公开(公告)号：US08471360B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US12760156

申请日：2010-04-14

申请人： Franz Kreupl ,  Er-Xuan Ping ,  Jingyan Zhang ,  Huiwen Xu

发明人： Franz Kreupl ,  Er-Xuan Ping ,  Jingyan Zhang ,  Huiwen Xu

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L45/149 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1691

摘要： In a first aspect, a method of forming a metal-insulator-metal (“MIM”) stack is provided, the method including: (1) forming a dielectric material having an opening and a first conductive carbon layer within the opening; (2) forming a spacer in the opening; (3) forming a carbon-based switching material on a sidewall of the spacer; and (4) forming a second conductive carbon layer above the carbon-based switching material. A ratio of a cross sectional area of the opening in the dielectric material to a cross sectional area of the carbon-based switching material on the sidewall of the spacer is at least 5. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面中，提供了形成金属 - 绝缘体 - 金属（“MIM”）叠层的方法，所述方法包括：（1）在开口内形成具有开口的电介质材料和第一导电碳层; （2）在开口中形成间隔物; （3）在间隔件的侧壁上形成碳基开关材料; 和（4）在碳基开关材料上形成第二导电碳层。 介电材料中的开口的横截面积与间隔件侧壁上的碳基开关材料的横截面积的比率至少为5.许多其它方面。

公开(公告)号：US08420526B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US13167744

申请日：2011-06-24

申请人： Martin Gutsche ,  Franz Kreupl ,  Harald Seidl

发明人： Martin Gutsche ,  Franz Kreupl ,  Harald Seidl

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/24 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/228 ,  H01L2221/1094

摘要： The present invention relates to a method for producing a vertical interconnect structure, a memory device and an associated production method, in which case, after the formation of a contact region in a carrier substrate a catalyst is produced on the contact region and a free-standing electrically conductive nanoelement is subsequently formed between the catalyst and the contact region and embedded in a dielectric layer.

公开(公告)号：US08354660B2

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：US13047098

申请日：2011-03-14

申请人： Deepak Chandra Sekar ,  Franz Kreupl ,  Raghuveer S. Makala

发明人： Deepak Chandra Sekar ,  Franz Kreupl ,  Raghuveer S. Makala

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1675

摘要： In a first aspect, an MIM stack is provided that includes (1) a first conductive layer comprising a first metal-silicide layer and a second metal-silicide layer; (2) a resistivity-switching layer comprising a metal oxide layer formed above the first conductive layer; and (3) a second conductive layer formed above the resistivity-switching layer. A memory cell may be formed from the MIM stack. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供一种MIM堆叠，其包括（1）包括第一金属硅化物层和第二金属硅化物层的第一导电层; （2）电阻率切换层，包括形成在所述第一导电层上方的金属氧化物层; 和（3）形成在电阻率切换层上方的第二导电层。 存储单元可以由MIM堆叠形成。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20120305873A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13591247

申请日：2012-08-22

申请人： Martin Gutsche ,  Franz Kreupl ,  Harald Seidl

发明人： Martin Gutsche ,  Franz Kreupl ,  Harald Seidl

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/24 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/228 ,  H01L2221/1094

摘要： The present invention relates to a method for producing a vertical interconnect structure, a memory device and an associated production method, in which case, after the formation of a contact region in a carrier substrate a catalyst is produced on the contact region and a free-standing electrically conductive nanoelement is subsequently formed between the catalyst and the contact region and embedded in a dielectric layer.

摘要翻译： 本发明涉及垂直互连结构的制造方法，存储装置及相关的制造方法，在这种情况下，在载体基板上形成接触区域之后，在接触区域上产生催化剂， 随后在催化剂和接触区域之间形成立体导电的纳米元素并嵌入电介质层。

公开(公告)号：US08319259B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US10587062

申请日：2005-01-19

申请人： Franz Kreupl ,  Robert Seidel

发明人： Franz Kreupl ,  Robert Seidel

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/66439 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A semiconductor power switch and method is disclosed. In one Embodiment, the semiconductor power switch has a source contact, a drain contact, a semiconductor structure which is provided between the source contact and the drain contact, and a gate which can be used to control a current flow through the semiconductor structure between the source contact and the drain contact. The semiconductor structure has a plurality of nanowires which are connected in parallel and are arranged in such a manner that each nanowire forms an electrical connection between the source contact and the drain contact.

