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    Nonvolatile memory device using variable resistive element
    1.
    发明授权
    Nonvolatile memory device using variable resistive element 有权
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08502184B2

    公开(公告)日：2013-08-06

    申请号：US13103013

    申请日：2011-05-06

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1226

    摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same are provided. The nonvolatile memory device includes a conductive pillar that extends from a substrate in a first direction, a variable resistor that surrounds the conductive pillar, a switching material layer that surrounds the variable resistor, a first conductive layer that extends in a second direction, and a first electrode that extends in a third direction and contacts the first conductive layer and the switching material layer. Not one of the first, second, and third directions is parallel to another one of the first, second, and third directions.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括从第一方向从衬底延伸的导电柱，围绕导电柱的可变电阻器，围绕可变电阻器的开关材料层，沿第二方向延伸的第一导电层，以及 第一电极，其在第三方向上延伸并接触第一导电层和开关材料层。 第一，第二和第三方向中没有一个平行于第一，第二和第三方向的另一个。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING VARIABLE RESISTIVE ELEMENT
    3.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING VARIABLE RESISTIVE ELEMENT 有权
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110272663A1

    公开(公告)日：2011-11-10

    申请号：US13103013

    申请日：2011-05-06

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1226

    摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same are provided. The nonvolatile memory device includes a conductive pillar that extends from a substrate in a first direction, a variable resistor that surrounds the conductive pillar, a switching material layer that surrounds the variable resistor, a first conductive layer that extends in a second direction, and a first electrode that extends in a third direction and contacts the first conductive layer and the switching material layer. Not one of the first, second, and third directions is parallel to another one of the first, second, and third directions.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括从第一方向从衬底延伸的导电柱，围绕导电柱的可变电阻器，围绕可变电阻器的开关材料层，沿第二方向延伸的第一导电层，以及 第一电极，其在第三方向上延伸并接触第一导电层和开关材料层。 第一，第二和第三方向中没有一个平行于第一，第二和第三方向的另一个。

    Memory cells including resistance variable material patterns of different compositions
    5.
    发明授权
    Memory cells including resistance variable material patterns of different compositions 有权
    记忆单元包括不同组成的电阻变化材料图案

    公开(公告)号：US08625325B2

    公开(公告)日：2014-01-07

    申请号：US12853329

    申请日：2010-08-10

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Ik-Soo Kim ,  Hee-Ju Shin ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Ik-Soo Kim ,  Hee-Ju Shin ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： G11C11/56

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101

    摘要： A non-volatile memory device includes a plurality of word lines, a plurality of bit lines, and an array of variable resistance memory cells each electrically connected between a respective word line and a respective bit line. Each of the memory cells includes first and second resistance variable patterns electrically connected in series between first and second electrodes. A material composition of the first resistance variable pattern is different than a material composition of the second resistance variable pattern. Multi-bit data states of each memory cell are defined by a contiguous increase in size of a programmable high-resistance volume within the first and second resistance variable patterns.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括多个字线，多个位线，以及每个电连接在相应字线和相应位线之间的可变电阻存储单元阵列。 每个存储单元包括在第一和第二电极之间串联电连接的第一和第二电阻可变图案。 第一电阻可变图案的材料组成不同于第二电阻变化图案的材料组成。 每个存储器单元的多位数据状态由第一和第二电阻变化模式内的可编程高电阻体积的连续增加来定义。

    MEMORY CELLS INCLUDING RESISTANCE VARIABLE MATERIAL PATTERNS OF DIFFERENT COMPOSITIONS
    6.
    发明申请
    MEMORY CELLS INCLUDING RESISTANCE VARIABLE MATERIAL PATTERNS OF DIFFERENT COMPOSITIONS 有权
    包含不同成分的电阻变化材料的记忆细胞

    公开(公告)号：US20110032753A1

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：US12853329

    申请日：2010-08-10

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Ik-Soo Kim ,  Hee-Ju Shin ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Ik-Soo Kim ,  Hee-Ju Shin ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101

    摘要： A non-volatile memory device includes a plurality of word lines, a plurality of bit lines, and an array of variable resistance memory cells each electrically connected between a respective word line and a respective bit line. Each of the memory cells includes first and second resistance variable patterns electrically connected in series between first and second electrodes. A material composition of the first resistance variable pattern is different than a material composition of the second resistance variable pattern. Multi-bit data states of each memory cell are defined by a contiguous increase in size of a programmable high-resistance volume within the first and second resistance variable patterns.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括多个字线，多个位线，以及每个电连接在相应字线和相应位线之间的可变电阻存储单元阵列。 每个存储单元包括在第一和第二电极之间串联电连接的第一和第二电阻可变图案。 第一电阻可变图案的材料组成不同于第二电阻变化图案的材料组成。 每个存储器单元的多位数据状态由第一和第二电阻变化模式内的可编程高电阻体积的连续增加来定义。

