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    NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING VARIABLE RESISTIVE ELEMENT
    1.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING VARIABLE RESISTIVE ELEMENT 有权
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110272663A1

    公开(公告)日：2011-11-10

    申请号：US13103013

    申请日：2011-05-06

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1226

    摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same are provided. The nonvolatile memory device includes a conductive pillar that extends from a substrate in a first direction, a variable resistor that surrounds the conductive pillar, a switching material layer that surrounds the variable resistor, a first conductive layer that extends in a second direction, and a first electrode that extends in a third direction and contacts the first conductive layer and the switching material layer. Not one of the first, second, and third directions is parallel to another one of the first, second, and third directions.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括从第一方向从衬底延伸的导电柱，围绕导电柱的可变电阻器，围绕可变电阻器的开关材料层，沿第二方向延伸的第一导电层，以及 第一电极，其在第三方向上延伸并接触第一导电层和开关材料层。 第一，第二和第三方向中没有一个平行于第一，第二和第三方向的另一个。

    Memory cells including resistance variable material patterns of different compositions
    3.
    发明授权
    Memory cells including resistance variable material patterns of different compositions 有权
    记忆单元包括不同组成的电阻变化材料图案

    公开(公告)号：US08625325B2

    公开(公告)日：2014-01-07

    申请号：US12853329

    申请日：2010-08-10

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Ik-Soo Kim ,  Hee-Ju Shin ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Ik-Soo Kim ,  Hee-Ju Shin ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： G11C11/56

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101

    摘要： A non-volatile memory device includes a plurality of word lines, a plurality of bit lines, and an array of variable resistance memory cells each electrically connected between a respective word line and a respective bit line. Each of the memory cells includes first and second resistance variable patterns electrically connected in series between first and second electrodes. A material composition of the first resistance variable pattern is different than a material composition of the second resistance variable pattern. Multi-bit data states of each memory cell are defined by a contiguous increase in size of a programmable high-resistance volume within the first and second resistance variable patterns.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括多个字线，多个位线，以及每个电连接在相应字线和相应位线之间的可变电阻存储单元阵列。 每个存储单元包括在第一和第二电极之间串联电连接的第一和第二电阻可变图案。 第一电阻可变图案的材料组成不同于第二电阻变化图案的材料组成。 每个存储器单元的多位数据状态由第一和第二电阻变化模式内的可编程高电阻体积的连续增加来定义。

    MEMORY CELLS INCLUDING RESISTANCE VARIABLE MATERIAL PATTERNS OF DIFFERENT COMPOSITIONS
    4.
    发明申请
    MEMORY CELLS INCLUDING RESISTANCE VARIABLE MATERIAL PATTERNS OF DIFFERENT COMPOSITIONS 有权
    包含不同成分的电阻变化材料的记忆细胞

    公开(公告)号：US20110032753A1

    公开(公告)日：2011-02-10

    申请号：US12853329

    申请日：2010-08-10

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Ik-Soo Kim ,  Hee-Ju Shin ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Ik-Soo Kim ,  Hee-Ju Shin ,  Dong-Hyun Im ,  Sung-Lae Cho ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101

    摘要： A non-volatile memory device includes a plurality of word lines, a plurality of bit lines, and an array of variable resistance memory cells each electrically connected between a respective word line and a respective bit line. Each of the memory cells includes first and second resistance variable patterns electrically connected in series between first and second electrodes. A material composition of the first resistance variable pattern is different than a material composition of the second resistance variable pattern. Multi-bit data states of each memory cell are defined by a contiguous increase in size of a programmable high-resistance volume within the first and second resistance variable patterns.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括多个字线，多个位线，以及每个电连接在相应字线和相应位线之间的可变电阻存储单元阵列。 每个存储单元包括在第一和第二电极之间串联电连接的第一和第二电阻可变图案。 第一电阻可变图案的材料组成不同于第二电阻变化图案的材料组成。 每个存储器单元的多位数据状态由第一和第二电阻变化模式内的可编程高电阻体积的连续增加来定义。

    Nonvolatile memory device using variable resistive element
    6.
    发明授权
    Nonvolatile memory device using variable resistive element 有权
    使用可变电阻元件的非易失性存储器件

    公开(公告)号：US08502184B2

    公开(公告)日：2013-08-06

    申请号：US13103013

    申请日：2011-05-06

    申请人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    发明人： Hyeong-Geun An ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Dong-Hyun Im ,  Eun-Hee Cho

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1226

    摘要： A nonvolatile memory device and a method of fabricating the same are provided. The nonvolatile memory device includes a conductive pillar that extends from a substrate in a first direction, a variable resistor that surrounds the conductive pillar, a switching material layer that surrounds the variable resistor, a first conductive layer that extends in a second direction, and a first electrode that extends in a third direction and contacts the first conductive layer and the switching material layer. Not one of the first, second, and third directions is parallel to another one of the first, second, and third directions.

    摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括从第一方向从衬底延伸的导电柱，围绕导电柱的可变电阻器，围绕可变电阻器的开关材料层，沿第二方向延伸的第一导电层，以及 第一电极，其在第三方向上延伸并接触第一导电层和开关材料层。 第一，第二和第三方向中没有一个平行于第一，第二和第三方向的另一个。

    Methods of fabricating semiconductor device including phase change layer
    9.
    发明授权
    Methods of fabricating semiconductor device including phase change layer 有权
    制造包括相变层的半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07838326B2

    公开(公告)日：2010-11-23

    申请号：US12405408

    申请日：2009-03-17

    申请人： Jin-Il Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim ,  Dong-Hyun Im

    发明人： Jin-Il Lee ,  Sung-Lae Cho ,  Ik-Soo Kim ,  Hye-Young Park ,  Do-Hyung Kim ,  Dong-Hyun Im

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/1683 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

    摘要： Provided are methods of fabricating a semiconductor device including a phase change layer. Methods may include forming a dielectric layer on a substrate, forming an opening in the dielectric layer and depositing, on the substrate having the opening, a phase change layer that contains an element that lowers a process temperature of a thermal treatment process to a temperature that is lower than a melting point of the phase change layer. Methods may include migrating a portion of the phase change layer from outside the opening, into the opening by the thermal treatment process that includes the process temperature that is lower than the melting point of the phase change layer.

    摘要翻译： 提供制造包括相变层的半导体器件的方法。 方法可以包括在衬底上形成电介质层，在电介质层中形成开口，并在具有开口的衬底上沉积相变层，该相变层含有将热处理工艺的工艺温度降低到 低于相变层的熔点。 方法可以包括通过包括低于相变层的熔点的工艺温度的热处理工艺将一部分相变层从开口外部迁移到开口中。