公开(公告)号：TWI664733B

公开(公告)日：2019-07-01

申请号：TW104137344

申请日：2015-11-12

申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W. ,  葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN

IPC分类号： H01L29/78

公开(公告)号：TWI697053B

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW105114728

申请日：2016-05-12

申请人： 美商英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN ,  凱 派翠克 ,  KEYS, PATRICK H. ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W. ,  梅安卓 里沙 ,  MEHANDRU, RISHABH ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  強普納森 卡希克 ,  JAMBUNATHAN, KARTHIK

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI544624B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW103132259

申请日：2014-09-18

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  高爾 尼堤 ,  GOEL, NITI ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W. ,  賽亞 史蒂芬 ,  CEA, STEPHEN ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7851

公开(公告)号：TW201611289A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104126248

申请日：2012-12-10

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD HAL W.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/1083 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 揭示具有設有下方擴散障壁層的鍺主動層之半導體裝置。舉例而言，半導體裝置包含配置在基底上方的閘極電極堆疊。鍺主動層配置在位於閘極電極堆疊下方的基底上方。擴散障壁層配置在位於鍺主動層下方的基底上方。接面洩漏抑制層配置在位於擴散障壁層下方的基底上方。源極和汲極區配置在閘極電極堆疊的任一側上之接面洩漏抑制層上方。

简体摘要： 揭示具有设有下方扩散障壁层的锗主动层之半导体设备。举例而言，半导体设备包含配置在基底上方的闸极电极堆栈。锗主动层配置在位于闸极电极堆栈下方的基底上方。扩散障壁层配置在位于锗主动层下方的基底上方。接面泄漏抑制层配置在位于扩散障壁层下方的基底上方。源极和汲极区配置在闸极电极堆栈的任一侧上之接面泄漏抑制层上方。

公开(公告)号：TWI506787B

公开(公告)日：2015-11-01

申请号：TW101146397

申请日：2012-12-10

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD HAL W.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/1083 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI565055B

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW104105368

申请日：2015-02-16

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W.

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684

公开(公告)号：TW201635521A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104138809

申请日：2015-11-23

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W. ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/772 ,  H01L21/18 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/182 ,  H01L21/185

摘要： 本發明敘述半導體裝置，其包含包括第一III-V族化合物半導體的子鰭及包括第二III-V族化合物半導體的通道。在某些實施例中，該等半導體裝置包含基板，基板包括由至少兩個溝渠側壁所界定的溝渠，其中第一III-V族化合物半導體係沉積在溝渠內的基板上，以及第二III-V族化合物半導體係磊晶成長於第一III-V族化合物半導體上。在某些實施例中，第一III-V族化合物半導體與第二III-V族化合物半導體之間的導電能帶偏差係大於或等於大約0.3電子伏特。本發明亦敘述該等半導體裝置之製作方法及包含該等半導體裝置的計算裝置。

简体摘要： 本发明叙述半导体设备，其包含包括第一III-V族化合物半导体的子鳍及包括第二III-V族化合物半导体的信道。在某些实施例中，该等半导体设备包含基板，基板包括由至少两个沟渠侧壁所界定的沟渠，其中第一III-V族化合物半导体系沉积在沟渠内的基板上，以及第二III-V族化合物半导体系磊晶成长于第一III-V族化合物半导体上。在某些实施例中，第一III-V族化合物半导体与第二III-V族化合物半导体之间的导电能带偏差系大于或等于大约0.3电子伏特。本发明亦叙述该等半导体设备之制作方法及包含该等半导体设备的计算设备。

公开(公告)号：TW201603268A

公开(公告)日：2016-01-16

申请号：TW104105368

申请日：2015-02-16

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W.

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684

摘要： 實施例包含一種裝置，裝置包括：第一磊晶層，耦合至基底，具有第一晶格常數；第二磊晶層，在第一層上，具有第二晶格常數；第三磊晶層，接觸第二層的上表面，具有不等於第二晶格常數之第三晶格常數；以及，磊晶裝置層，在該第三層上，包含通道區；其中，(a)第一層鬆弛以及包含缺陷，(b)第二層是壓縮應變及第三層是拉伸應變，以及(c)第一、第二、第三及裝置層都包含在溝槽中。此處說明其它實施例。

简体摘要： 实施例包含一种设备，设备包括：第一磊晶层，耦合至基底，具有第一晶格常数；第二磊晶层，在第一层上，具有第二晶格常数；第三磊晶层，接触第二层的上表面，具有不等于第二晶格常数之第三晶格常数；以及，磊晶设备层，在该第三层上，包含信道区；其中，(a)第一层松弛以及包含缺陷，(b)第二层是压缩应变及第三层是拉伸应变，以及(c)第一、第二、第三及设备层都包含在沟槽中。此处说明其它实施例。

公开(公告)号：TW201601319A

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW104117440

申请日：2012-12-04

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 雷 凡 ,  LE, VAN H. ,  朱功 班傑明 ,  CHU-KUNG, BENJAMIN ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD HAL W. ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/0673 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/283 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

摘要： 提供具有通道區的電晶體結構，通道區包括交錯的壓縮及伸展應變磊晶材料層。交錯的磊晶層形成單一及多閘極電晶體結構中的通道區。在替代實施例中，二交錯層中之一被選擇性地蝕刻而由餘留材料形成奈米條紋或奈米佈線。造成的應變奈米條紋或奈米佈線形成電晶體結構的通道區。也提供包括電晶體的計算裝置，所述電晶體包括通道區，所述通道區包括交錯的壓縮及伸展應變磊晶材料層，以及，提供包括電晶體的計算裝置，所述電晶體包括包含應變奈米條紋或奈米佈線的通道區。

简体摘要： 提供具有信道区的晶体管结构，信道区包括交错的压缩及伸展应变磊晶材料层。交错的磊晶层形成单一及多闸极晶体管结构中的信道区。在替代实施例中，二交错层中之一被选择性地蚀刻而由余留材料形成奈米条纹或奈米布线。造成的应变奈米条纹或奈米布线形成晶体管结构的信道区。也提供包括晶体管的计算设备，所述晶体管包括信道区，所述信道区包括交错的压缩及伸展应变磊晶材料层，以及，提供包括晶体管的计算设备，所述晶体管包括包含应变奈米条纹或奈米布线的信道区。

公开(公告)号：TW201724508A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105126110

申请日：2016-08-16

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  肯拿 哈洛德 ,  KENNEL, HAROLD W. ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  穆爾蒂 阿南德 ,  MURTHY, ANAND S. ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02639

摘要： 諸如電晶體之III-V複合物半導體裝置，可形成於配置於矽基板上之III-V半導體材料之作用區中。III-V半導體材料之反摻雜部提供擴散障壁，阻滯矽從基板擴散進入III-V半導體材料，其中矽做為III-V材料中電活性兩性污染。在若干實施例中，反摻雜物(例如受體雜質)於子鰭結構之基部磊晶生長期間原位導入。基於限制於子鰭結構基部之反摻雜區，反摻雜物原子熱擴散進入III-V電晶體之作用區的風險得以減輕。

简体摘要： 诸如晶体管之III-V复合物半导体设备，可形成于配置于硅基板上之III-V半导体材料之作用区中。III-V半导体材料之反掺杂部提供扩散障壁，阻滞硅从基板扩散进入III-V半导体材料，其中硅做为III-V材料中电活性两性污染。在若干实施例中，反掺杂物(例如受体杂质)于子鳍结构之基部磊晶生长期间原位导入。基于限制于子鳍结构基部之反掺杂区，反掺杂物原子热扩散进入III-V晶体管之作用区的风险得以减轻。