公开(公告)号：US07679145B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US10930247

申请日：2004-08-31

申请人： Jun He ,  Zhiyong Ma ,  Jose A. Maiz ,  Mark Bohr ,  Martin D. Giles ,  Guanghai Xu

发明人： Jun He ,  Zhiyong Ma ,  Jose A. Maiz ,  Mark Bohr ,  Martin D. Giles ,  Guanghai Xu

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H01L23/495 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L23/42 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A semiconductor substrate having metal oxide semiconductor (MOS) devices, such as an integrated circuit die, is mechanically coupled to a stress structure to apply a stress that improves the performance of at least a portion of the MOS devices on the die.

摘要翻译： 具有诸如集成电路管芯的金属氧化物半导体（MOS）器件的半导体衬底被机械耦合到应力结构，以施加提高模具上的至少一部分MOS器件的性能的应力。

公开(公告)号：US20060043579A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10930247

申请日：2004-08-31

申请人： Jun He ,  Zhiyong Ma ,  Jose Maiz ,  Mark Bohr ,  Martin Giles ,  Guanghai Xu

发明人： Jun He ,  Zhiyong Ma ,  Jose Maiz ,  Mark Bohr ,  Martin Giles ,  Guanghai Xu

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L23/42 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A semiconductor substrate having metal oxide semiconductor (MOS) devices, such as an integrated circuit die, is mechanically coupled to a stress structure to apply a stress that improves the performance of at least a portion of the MOS devices on the die.

摘要翻译： 具有诸如集成电路管芯的金属氧化物半导体（MOS）器件的半导体衬底被机械耦合到应力结构，以施加提高模具上的至少一部分MOS器件的性能的应力。

公开(公告)号：US08368171B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US11605119

申请日：2006-11-27

申请人： Jose A. Maiz ,  Jun He ,  Mark Bohr

发明人： Jose A. Maiz ,  Jun He ,  Mark Bohr

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a metallic fuse structure by forming at least one via on a first interconnect structure, lining the at least one via with a barrier layer, and then forming a second interconnect structure on the at least one via.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过在第一互连结构上形成至少一个通孔来形成金属熔丝结构，将所述至少一个通孔与阻挡层衬里，然后在所述至少一个通孔上形成第二互连结构。

公开(公告)号：US07662674B2

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：US11133835

申请日：2005-05-20

申请人： Jose A. Maiz ,  Jun He ,  Mark Bohr

发明人： Jose A. Maiz ,  Jun He ,  Mark Bohr

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a metallic fuse structure by forming at least one via on a first interconnect structure, lining the at least one via with a barrier layer, and then forming a second interconnect structure on the at least one via.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括通过在第一互连结构上形成至少一个通孔来形成金属熔丝结构，将所述至少一个通孔与阻挡层衬里，然后在所述至少一个通孔上形成第二互连结构。

公开(公告)号：US20140106560A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：US14132157

申请日：2013-12-18

申请人： Qing Ma ,  Jun He ,  Patrick Morrow ,  Paul B. Fischer ,  Sridhar Balakrishnan ,  Satish Radhakrishnan ,  Tatyana Tanya Andryushcheko ,  Guanghai Xu

发明人： Qing Ma ,  Jun He ,  Patrick Morrow ,  Paul B. Fischer ,  Sridhar Balakrishnan ,  Satish Radhakrishnan ,  Tatyana Tanya Andryushcheko ,  Guanghai Xu

IPC分类号： H01L23/00

CPC分类号： H01L24/19 ,  B23K1/0016 ,  H01L21/0334 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/245 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/4015 ,  H05K2201/1028 ,  H01L2924/00

摘要： The present subject matter relates to the field of fabricating microelectronic devices. In at least one embodiment, the present subject matter relates to forming an interconnect that has a portion thereof which becomes debonded from the microelectronic device during cooling after attachment to an external device. The debonded portion allows the interconnect to flex and absorb stress.

摘要翻译： 本主题涉及制造微电子器件的领域。 在至少一个实施例中，本主题涉及形成具有其部分的互连，其在附接到外部设备之后在冷却期间从微电子器件脱粘。 脱粘部分允许互连件弯曲并吸收应力。

公开(公告)号：US20110247872A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US12756748

申请日：2010-04-08

申请人： Qing Ma ,  Jun He ,  Patrick Morrow ,  Paul B. Fischer ,  Sridhar Balakrishnan ,  Satish Radhakrishnan ,  Tatyana Tanya Andryushchenko ,  Guanghai Xu

发明人： Qing Ma ,  Jun He ,  Patrick Morrow ,  Paul B. Fischer ,  Sridhar Balakrishnan ,  Satish Radhakrishnan ,  Tatyana Tanya Andryushchenko ,  Guanghai Xu

IPC分类号： H05K1/11 ,  B23K1/00 ,  H05K1/09

CPC分类号： H01L24/19 ,  B23K1/0016 ,  H01L21/0334 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/245 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/4015 ,  H05K2201/1028 ,  H01L2924/00

摘要： The present subject matter relates to the field of fabricating microelectronic devices. In at least one embodiment, the present subject matter relates to forming an interconnect that has a portion thereof which becomes debonded from the microelectronic device during cooling after attachment to an external device. The debonded portion allows the interconnect to flex and absorb stress.

