公开(公告)号：US06660437B2

公开(公告)日：2003-12-09

申请号：US10158733

申请日：2002-05-30

申请人： Christoph Friedrich ,  Uwe Griesinger ,  Michael Heissmeier ,  Burkhard Ludwig ,  Molela Moukara ,  Rainer Pforr

发明人： Christoph Friedrich ,  Uwe Griesinger ,  Michael Heissmeier ,  Burkhard Ludwig ,  Molela Moukara ,  Rainer Pforr

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/30

摘要： An alternating phase mask having a branched structure containing two opaque segments is described. Two transparent surface segments are disposed on both sides of the segments or the components thereof, respectively. The surface segments are provided with phases that are displaced by 180°±&Dgr; &agr;, whereby &Dgr; &agr; a is not more than 25°. The surface segments are separated by at least one transparent surface boundary segment whose phase is situated between the phases of the adjacent surface segments.

摘要翻译： 描述具有包含两个不透明段的分支结构的交替相位掩模。 两个透明表面片分别设置在片段的两侧或其部件上。 表面段设置有被偏移180°±Δα的相位，由此Δaa不大于25°。 表面段由相位位于相邻表面段的相位之间的至少一个透明表面边界段分开。

公开(公告)号：US07354683B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US10928759

申请日：2004-08-27

申请人： Molela Moukara ,  Burkhard Ludwig ,  Jörg Thiele ,  Marco Ahrens ,  Roderick Köhle ,  Rainer Pforr ,  Nicolo Morgana

发明人： Molela Moukara ,  Burkhard Ludwig ,  Jörg Thiele ,  Marco Ahrens ,  Roderick Köhle ,  Rainer Pforr ,  Nicolo Morgana

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/30 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70466

摘要： A lithography mask has an angled structure element (O) formed by a first opaque segment (O1) and by a second opaque segment (O2). The structure element has at least one reflex angle (α). The angled structure element (O) includes at least one convex section (A) facing the reflex angle (α). At least one transparent structure (T) adjacent to the angled structure element (O) is provided at the convex section (A) of the angled structure element (O). The transparent structure (T) is formed in separated fashion at the convex section (A) of the angled structure element (O) and thus comprises two distinguishable transparent segments (T1, T2) formed at least in sections essentially axially symmetrically with respect to the angle bisector (WH) of the reflex angle.

摘要翻译： 光刻掩模具有由第一不透明部分（O 1）和第二不透明部分（O 2）形成的成角度的结构元件（O）。 结构元件具有至少一个反射角（α）。 倾斜结构元件（O）包括面向反射角（α）的至少一个凸部（A）。 与成角度的结构元件（O）相邻的至少一个透明结构（T）设置在倾斜结构元件（O）的凸部（A）处。 透明结构（T）以分开的方式形成在成角度的结构元件（O）的凸部（A）处，并且因此包括两个可区分的透明段（T 1，T 2），其至少形成在主要轴向对称的部分 到角度平分线（WH）的反射角度。

公开(公告)号：US20050095512A1

公开(公告)日：2005-05-05

申请号：US10928759

申请日：2004-08-27

申请人： Molela Moukara ,  Burkhard Ludwig ,  Jorg Thiele ,  Marco Ahrens ,  Roderick Kohle ,  Rainer Pforr ,  Nicolo Morgana

发明人： Molela Moukara ,  Burkhard Ludwig ,  Jorg Thiele ,  Marco Ahrens ,  Roderick Kohle ,  Rainer Pforr ,  Nicolo Morgana

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/30 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70466

摘要： A lithography mask has an angled structure element (O) formed by a first opaque segment (O1) and by a second opaque segment (O2). The structure element has at least one reflex angle (α). The angled structure element (O) includes at least one convex section (A) facing the reflex angle (α). At least one transparent structure (T) adjacent to the angled structure element (O) is provided at the convex section (A) of the angled structure element (O). The transparent structure (T) is formed in separated fashion at the convex section (A) of the angled structure element (O) and thus comprises two distinguishable transparent segments (T1, T2) formed at least in sections essentially axially symmetrically with respect to the angle bisector (WH) of the reflex angle.

