶粒訊號墊之覆晶互連墊，其佈局在接近該晶粒四周之晶粒表面上，及佈置在從該等訊號墊內側的該晶粒表面上之晶粒電源和接地墊；並具有在相應封裝基板上以與該晶粒墊佈局互補之方式排列訊號墊和從遠離該晶粒覆蓋區之晶粒邊緣下的該等訊號墊繞送之訊號線，且具有繞送至在該晶粒覆蓋區下導孔之電源線及接地線。並且，一種覆晶半導體裝置，其中覆晶互連墊佈局具有坐落在該晶粒邊線部分之晶粒訊號墊以及佈置在該等訊號墊之內側之晶粒表面上之晶粒電源和接地墊，而相對應的封裝基板具有與該晶粒墊佈局以互補方式排列之訊號墊和從遠離該晶粒覆蓋區之該晶粒邊綠下之該等訊號墊繞送之訊號線。

    简体摘要： 本发明揭示一种具有晶粒信号垫之覆晶互连垫，其布局在接近该晶粒四周之晶粒表面上，及布置在从该等信号垫内侧的该晶粒表面上之晶粒电源和接地垫；并具有在相应封装基板上以与该晶粒垫布局互补之方式排列信号垫和从远离该晶粒覆盖区之晶粒边缘下的该等信号垫绕送之信号线，且具有绕送至在该晶粒覆盖区下导孔之电源线及接地线。并且，一种覆晶半导体设备，其中覆晶互连垫布局具有坐落在该晶粒边线部分之晶粒信号垫以及布置在该等信号垫之内侧之晶粒表面上之晶粒电源和接地垫，而相对应的封装基板具有与该晶粒垫布局以互补方式排列之信号垫和从远离该晶粒覆盖区之该晶粒边绿下之该等信号垫绕送之信号线。

    藉由後塌陷再熔融並再凝固凸點以接合倒裝晶片之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR FLIP CHIP ATTACHMENT BY POST-COLLAPSE RE-MELT AND RE-SOLIDIFICATION OF BUMPS
    10.
    发明专利
    藉由後塌陷再熔融並再凝固凸點以接合倒裝晶片之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR FLIP CHIP ATTACHMENT BY POST-COLLAPSE RE-MELT AND RE-SOLIDIFICATION OF BUMPS 审中-公开
    借由后塌陷再熔融并再凝固凸点以接合倒装芯片之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR FLIP CHIP ATTACHMENT BY POST-COLLAPSE RE-MELT AND RE-SOLIDIFICATION OF BUMPS

    公开(公告)号：TW200514642A

    公开(公告)日：2005-05-01

    申请号：TW093119939

    申请日：2004-07-01

    申请人： 恰巴克有限公司 CHIPPAC, INC.

    发明人： 雷俊德D 潘迪司 PENDSE, RAJENDRA D.

    IPC分类号： B23K ,  H05K

    CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3494 ,  H05K2203/1476 ,  Y02P70/613

    摘要： 一種焊錫凸點軟熔方法，包括將對準之晶粒基板組合體的溫度升高至高於熔融溫度(或共熔溫度)之溫度，維持充足時間以造成第一次軟熔；使該組合體的溫度降到低於熔融溫度(或共熔溫度)，達到第一次冷卻溫度，並維持充足時間以再凝固該焊錫；將該晶粒基板組合體之溫度第二次提高到高於該熔融溫度(或共熔溫度)之溫度，並維持充足時間以造成第二次軟熔；第二次使該組合體的溫度降到低於該熔融溫度(或共熔溫度)，達到第二次冷卻溫度及最後降到室溫；其中至少該第一次與第二次熔融與第一次再凝固作用係在該組合體不曝露於氧化氣氛之下進行。此外，用以進行該方法之裝置包括一個多區爐，其具有一個進料口與出料口及具有一或多個區之第一區域，於該第一區域中進行第一次熔融作用；具有一或多個區之第二區域，於該第二區域中進行第一次再凝固作用；以及第三區域，於該第三區域中進行第二次熔融作用；於該裝置進一步包括一個用以將晶粒基板組合體自該進料口輸送通過該第一、第二與第三區域，送到出料口之輸送帶。

    简体摘要： 一种焊锡凸点软熔方法，包括将对准之晶粒基板组合体的温度升高至高于熔融温度(或共熔温度)之温度，维持充足时间以造成第一次软熔；使该组合体的温度降到低于熔融温度(或共熔温度)，达到第一次冷却温度，并维持充足时间以再凝固该焊锡；将该晶粒基板组合体之温度第二次提高到高于该熔融温度(或共熔温度)之温度，并维持充足时间以造成第二次软熔；第二次使该组合体的温度降到低于该熔融温度(或共熔温度)，达到第二次冷却温度及最后降到室温；其中至少该第一次与第二次熔融与第一次再凝固作用系在该组合体不曝露于氧化气氛之下进行。此外，用以进行该方法之设备包括一个多区炉，其具有一个进料口与出料口及具有一或多个区之第一区域，于该第一区域中进行第一次熔融作用；具有一或多个区之第二区域，于该第二区域中进行第一次再凝固作用；以及第三区域，于该第三区域中进行第二次熔融作用；于该设备进一步包括一个用以将晶粒基板组合体自该进料口输送通过该第一、第二与第三区域，送到出料口之输送带。