公开(公告)号：TWI549296B

公开(公告)日：2016-09-11

申请号：TW103125147

申请日：2014-07-22

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 西森理人 ,  NISHIMORI, MASATO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/432 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

公开(公告)号：TWI533452B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：TW102124138

申请日：2013-07-05

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 牧山剛三 ,  MAKIYAMA, KOZO ,  岡本直哉 ,  OKAMOTO, NAOYA ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28581 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/76879 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/335 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/1475

公开(公告)号：TW201349491A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102109436

申请日：2013-03-18

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種AlGaN/GaN HEMT包含化合物半導體堆疊結構；在化合物半導體堆疊結構上劃分元件區的元件隔離結構；在元件區上形成而不在元件隔離結構上形成的第一絕緣膜；至少在元件隔離結構上形成並且含氫量高於第一絕緣膜的第二絕緣膜；以及穿過(via)第二絕緣膜在化合物半導體堆疊結構之元件區上形成的閘極電極。

简体摘要： 一种AlGaN/GaN HEMT包含化合物半导体堆栈结构；在化合物半导体堆栈结构上划分组件区的组件隔离结构；在组件区上形成而不在组件隔离结构上形成的第一绝缘膜；至少在组件隔离结构上形成并且含氢量高于第一绝缘膜的第二绝缘膜；以及穿过(via)第二绝缘膜在化合物半导体堆栈结构之组件区上形成的闸极电极。

公开(公告)号：TW201320342A

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：TW101134487

申请日：2012-09-20

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 西森理人 ,  NISHIMORI, MASATO ,  多木俊裕 ,  OHKI, TOSHIHIRO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/189 ,  H03F3/245

摘要： 一種化合物半導體裝置包括：一第一化合物半導體層，載體是形成在該第一化合物半導體層內；一設置在該第一化合物半導體層之上俾可供應該等載體的第二化合物半導體層；及一設置在該第二化合物半導體層之上的第三化合物半導體層，其中，該第三化合物半導體層包括一個具有一比該第二化合物半導體層之載體濃度高之載體濃度的區域。

简体摘要： 一种化合物半导体设备包括：一第一化合物半导体层，载体是形成在该第一化合物半导体层内；一设置在该第一化合物半导体层之上俾可供应该等载体的第二化合物半导体层；及一设置在该第二化合物半导体层之上的第三化合物半导体层，其中，该第三化合物半导体层包括一个具有一比该第二化合物半导体层之载体浓度高之载体浓度的区域。

公开(公告)号：TW201246541A

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：TW100149135

申请日：2011-12-28

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 今田忠紘 ,  吉川俊英

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/181 ,  H03F1/3247 ,  H03F1/523 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 形成一種閘極電極，以便嵌入電極材料於已經由閘極絕緣膜形成在堆疊化合物半導體結構之電極凹槽，且亦形成一種以肖特基接觸該堆疊化合物半導體結構之場板電極，其係藉由嵌入電極材料於電極凹槽中而形成，該電極凹槽已在該堆疊化合物半導體結構中形成，使得該場板電極至少在該電極凹槽之底面直接接觸該堆疊化合物半導體結構。

简体摘要： 形成一种闸极电极，以便嵌入电极材料于已经由闸极绝缘膜形成在堆栈化合物半导体结构之电极凹槽，且亦形成一种以肖特基接触该堆栈化合物半导体结构之场板电极，其系借由嵌入电极材料于电极凹槽中而形成，该电极凹槽已在该堆栈化合物半导体结构中形成，使得该场板电极至少在该电极凹槽之底面直接接触该堆栈化合物半导体结构。

公开(公告)号：TWI488302B

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：TW101133139

申请日：2012-09-11

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 牧山剛三 ,  MAKIYAMA, KOZO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/126 ,  Y02B70/1475

公开(公告)号：TWI487036B

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW100147080

申请日：2011-12-19

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 美濃浦優一 ,  MINOURA, YUICHI ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE ,  多木俊裕 ,  OHKI, TOSHIHIRO

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

公开(公告)号：TWI466291B

公开(公告)日：2014-12-21

申请号：TW100140907

申请日：2011-11-09

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 遠藤浩 ,  ENDO, HIROSHI ,  多木俊裕 ,  OHKI, TOSHIHIRO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7839 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257

公开(公告)号：TWI452696B

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：TW100149135

申请日：2011-12-28

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 今田忠紘 ,  IMADA, TADAHIRO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/181 ,  H03F1/3247 ,  H03F1/523 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI437706B

公开(公告)日：2014-05-11

申请号：TW100134574

申请日：2011-09-26

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 今西健治 ,  IMANISHI, KENJI ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/201 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787