    Methods of forming a phase change memory device
    7.
    发明授权
    Methods of forming a phase change memory device 有权
    形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US08187914B2

    公开(公告)日：2012-05-29

    申请号：US12731637

    申请日：2010-03-25

    申请人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Young-Lim Park ,  Jung-Hyeon Kim

    发明人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Young-Lim Park ,  Jung-Hyeon Kim

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L45/1616 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided are methods of forming a phase change memory device. A semiconductor device having a lower electrode and an interlayer insulating layer may be prepared. The lower electrode may be surrounded by the interlayer insulating layer. Source gases, a reaction gas and a purge gas may be injected into a process chamber of a semiconductor fabrication device to form a phase change material layer on a semiconductor substrate. The source gases may be simultaneously injected into the process chamber. The phase change material layer may be in contact with the lower electrode through the interlayer insulating layer. The phase change material layer may be etched to form a phase change memory cell in the interlayer insulating layer. An upper electrode may be formed on the phase change memory cell.

    摘要翻译： 提供形成相变存储器件的方法。 可以制备具有下电极和层间绝缘层的半导体器件。 下电极可以被层间绝缘层包围。 可以将源气体，反应气体和吹扫气体注入到半导体制造装置的处理室中，以在半导体衬底上形成相变材料层。 源气体可以同时注入到处理室中。 相变材料层可以通过层间绝缘层与下电极接触。 可以蚀刻相变材料层以在层间绝缘层中形成相变存储单元。 可以在相变存储单元上形成上电极。

    Method of forming information storage pattern
    8.
    发明申请
    Method of forming information storage pattern 审中-公开
    形成信息存储模式的方法

    公开(公告)号：US20100248460A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：US12659959

    申请日：2010-03-26

    申请人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Jung-Hyeon Kim

    发明人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Jung-Hyeon Kim

    IPC分类号： H01L21/365 ,  H01L21/469 ,  H01L21/443 ,  H01L21/465

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of forming an information storage pattern, includes placing a semiconductor substrate in a process chamber, injecting first, second and third process gases into the process chamber during a first process to form a lower layer on the substrate based on a first injection time and/or a first pause time, injecting the second process gas into the process chamber during a second process, wherein the second process gas is injected into the process chamber during a first elimination time, injecting a fourth process gas together with the second and third process gases into the process chamber during a third process in accordance with a second injection time and/or a second pause time to form an upper layer on the lower layer, and injecting the second process gas into the process chamber during a fourth process, wherein the second process gas is injected into the process chamber during a second elimination.

    摘要翻译： 一种形成信息存储图案的方法，包括将半导体衬底放置在处理室中，在第一过程中将第一，第二和第三处理气体注入到处理室中，以在第一注入时间基底上形成下层;以及 /或第一暂停时间，在第二过程期间将第二处理气体注入处理室，其中第二处理气体在第一消除时间期间被注入到处理室中，与第二和第三处理一起喷射第四处理气体 根据第二喷射时间和/或第二暂停时间，在第三过程期间将气体进入处理室，以在下层形成上层，并且在第四过程期间将第二处理气体注入到处理室中，其中， 在第二次消除期间将第二工艺气体注入到处理室中。

    METHODS OF FORMING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE
    9.
    发明申请
    METHODS OF FORMING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE 有权
    形成相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20100248442A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：US12731637

    申请日：2010-03-25

    申请人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Young-Lim Park ,  Jung-Hyeon Kim

    发明人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Young-Lim Park ,  Jung-Hyeon Kim

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L45/1616 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided are methods of forming a phase change memory device. A semiconductor device having a lower electrode and an interlayer insulating layer may be prepared. The lower electrode may be surrounded by the interlayer insulating layer. Source gases, a reaction gas and a purge gas may be injected into a process chamber of a semiconductor fabrication device to form a phase change material layer on a semiconductor substrate. The source gases may be simultaneously injected into the process chamber. The phase change material layer may be in contact with the lower electrode through the interlayer insulating layer. The phase change material layer may be etched to form a phase change memory cell in the interlayer insulating layer. An upper electrode may be formed on the phase change memory cell.

    摘要翻译： 提供形成相变存储器件的方法。 可以制备具有下电极和层间绝缘层的半导体器件。 下电极可以被层间绝缘层包围。 可以将源气体，反应气体和吹扫气体注入到半导体制造装置的处理室中，以在半导体衬底上形成相变材料层。 源气体可以同时注入到处理室中。 相变材料层可以通过层间绝缘层与下电极接触。 可以蚀刻相变材料层以在层间绝缘层中形成相变存储单元。 可以在相变存储单元上形成上电极。