公开(公告)号：TWI515811B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102102788

申请日：2013-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 魏程昶 ,  WEI, CHENG CHANG ,  楊素純 ,  YANG, SU CHUN ,  陳筱芸 ,  CHEN, HSIAO YUN ,  董志航 ,  TUNG, CHIH-HANG ,  史達元 ,  SHIH, DA YUAN ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K13/0465 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8193 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：TWI699858B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：TW108113761

申请日：2019-04-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING-HUA ,  董 志航 ,  TUNG, CHIH-HANG ,  邵棟樑 ,  SHAO, TUNG-LIANG ,  黃英叡 ,  HUANG, YING-JUI ,  黃見翎 ,  HWANG, CHIEN-LING ,  楊素純 ,  YANG, SU-CHUN ,  蕭義理 ,  HSIAO, YI-LI

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

公开(公告)号：TW201336005A

公开(公告)日：2013-09-01

申请号：TW102102788

申请日：2013-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 魏程昶 ,  WEI, CHENG CHANG ,  楊素純 ,  YANG, SU CHUN ,  陳筱芸 ,  CHEN, HSIAO YUN ,  董志航 ,  TUNG, CHIH-HANG ,  史達元 ,  SHIH, DA YUAN ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K13/0465 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8193 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本發明提供一種拉伸焊料凸塊的方法，包括加熱一焊料凸塊至高於焊料凸塊的熔點；拉伸焊料凸塊以增加焊料凸塊的高度；以及降低焊料凸塊的溫度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种拉伸焊料凸块的方法，包括加热一焊料凸块至高于焊料凸块的熔点；拉伸焊料凸块以增加焊料凸块的高度；以及降低焊料凸块的温度。

公开(公告)号：TW201740470A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW105140134

申请日：2016-12-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 董 志航 ,  TUNG, CHIH-HANG ,  楊素純 ,  YANG, SU-CHUN ,  邵棟樑 ,  SHAO, TUNG-LIANG ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/83054 ,  H01L2224/83085 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513

Abstract: 一種用於製造堆疊半導體裝置之代表性系統及方法包含在接合之前將一水性鹼溶液放置於一第一半導體裝置與一第二半導體裝置之間。在一代表性實施方案中，第一半導體裝置及第二半導體裝置可彼此混合接合，其中該第一半導體裝置之介電構件接合至該第二半導體裝置之介電構件，且該第一半導體裝置之金屬構件接合至該第二半導體裝置之金屬構件。如此形成之浸潤接合證實與接合缺陷相關聯之一實質上較低脫層發生率。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于制造堆栈半导体设备之代表性系统及方法包含在接合之前将一水性碱溶液放置于一第一半导体设备与一第二半导体设备之间。在一代表性实施方案中，第一半导体设备及第二半导体设备可彼此混合接合，其中该第一半导体设备之介电构件接合至该第二半导体设备之介电构件，且该第一半导体设备之金属构件接合至该第二半导体设备之金属构件。如此形成之浸润接合证实与接合缺陷相关联之一实质上较低脱层发生率。