摘要翻译： 光刻掩模具有由第一不透明部分（O 1）和第二不透明部分（O 2）形成的成角度的结构元件（O）。 结构元件具有至少一个反射角（α）。 倾斜结构元件（O）包括面向反射角（α）的至少一个凸部（A）。 与成角度的结构元件（O）相邻的至少一个透明结构（T）设置在倾斜结构元件（O）的凸部（A）处。 透明结构（T）以分开的方式形成在成角度的结构元件（O）的凸部（A）处，因此包括两个可区分的透明段（T 1，T 2），其至少形成在主要轴向对称的部分 到角度平分线（WH）的反射角度。

公开(公告)号：US06635388B1

公开(公告)日：2003-10-21

申请号：US09429837

申请日：1999-10-29

申请人： Christoph Friedrich ,  Uwe Griesinger ,  Rainer Pforr ,  Dietrich Widmann ,  Andreas Grassmann

发明人： Christoph Friedrich ,  Uwe Griesinger ,  Rainer Pforr ,  Dietrich Widmann ,  Andreas Grassmann

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/34 ,  G03F7/2022

摘要： The invention relates to a phase shift mask for lithographically producing small structures at the limit of a resolution that is predetermined by the wavelength of the exposure radiation. The phase shift mask has first regions A and second regions B that effect a phase-shift relative to the first regions. The second regions are arranged beside the first regions for producing a sudden phase shift along the boundaries between the first and the second regions. Individual first regions touch one another via corners at points, at which the second regions also touch one another via corners. The result is that the boundaries between first and second regions merge at these points and these points are opaque to the radiation. The invention makes it possible to expose extremely small contact holes with just a single exposure and thus leads to a reduction of costs in the fabrication of integrated semiconductor circuits.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于光刻产生在由曝光辐射的波长预定的分辨率极限处的小结构的相移掩模。 相移掩模具有相对于第一区域进行相移的第一区域A和第二区域B. 第二区域布置在第一区域旁边，用于沿着第一和第二区域之间的边界产生突然的相移。 单个第一区域通过角点彼此接触，在第二区域也通过拐角彼此接触。 结果是第一和第二区域之间的边界在这些点处合并，并且这些点对辐射是不透明的。 本发明使得可以仅用一次曝光来暴露极小的接触孔，从而导致集成半导体电路的制造成本的降低。

公开(公告)号：US06466373B1

公开(公告)日：2002-10-15

申请号：US09677321

申请日：2000-09-29

申请人： Rainer Pforr ,  Christoph Friedrich ,  Klaus Ergenzinger ,  Fritz Gans ,  Uwe Griesinger ,  Wilhelm Maurer ,  Jürgen Knobloch

发明人： Rainer Pforr ,  Christoph Friedrich ,  Klaus Ergenzinger ,  Fritz Gans ,  Uwe Griesinger ,  Wilhelm Maurer ,  Jürgen Knobloch

IPC分类号： G02B2700

CPC分类号： G03F1/29 ,  G03F1/32 ,  G03F1/34 ,  G03F1/70 ,  G03F7/2026 ,  G03F7/70466

摘要： For lithographically producing the smallest structures at less than the exposure wavelengths in semiconductor fabrication, a double exposure is carried out using a thick phase mask and a trimming mask, the trimming mask further structures the phase-contrast lines produced by the phase mask. Besides transparent or opaque regions, the trimming mask also has phase-shifting regions. These surround transparent regions of the trimming mask through which the phase-contrast lines produced by the first mask are locally re-exposed, that is to say interrupted. The intensity profile of successive line sections is especially rich in contrast through the addition of the phase-shifting partially transparent regions on the second mask; the distances between the line sections can be reduced. The trimming mask, otherwise used only for larger structures, is therefore suitable for the configuration of the finest dimensionally critical structures.

