公开(公告)号：US09054196B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US14116328

申请日：2012-05-01

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Hirokazu Kawashima ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Hirokazu Kawashima ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/26 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/786 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor including an active layer, and has a field-effect mobility of 25 cm2/Vs or more, the active layer being formed of an oxide that includes In, Ga, and Zn in an atomic ratio that falls within the following region 1, region 2, or region 3, the region 1 being defined by 0.58≦In/(In+Ga+Zn)≦0.68 and 0.15

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括有源层，并具有25cm 2 / Vs以上的场效应迁移率，所述有源层由包含In，Ga和Zn的氧化物以原子比落在下述区域内 1，区域2或区域3，区域1由0.58和n1E定义; In /（In + Ga + Zn）＆nlE; 0.68和0.15

公开(公告)号：US20140084289A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US14116328

申请日：2012-05-01

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Hirokazu Kawashima ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Hirokazu Kawashima ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/26

CPC分类号： H01L29/786 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor including an active layer, and has a field-effect mobility of 25 cm2/Vs or more, the active layer being formed of an oxide that includes In, Ga, and Zn in an atomic ratio that falls within the following region 1, region 2, or region 3, the region 1 being defined by 0.58≦In/(In+Ga+Zn)≦0.68 and 0.15

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括有源层，并具有25cm 2 / Vs以上的场效应迁移率，所述有源层由包含In，Ga和Zn的氧化物以原子比落在下述区域内 1，区域2或区域3，区域1由0.58和n1E定义; In /（In + Ga + Zn）＆nlE; 0.68和0.15

公开(公告)号：US20140103268A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：US14116322

申请日：2012-05-07

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： H01L29/24 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： A sputtering target including indium (In), tin (Sn) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) to (4): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85  (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40  (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70  (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99  (4)

摘要翻译： 包括铟（In），锡（Sn）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自下列X族的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）至（4）的元素的原子比 ）：组X：Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.10＆nlE; In /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.85（1）0.01＆ /(In + Sn+Zn）≤nlE;0.40（2）0.10＆nlE; Zn /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.70（3）0.70＆lt; In /（In + X）＆nlE; 0.99（4）

公开(公告)号：US09214519B2

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：US14116322

申请日：2012-05-07

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01L29/24 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： A sputtering target including indium (In), tin (Sn) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) to (4): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85  (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40  (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70  (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99  (4).

摘要翻译： 包括铟（In），锡（Sn）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自下列X族的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）至（4）的元素的原子比 ）：组X：Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.10＆nlE; In /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.85（1）0.01＆ /(In+Sn+Zn)≦̸0.40（2）0.10＆nlE; Zn /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.70（3）0.70＆lt; In /（In + X）＆nlE; 0.99（4）。

公开(公告)号：US20140102892A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：US14116285

申请日：2012-05-08

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： A sputtering target including indium (In) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) and (2): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.30≦In/(In+Zn)≦0.90  (1) 0.70≦In/(In+X)≦0.99  (2).

摘要翻译： 包含铟（In）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自以下X组的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）和（2）的元素的原子比：组X： Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.30和nlE; In /（In + Zn）＆nlE; 0.90（1）0.70和nlE; In /（In + X） ; 0.99（2）。

公开(公告)号：US20120313057A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13580355

申请日：2011-02-22

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  B32B37/16

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： An oxide sintered body including indium element (In), gallium element (Ga) and tin element (Sn) in atomic ratios represented by the following formulas (1) to (3): 0.10≦In/(In+Ga+Sn)≦0.60  (1) 0.10≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.55  (2) 0.0001

摘要翻译： 包含由下式（1）〜（3）表示的原子比的铟元素（In），镓元素（Ga）和锡元素（Sn）的氧化物烧结体：0.10＆nlE; In /（In + Ga + Sn） ＆nlE; 0.60（1）0.10＆nlE; Ga /（In + Ga + Sn）＆nlE; 0.55（2）0.0001

