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    Data writing with plasmon resonator
    5.
    发明申请
    Data writing with plasmon resonator 有权
    用等离子体共振器进行数据写入

    公开(公告)号：US20050289577A1

    公开(公告)日：2005-12-29

    申请号：US10879447

    申请日：2004-06-29

    申请人： Michael Seigler ,  Thomas Clinton ,  Mark Covington ,  Christophe Mihalcea

    发明人： Michael Seigler ,  Thomas Clinton ,  Mark Covington ,  Christophe Mihalcea

    IPC分类号： G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/127 ,  G11B11/00 ,  G11B17/00

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B5/127 ,  G11B7/1387 ,  G11B11/10534 ,  G11B11/10554 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0021

    摘要： A data writing system includes an array of cells for storing data and a write transducer that moves over a selected cell in the array of cells. The write transducer includes a writer producing a write magnetic field that intersects the selected cell. The write transducer also includes a plasmon resonator that is adjacent the writer. The plasmon resonator is shaped to receive lower power density radiation and to provide plasmon radiation at a higher power density to an optical spot intersecting with the selected cell. The plasmon radiation heats the selected cell above a write temperature.

    摘要翻译： 数据写入系统包括用于存储数据的单元阵列和在单元阵列中的选定单元上移动的写换能器。 写入传感器包括写入器，其产生与所选择的单元相交的写入磁场。 写入传感器还包括与写入器相邻的等离子体激元谐振器。 等离子体激元谐振器被成形为接收较低的功率密度辐射并且以更高的功率密度提供与所选择的单元相交的光点的等离子体激元辐射。 等离子体激元辐射将选定的电池加热到写入温度以上。

    Aperture in a semiconductor material, and the production and use thereof
    7.
    发明授权
    Aperture in a semiconductor material, and the production and use thereof 有权
    半导体材料中的孔，以及其生产和使用

    公开(公告)号：US06794296B1

    公开(公告)日：2004-09-21

    申请号：US09786966

    申请日：2001-04-10

    申请人： Rainer Kassing ,  Christophe Mihalcea ,  Egbert Oesterschulze

    发明人： Rainer Kassing ,  Christophe Mihalcea ,  Egbert Oesterschulze

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： B81C1/00087 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0361 ,  B81C2201/0132 ,  G01Q60/06 ,  G01Q60/22 ,  G01Q60/38 ,  G02B27/58 ,  H01J9/02 ,  H01J37/09

    摘要： The invention relates to a method for producing an aperture (10) in a semiconductor material (12) comprising the following steps: Preparing a semiconductor wafer (14), for example, a (100)-oriented silicon wafer having an upper surface (16) and a lower surface (18); producing a cavity (20) with a side wall (22) in the upper surface (16) of the semiconductor wafer (14) by partially etching said upper surface (16), whereby the cavity (20) comprises a closed bottom area (24) which faces the lower surface (18) and which preferably has, in particular, a convex or, in particular, a concave corner or edge or a curvature of this type. After depositing an oxide layer (26) on the semiconductor material (12) at least in the area of the cavity (20) by oxidizing the semiconductor material (12), whereby the oxide layer (26) preferably comprises an inhomogeneity (28) in the bottom area (24), the semiconductor material (14) is selectively etched back on the lower surface (18) of the semiconductor wafer (14) until at least the oxide layer (26) located in the bottom area (24) is exposed. Afterwards, the exposed oxide layer (26) is etched until it is at least severed. In addition, the invention relates to an aperture (10) in a semiconductor material (12) especially produced according to the inventive method, and to different uses of such an aperture (10).

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于在半导体材料（12）中制造孔（10）的方法，包括以下步骤：准备半导体晶片（14），例如具有上表面（16）的（100）取向的硅晶片 ）和下表面（18）; 通过部分地蚀刻所述上表面（16），在半导体晶片（14）的上表面（16）中产生具有侧壁（22）的空腔（20），由此空腔（20）包括封闭的底部区域 ），其特别优选地具有凸形或特别是这种类型的凹角或边缘或曲率。 在通过氧化半导体材料（12）至少在空腔（20）的区域中在半导体材料（12）上沉积氧化物层（26）之后，氧化物层（26）优选地包含不均匀性（28） 底部区域（24），半导体材料（14）被选择性地回蚀在半导体晶片（14）的下表面（18）上，直到至少位于底部区域（24）中的氧化物层（26）被暴露 。 之后，暴露的氧化物层（26）被蚀刻直至至少被切断。 另外，本发明涉及一种特别根据本发明方法制造的半导体材料（12）中的孔（10）以及这种孔（10）的不同用途。