摘要翻译： 为了在半导体制造中以小于曝光波长的方式平版印刷产生最小结构，使用厚相位掩模和修剪掩模进行双重曝光，修整掩模进一步构成由相位掩模产生的相位对比线。 除了透明或不透明区域之外，修整掩模还具有相移区域。 这些环绕着修整掩模的透明区域，由第一掩模产生的相位对应线通过该区域被局部再暴露，也就是说被中断。 通过在第二掩模上添加相移部分透明区域，连续线段的强度分布特别丰富; 可以减少线路部分之间的距离。 因此，修剪面罩，否则仅用于较大的结构，因此适用于最精细的尺寸关键结构的构造。

公开(公告)号：US08293431B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12761876

申请日：2010-04-16

申请人： Haiko Rolff ,  Carla Byloos ,  Christoph Noelscher ,  Nicolo Morgana ,  Roderick Koehle ,  Molela Moukara ,  Ralf Neubauer ,  Rainer Pforr ,  Dominique Savignac

发明人： Haiko Rolff ,  Carla Byloos ,  Christoph Noelscher ,  Nicolo Morgana ,  Roderick Koehle ,  Molela Moukara ,  Ralf Neubauer ,  Rainer Pforr ,  Dominique Savignac

IPC分类号： G03F1/40

CPC分类号： G03F1/40 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32

摘要： A lithographic mask comprises a first layer including grooves, a second layer including regions, sections and a groove-like structure that encloses the sections. The first and second layers are formed so as to reduce electrical potential differences within the second layer. A method of forming a lithographic mask includes forming first and second layers to dispose the second layer over the first layer, patterning the second layer to comprise sections, a region, and a groove-like structure enclosing the sections, and forming grooves in the first layer at portions not covered by the second layer. The first and second layers are formed to reduce potential differences within the second layers during the step of forming the grooves in the first layer.

摘要翻译： 平版印刷掩模包括包括凹槽的第一层，包含区域的第二层和包围区段的凹槽状结构。 形成第一层和第二层以便减小第二层内的电位差。 形成光刻掩模的方法包括形成第一层和第二层以将第二层设置在第一层上，将第二层图案化以包括封闭这些区段的区段，区域和沟槽状结构，以及在第一层中形成凹槽 层在未被第二层覆盖的部分。 形成第一层和第二层，以在形成第一层中的槽的步骤期间减小第二层内的电位差。

公开(公告)号：US07339652B2

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：US11339844

申请日：2006-01-26

申请人： Molela Moukara ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders ,  Mario Hennig ,  Karsten Zeiler

发明人： Molela Moukara ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders ,  Mario Hennig ,  Karsten Zeiler

IPC分类号： G03B27/54 ,  G03B27/72 ,  G03B27/42

CPC分类号： G03F7/70283 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F7/701 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70125

摘要： An improvement of the imaging quality with simultaneous transfer of line-space gratings and peripheral structures including a MUX space is achieved using a quadrupole illumination whose poles are formed in elongate fashion and whose longitudinal axes are arranged perpendicular to the orientation of the lines of the line-space grating arranged on a mask. The structure imaging of the line-space grating is improved with regard to contrast, MEEF, and process window, while the geometrical fidelity of the peripheral structure, in particular of the MUX space, is stabilized over a wide depth of field range.

摘要翻译： 通过同时传输线间隔光栅和包括MUX空间的外围结构，可以实现成像质量的提高，其使用四极照明，其极以细长形式形成，其纵轴垂直于线的线的方向排列 光栅布置在掩模上。 相对于对比度，MEEF和处理窗口，线空间光栅的结构成像得到改善，而外围结构（特别是MUX空间）的几何保真度在宽的景深范围内是稳定的。

公开(公告)号：US20100266939A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12761876

申请日：2010-04-16

申请人： Haiko Rolff ,  Carla Byloos ,  Christoph Noelscher ,  Nicolo Morgana ,  Roderick Koehle ,  Molela Moukara ,  Ralf Neubauer ,  Rainer Pforr ,  Dominique Savignac