摘要翻译： 本主题涉及制造微电子器件的领域。 在至少一个实施例中，本主题涉及形成具有其部分的互连，其在附接到外部设备之后在冷却期间从微电子器件脱粘。 脱粘部分允许互连件弯曲并吸收应力。

公开(公告)号：US08637778B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US12756748

申请日：2010-04-08

申请人： Qing Ma ,  Jun He ,  Patrick Morrow ,  Paul B. Fischer ,  Sridhar Balakrishnan ,  Satish Radhakrishnan ,  Tatyana Tanya Andryushchenko ,  Guanghai Xu

发明人： Qing Ma ,  Jun He ,  Patrick Morrow ,  Paul B. Fischer ,  Sridhar Balakrishnan ,  Satish Radhakrishnan ,  Tatyana Tanya Andryushchenko ,  Guanghai Xu

IPC分类号： H05K1/03 ,  H05K7/02

CPC分类号： H01L24/19 ,  B23K1/0016 ,  H01L21/0334 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/245 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H05K3/4015 ,  H05K2201/1028 ,  H01L2924/00

摘要： The present subject matter relates to the field of fabricating microelectronic devices. In at least one embodiment, the present subject matter relates to forming an interconnect that has a portion thereof which becomes debonded from the microelectronic device during cooling after attachment to an external device. The debonded portion allows the interconnect to flex and absorb stress.

摘要翻译： 本主题涉及制造微电子器件的领域。 在至少一个实施例中，本主题涉及形成具有其部分的互连，其在附接到外部设备之后在冷却期间从微电子器件脱粘。 脱粘部分允许互连件弯曲并吸收应力。

公开(公告)号：US08242831B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12651341

申请日：2009-12-31

申请人： Xianghong Tong ,  Zhanping Chen ,  Kevin X. Zhang ,  Zhiyong Ma ,  Kevin D. Johnson ,  Jun He

发明人： Xianghong Tong ,  Zhanping Chen ,  Kevin X. Zhang ,  Zhiyong Ma ,  Kevin D. Johnson ,  Jun He

IPC分类号： H01H85/02

CPC分类号： H01L23/5256 ,  G11C8/20 ,  G11C17/16 ,  H01L23/576 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A tamper resistant fuse design is generally presented. In this regard, an apparatus is introduced comprising a plurality of fuses in an integrated circuit device to store values and a plurality of resistors in parallel to the fuses, wherein each fuse includes a parallel resistor to provide a potential dissipation path around the fuse. Other embodiments are also described and claimed.

摘要翻译： 通常提供防篡改保险丝设计。 在这方面，引入一种在集成电路装置中包括多个熔丝的装置，用于存储与熔丝并联的值和多个电阻，其中每个熔丝包括并联电阻器，以提供围绕熔丝的潜在耗散路径。 还描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20110156801A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12651341

申请日：2009-12-31

申请人： Xianghong Tong ,  Zhanping Chen ,  Kevin X. Zhang ,  Zhiyong Ma ,  Kevin D. Johnson ,  Jun He

发明人： Xianghong Tong ,  Zhanping Chen ,  Kevin X. Zhang ,  Zhiyong Ma ,  Kevin D. Johnson ,  Jun He

IPC分类号： H01H85/00

CPC分类号： H01L23/5256 ,  G11C8/20 ,  G11C17/16 ,  H01L23/576 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A tamper resistant fuse design is generally presented. In this regard, an apparatus is introduced comprising a plurality of fuses in an integrated circuit device to store values and a plurality of resistors in parallel to the fuses, wherein each fuse includes a parallel resistor to provide a potential dissipation path around the fuse. Other embodiments are also described and claimed.

摘要翻译： 通常提供防篡改保险丝设计。 在这方面，引入一种在集成电路装置中包括多个熔丝的装置，用于存储与熔丝并联的值和多个电阻，其中每个熔丝包括并联电阻器，以提供围绕熔丝的潜在耗散路径。 还描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20060261437A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11133835

申请日：2005-05-20

申请人： Jose Maiz ,  Jun He ,  Mark Bohr

发明人： Jose Maiz ,  Jun He ,  Mark Bohr

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a metallic fuse structure by forming at least one via on a first interconnect structure, lining the at least one via with a barrier layer, and then forming a second interconnect structure on the at least one via.