公开(公告)号：TW201740520A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW105139141

申请日：2016-11-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 侯皓程 ,  HOU, HAO-CHENG ,  鄭榮偉 ,  CHENG, JUNG WEI ,  王宗鼎 ,  WANG, TSUNG-DING ,  劉名哲 ,  LIU, MING-CHE

IPC分类号： H01L23/31

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/20647 ,  H01L2924/20648 ,  H01L2924/20649

摘要： 一種半導體裝置包含：一半導體基板；一導電墊，其位於該半導體基板上；及一導體，其位於該導電墊上方。該半導體裝置進一步具有環繞該半導體基板、該導電墊及該導體之一模塑料。在該半導體裝置中，該導體具有一短釘形狀。

简体摘要： 一种半导体设备包含：一半导体基板；一导电垫，其位于该半导体基板上；及一导体，其位于该导电垫上方。该半导体设备进一步具有环绕该半导体基板、该导电垫及该导体之一模塑料。在该半导体设备中，该导体具有一短钉形状。

公开(公告)号：TW201803054A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW105129231

申请日：2016-09-09

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 侯皓程 ,  HOU, HAO-CHENG ,  李建勳 ,  LEE, CHIEN-HSUN ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG-SHI ,  鄭榮偉 ,  CHENG, JUNG-WEI ,  黃炳剛 ,  HUANG, PING-KANG ,  邱紹玲 ,  CHIU, SAO-LING ,  王宗鼎 ,  WANG, TSUNG-DING

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19102

摘要： 一種整合扇出型封裝，其包括晶片模組、第二積體電路、第二絕緣包封體以及重配置線路結構。晶片模組包括第一絕緣包封體以及嵌於第一絕緣包封體中的至少一第一積體電路，第一積體電路包括第一表面以及分佈於第一表面上的多個第一導電端子。第二積體電路包括第二表面以及分佈於第二表面上的多個第二導電端子。晶片模組與第二積體電路嵌於第二絕緣包封體中。第一導電端子以及第二導電端子藉由第一絕緣包封體以及第二絕緣包封體而暴露。重配置線路結構覆蓋第一表面、第二表面、第一絕緣包封體以及第二絕緣包封體。重配置線路結構與第一導電端子以及第二導電端子電性連接。此外，整合扇出型封裝的製造方法亦被提出。

简体摘要： 一种集成扇出型封装，其包括芯片模块、第二集成电路、第二绝缘包封体以及重配置线路结构。芯片模块包括第一绝缘包封体以及嵌于第一绝缘包封体中的至少一第一集成电路，第一集成电路包括第一表面以及分布于第一表面上的多个第一导电端子。第二集成电路包括第二表面以及分布于第二表面上的多个第二导电端子。芯片模块与第二集成电路嵌于第二绝缘包封体中。第一导电端子以及第二导电端子借由第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体而暴露。重配置线路结构覆盖第一表面、第二表面、第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体。重配置线路结构与第一导电端子以及第二导电端子电性连接。此外，集成扇出型封装的制造方法亦被提出。

公开(公告)号：TW201727741A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105135007

申请日：2016-10-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 鄭榮偉 ,  CHENG, JUNG-WEI ,  陳海明 ,  CHEN, HAI-MING ,  李建勳 ,  LEE, CHIEN-HSUN ,  侯皓程 ,  HOU, HAO-CHENG ,  林鴻仁 ,  LIN, HUNG-JEN ,  莊鈞智 ,  CHUANG, CHUN-CHIH ,  劉名哲 ,  LIU, MING-CHE ,  王宗鼎 ,  WANG, TSUNG-DING

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/09 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03502 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/0812 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明實施例揭露形成連接件的方法及經封裝半導體元件。某些實施例中，連接件之形成可透過在內連結構之上形成第一層光阻以及使用用於連接件的第一部分的圖案將第一層光阻圖案化。經由經圖案化的第一光阻層來鍍覆第一金屬層，形成所述連接件的具有第一寬度的第一部分。在內連結構及連接件的第一部分之上形成第二光阻層。以用於連接件的第二部分的圖案將第二光阻層圖案化。經由經圖案化的第二光阻層來鍍覆第二金屬層，在連接件的第一部分之上形成所述連接件的第二部分。所述連接件的第二部分具有第二寬度，所述第二寬度小於所述第一寬度。

简体摘要： 本发明实施例揭露形成连接件的方法及经封装半导体组件。某些实施例中，连接件之形成可透过在内链接构之上形成第一层光阻以及使用用于连接件的第一部分的图案将第一层光阻图案化。经由经图案化的第一光阻层来镀覆第一金属层，形成所述连接件的具有第一宽度的第一部分。在内链接构及连接件的第一部分之上形成第二光阻层。以用于连接件的第二部分的图案将第二光阻层图案化。经由经图案化的第二光阻层来镀覆第二金属层，在连接件的第一部分之上形成所述连接件的第二部分。所述连接件的第二部分具有第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。

公开(公告)号：TW201535599A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW103145548

申请日：2014-12-25

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 侯皓程 ,  HOU, HAOCHENG ,  陳玉芬 ,  CHEN, YUFENG ,  鄭榮偉 ,  CHENG, JUNGWEI ,  梁裕民 ,  LIANG, YUMIN ,  王宗鼎 ,  WANG, TSUNGDING

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/17 ,  H01L21/563 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/09072 ,  H05K2201/10977 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00

摘要： 在一些實施方式中，一種半導體裝置之封裝基板包含一基板核心與置於基板核心上方之一材料層。封裝基板包含置於基板核心與材料層中之鍃孔開口。

简体摘要： 在一些实施方式中，一种半导体设备之封装基板包含一基板内核与置于基板内核上方之一材料层。封装基板包含置于基板内核与材料层中之锪孔开口。

公开(公告)号：TW201839869A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW106124715

申请日：2017-07-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 侯皓程 ,  HOU, HAO-CHENG ,  李建勳 ,  LEE, CHIEN-HSUN ,  林鴻仁 ,  LIN, HUNG-JEN ,  鄭榮偉 ,  CHENG, JUNG-WEI ,  王宗鼎 ,  WANG, TSUNG-DING

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 一種製作整合扇出型封裝的方法。所述方法包括以下步驟。在載體上安裝積體電路組件。在所述載體上形成絕緣包封體，以包封所述積體電路組件的側壁。在所述積體電路組件上形成多個導電柱，並形成介電層以覆蓋所述積體電路組件及所述絕緣包封體，其中所述多個導電柱穿透所述介電層且電連接到所述積體電路組件。在所述介電層及所述多個導電柱上形成重佈線路結構，其中所述重佈線路結構經由所述多個導電柱電連接到所述積體電路組件，且所述重佈線路結構與所述絕緣包封體藉由所述介電層間隔開。

简体摘要： 一种制作集成扇出型封装的方法。所述方法包括以下步骤。在载体上安装集成电路组件。在所述载体上形成绝缘包封体，以包封所述集成电路组件的侧壁。在所述集成电路组件上形成多个导电柱，并形成介电层以覆盖所述集成电路组件及所述绝缘包封体，其中所述多个导电柱穿透所述介电层且电连接到所述集成电路组件。在所述介电层及所述多个导电柱上形成重布线路结构，其中所述重布线路结构经由所述多个导电柱电连接到所述集成电路组件，且所述重布线路结构与所述绝缘包封体借由所述介电层间隔开。