发明人： Haiko Rolff ,  Carla Byloos ,  Christoph Noelscher ,  Nicolo Morgana ,  Roderick Koehle ,  Molela Moukara ,  Ralf Neubauer ,  Rainer Pforr ,  Dominique Savignac

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/40 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32

摘要： A lithographic mask comprises a first layer including grooves, a second layer including regions, sections and a groove-like structure that encloses the sections. The first and second layers are formed so as to reduce electrical potential differences within the second layer. A method of forming a lithographic mask includes forming first and second layers to dispose the second layer over the first layer, patterning the second layer to comprise sections, a region, and a groove-like structure enclosing the sections, and forming grooves in the first layer at portions not covered by the second layer. The first and second layers are formed to reduce potential differences within the second layers during the step of forming the grooves in the first layer.

摘要翻译： 平版印刷掩模包括包括凹槽的第一层，包含区域的第二层和包围区段的凹槽状结构。 形成第一层和第二层以便减小第二层内的电位差。 形成光刻掩模的方法包括形成第一层和第二层以将第二层设置在第一层上，将第二层图案化以包括封闭这些区段的区段，区域和沟槽状结构，以及在第一层中形成凹槽 层在未被第二层覆盖的部分。 形成第一层和第二层，以在形成第一层中的槽的步骤期间减小第二层内的电位差。

公开(公告)号：US20060181691A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11339844

申请日：2006-01-26

申请人： Molela Moukara ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders ,  Mario Hennig ,  Karsten Zeiler

发明人： Molela Moukara ,  Rainer Pforr ,  Thomas Muelders ,  Mario Hennig ,  Karsten Zeiler

IPC分类号： G03B27/54

CPC分类号： G03F7/70283 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F7/701 ,  G03F7/70108 ,  G03F7/70125

摘要： An improvement of the imaging quality with simultaneous transfer of line-space gratings and peripheral structures including a MUX space is achieved using a quadrupole illumination whose poles are formed in elongate fashion and whose longitudinal axes are arranged perpendicular to the orientation of the lines of the line-space grating arranged on a mask. The structure imaging of the line-space grating is improved with regard to contrast, MEEF, and process window, while the geometrical fidelity of the peripheral structure, in particular of the MUX space, is stabilized over a wide depth of field range.

摘要翻译： 通过同时传输线间隔光栅和包括MUX空间的外围结构，可以实现成像质量的提高，其使用四极照明，其极以细长形式形成，其纵轴垂直于线的线的方向排列 光栅布置在掩模上。 相对于对比度，MEEF和处理窗口，线空间光栅的结构成像得到改善，而外围结构（特别是MUX空间）的几何保真度在宽的景深范围内是稳定的。

公开(公告)号：US06838216B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10438370

申请日：2003-05-14

申请人： Uwe Griesinger ,  Mario Hennig ,  Jürgen Knobloch ,  Rainer Pforr ,  Manuel Vorwerk

发明人： Uwe Griesinger ,  Mario Hennig ,  Jürgen Knobloch ,  Rainer Pforr ,  Manuel Vorwerk

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F9/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/29 ,  G03F7/70433

摘要： Auxiliary openings are assigned to openings on a mask to be transferred to a wafer. These auxiliary openings have a phase-shifting property, preferably between 160° and 200° with respect to the openings, and a cross section lying below the limiting dimension for the printing of the projection apparatus, so that the auxiliary openings themselves are not printed onto the wafer. However, the auxiliary openings do enhance the contrast of the aerial image, in particular of an associated, isolated or semi-isolated opening on the wafer. The auxiliary openings may have a distance from the opening that lies above the resolution limit of the projection apparatus but that is less than the coherence length of the light used for the projection. A phase-related utilization of the optical proximity effect results, which can produce elliptical structures from square openings on the mask when the auxiliary openings are disposed in the preferential direction.