公开(公告)号：US08999208B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13580355

申请日：2011-02-22

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： H01B1/02 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/626 ,  C04B37/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： An oxide sintered body including indium element (In), gallium element (Ga) and tin element (Sn) in atomic ratios represented by the following formulas (1) to (3): 0.10≦In/(In+Ga+Sn)≦0.60  (1) 0.10≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.55  (2) 0.0001

摘要翻译： 包含由下式（1）〜（3）表示的原子比的铟元素（In），镓元素（Ga）和锡元素（Sn）的氧化物烧结体：0.10＆nlE; In /（In + Ga + Sn） ＆nlE; 0.60（1）0.10＆nlE; Ga /（In + Ga + Sn）＆nlE; 0.55（2）0.0001

公开(公告)号：US20120093712A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13264457

申请日：2010-11-18

申请人： Koki Yano ,  Masayuki Itose ,  Mami Nishimura

发明人： Koki Yano ,  Masayuki Itose ,  Mami Nishimura

IPC分类号： C23C14/08 ,  C01G15/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

摘要： A sputtering target including oxide A shown below and indium oxide (In2O3) having a bixbyite crystal structure:Oxide A: an oxide which includes an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn) in which diffraction peaks are observed at positions corresponding to incident angles (2θ) of 7.0° to 8.4°, 30.6° to 32.0°, 33.8° to 35.8°, 53.5° to 56.5° and 56.5° to 59.5° in an X-ray diffraction measurement (CuKα rays).

摘要翻译： 包含下述氧化物A的溅射靶和具有双晶晶体结构的氧化铟（In 2 O 3）：氧化物A：包含铟元素（In），镓元素（Ga）和锌元素（Zn）的氧化物，其中衍射 在X射线衍射测量中，对应于入射角（2θ）的位置观察到峰值为7.0°至8.4°，30.6°至32.0°，33.8°至35.8°，53.5°至56.5°和56.5°至59.5° （CuKα射线）。

公开(公告)号：US08641930B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13264457

申请日：2010-11-18

申请人： Koki Yano ,  Masayuki Itose ,  Mami Nishimura

发明人： Koki Yano ,  Masayuki Itose ,  Mami Nishimura

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01B1/08

CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

摘要： A sputtering target including oxide A shown below and indium oxide (In2O3) having a bixbyite crystal structure:Oxide A: an oxide which includes an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn) in which diffraction peaks are observed at positions corresponding to incident angles (2θ) of 7.0° to 8.4°, 30.6° to 32.0°, 33.8° to 35.8°, 53.5° to 56.5° and 56.5° to 59.5° in an X-ray diffraction measurement (CuKα rays).

摘要翻译： 包含下述氧化物A的溅射靶和具有双晶晶体结构的氧化铟（In 2 O 3）：氧化物A：包含铟元素（In），镓元素（Ga）和锌元素（Zn）的氧化物，其中衍射 在X射线衍射测定中，对应于入射角（2θ）为7.0°〜8.4°，30.6°〜32.0°，33.8°〜35.8°，53.5°〜56.5°，56.5°〜59.5°的位置， CuKalpha射线）。

公开(公告)号：US20110006297A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12747033

申请日：2008-11-14

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Shigekazu Tomai ,  Hirokazu Kawashima

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Shigekazu Tomai ,  Hirokazu Kawashima

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02689 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

摘要： A patterned crystalline semiconductor thin film which is obtained by a method including: forming an amorphous thin film comprising indium oxide as a main component, crystallizing part of the amorphous thin film to allow the part to be semiconductive, and removing an amorphous part of the partially crystallized thin film by etching.

摘要翻译： 一种图案化的结晶半导体薄膜，其通过以下方法获得：包括：形成包含氧化铟作为主要成分的非晶薄膜，使所述非晶薄膜的结晶部分成半导体，并且去除所述部分的非晶部分 通过蚀刻结晶的薄膜。