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    Nonvolatile memory device using variable resistive element
    2.
    发明授权
    Nonvolatile memory device using variable resistive element 有权
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08502184B2

    公开(公告)日：2013-08-06

    申请号：US13103013

    申请日：2011-05-06

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1226

    摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same are provided. The nonvolatile memory device includes a conductive pillar that extends from a substrate in a first direction, a variable resistor that surrounds the conductive pillar, a switching material layer that surrounds the variable resistor, a first conductive layer that extends in a second direction, and a first electrode that extends in a third direction and contacts the first conductive layer and the switching material layer. Not one of the first, second, and third directions is parallel to another one of the first, second, and third directions.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括从第一方向从衬底延伸的导电柱，围绕导电柱的可变电阻器，围绕可变电阻器的开关材料层，沿第二方向延伸的第一导电层，以及 第一电极，其在第三方向上延伸并接触第一导电层和开关材料层。 第一，第二和第三方向中没有一个平行于第一，第二和第三方向的另一个。

    Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices
    6.
    发明授权
    Phase-change material layers, methods of forming the same, phase-change memory devices having the same, and methods of forming phase-change memory devices 失效
    相变材料层，其形成方法，具有该相变材料层的相变存储器件，以及形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US07807497B2

    公开(公告)日：2010-10-05

    申请号：US11826048

    申请日：2007-07-12

    申请人： Jin-II Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Young-Lim Park ,  Hye-Young Park

    发明人： Jin-II Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Young-Lim Park ,  Hye-Young Park

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/305 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： Example embodiments may provide phase-change material layers and a method of forming a phase-change material layer and devices using the same by generating a plasma including helium and/or argon in a reaction chamber, forming a first material layer on the object by introducing a first source gas including a first material, forming a first composite material layer on the object by introducing a second source gas including a second material into the reaction chamber, forming a third material layer on the first composite material layer by introducing a third source gas including a third material, and forming a second composite material layer on the first composite material layer by introducing a fourth source gas including a fourth material. Example embodiment phase-change material layers including carbon may be more easily and/or quickly formed at lower temperatures under the helium/argon plasma environment by providing the source gases for various feeding times. Example embodiments may also include memory devices using phase-change memory layers.

    摘要翻译： 示例性实施例可以提供相变材料层以及通过在反应室中产生包括氦和/或氩的等离子体来形成相变材料层的方法和使用该相变材料层的装置，通过引入在物体上形成第一材料层 包括第一材料的第一源气体，通过将包括第二材料的第二源气体引入反应室，在物体上形成第一复合材料层，通过引入第三源气体在第一复合材料层上形成第三材料层 包括第三材料，并且通过引入包括第四材料的第四源气体，在所述第一复合材料层上形成第二复合材料层。 示例性实施例包括碳的相变材料层可以在较低温度下在氦/氩等离子体环境下更容易地和/或快速地形成，方法是提供用于各种进料时间的源气体。 示例性实施例还可以包括使用相变存储器层的存储器件。

    Functional shoe
    8.
    发明授权
    Functional shoe 有权
    功能鞋

    公开(公告)号：US07487606B2

    公开(公告)日：2009-02-10

    申请号：US11403168

    申请日：2006-04-12

    申请人： Sung Jin Koo ,  Sung Lae Cho ,  Jin Bok Moon

    发明人： Sung Jin Koo ,  Sung Lae Cho ,  Jin Bok Moon

    IPC分类号： A61F5/14

    CPC分类号： A43B7/146 ,  A43B1/0054 ,  A43B3/0005 ,  A43B7/00 ,  A61H39/002 ,  A61H39/04 ,  A61H2205/125

    摘要： Disclosed herein is a functional shoe, capable of applying micro current to the sole. The shoe includes a micro-current generating part, an acupressure part, and a conduction part. The micro-current generating part is inserted in a side of the shoe, thus generating predetermined micro current and voltage. The acupressure part is made of a conductive material, and is provided on a portion where nerve points of a sole connected to organs in a body are located, thus simultaneously performing physical acupressure action and conduction of micro current. The conduction part is connected between the micro-current generating part and the acupressure part, thus transmitting the generated micro current and voltage to the acupressure part. Thereby, the functional shoe simultaneously performs physical acupressure action on specific nerve points of the sole, and transmits micro current to the nerve points using external force applied when walking.

    摘要翻译： 本文公开了一种能够将微电流施加到鞋底的功能鞋。 鞋包括微电流产生部分，指压部分和导电部分。 微电流产生部分插入到鞋的侧面，从而产生预定的微电流和电压。 指压部分由导电材料制成，并且设置在与身体中的器官相连的鞋底的神经点位于的部分上，从而同时进行物理性指压作用和微电流的传导。 导电部分连接在微电流产生部分和指压部分之间，从而将产生的微电流和电压传输到指压部分。 因此，功能靴同时对鞋底的特定神经点进行物理指压作用，并且使用在行走时施加的外力将微电流传递到神经点。