摘要翻译： 公开了一种半导体功率开关和方法。 在一个实施例中，半导体功率开关具有源极接触，漏极接触，设置在源极接触和漏极接触之间的半导体结构，以及可用于控制通过半导体结构的电流 源极接触和漏极接触。 半导体结构具有并联连接的多个纳米线，并且以使得每个纳米线在源极触点和漏极触点之间形成电连接的方式布置。

公开(公告)号：US20120091418A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12904770

申请日：2010-10-14

申请人： Yung-Tin Chen ,  Franz Kreupl ,  Steven Maxwell ,  Kun Hou

发明人： Yung-Tin Chen ,  Franz Kreupl ,  Steven Maxwell ,  Kun Hou

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149

摘要： In some embodiments, a memory cell is provided that includes (1) a bipolar storage element formed from a metal-insulator-metal (MIM) stack including (a) a first conductive layer; (b) a reversible resistivity switching (RRS) layer formed above the first conductive layer; (c) a metal/metal oxide layer stack formed above the first conductive layer; and (d) a second conductive layer formed above the RRS layer and the metal/metal oxide layer stack; and (2) a steering element coupled to the storage element. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在一些实施例中，提供了一种存储单元，其包括：（1）由金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）堆叠形成的双极存储元件，包括：（a）第一导电层; （b）形成在第一导电层之上的可逆电阻率切换（RRS）层; （c）形成在所述第一导电层上方的金属/金属氧化物层堆叠; 和（d）形成在RRS层和金属/金属氧化物层堆叠之上的第二导电层; 和（2）联接到存储元件的操纵元件。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US08084759B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US11931449

申请日：2007-10-31

申请人： Ulrich Klostermann ,  Ulrike Grüning-von Schwerin ,  Franz Kreupl

发明人： Ulrich Klostermann ,  Ulrike Grüning-von Schwerin ,  Franz Kreupl

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06

摘要： An integrated circuit includes an array of memory cells and a doped semiconductor line formed in a semiconductor substrate. The doped semiconductor line is coupled to a row of memory cells. The integrated circuit includes conductive cladding contacting the doped semiconductor line.

摘要翻译： 集成电路包括形成在半导体衬底中的存储单元阵列和掺杂半导体线。 掺杂半导体线耦合到一行存储器单元。 集成电路包括与掺杂半导体线接触的导电包层。

公开(公告)号：US20110310654A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13157200

申请日：2011-06-09

申请人： Franz Kreupl ,  Ritu Shrivastava

发明人： Franz Kreupl ,  Ritu Shrivastava

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2409 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： A memory device in a 3-D read and write memory includes memory cells. Each memory cell includes a resistance-switching memory element (RSME). The RSME has first and second resistance-switching layers on either side of a conductive intermediate layer, and first and second electrodes at either end of the RSME. The layers can be provided in a lateral arrangement, such as an end-to-end, face-to-face, L-shaped or U-shaped arrangement. In a set or reset operation of the memory cell, an electric field is applied across the first and second electrodes. An ionic current flows in the resistance-switching layers, contributing to a switching mechanism. An electron flow, which does not contribute to the switching mechanism, is reduced due to scattering by the conductive intermediate layer, to avoid damage to the steering element.

摘要翻译： 3-D读写存储器中的存储器件包括存储器单元。 每个存储单元包括电阻切换存储元件（RSME）。 RSME在导电中间层的任一侧上具有第一和第二电阻切换层，在RSME的任一端具有第一和第二电极。 这些层可以以诸如端对端，面对面，L形或U形布置的横向布置来设置。 在存储单元的置位或复位操作中，跨越第一和第二电极施加电场。 离子电流在电阻切换层中流动，有助于切换机构。 由于导电中间层的散射，对切换机构无贡献的电子流减少，以避免损坏转向元件。

公开(公告)号：US20110310653A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13157191

申请日：2011-06-09

申请人： Franz Kreupl ,  Xiying Costa ,  James Kai ,  Raghuveer S. Makala

发明人： Franz Kreupl ,  Xiying Costa ,  James Kai ,  Raghuveer S. Makala

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2409 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： A memory device in a 3-D read and write memory includes memory cells. Each memory cell includes a resistance-switching memory element (RSME) in series with a steering element. The RSME has first and second resistance-switching layers on either side of a conductive intermediate layer, and first and second electrodes at either end of the RSME. The first and second resistance-switching layers can both have a bipolar or unipolar switching characteristic. In a set or reset operation of the memory cell, an electric field is applied across the first and second electrodes. An ionic current flows in the resistance-switching layers, contributing to a switching mechanism. An electron flow, which does not contribute to the switching mechanism, is reduced due to scattering by the conductive intermediate layer, to avoid damage to the steering element. Particular materials and combinations of materials for the different layers of the RSME are provided.

摘要翻译： 3-D读写存储器中的存储器件包括存储器单元。 每个存储单元包括与转向元件串联的电阻切换存储元件（RSME）。 RSME在导电中间层的任一侧上具有第一和第二电阻切换层，在RSME的任一端具有第一和第二电极。 第一和第二电阻切换层都可以具有双极或单极开关特性。 在存储单元的置位或复位操作中，跨越第一和第二电极施加电场。 离子电流在电阻切换层中流动，有助于切换机构。 由于导电中间层的散射，对切换机构无贡献的电子流减少，以避免损坏转向元件。 提供了用于RSME不同层的材料和材料的组合。

公开(公告)号：US20110254126A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US12760156

申请日：2010-04-14

申请人： Franz Kreupl ,  Er-Xuan Ping ,  Jingyan Zhang ,  Huiwen Xu

发明人： Franz Kreupl ,  Er-Xuan Ping ,  Jingyan Zhang ,  Huiwen Xu

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L45/149 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/124 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1691

摘要： In a first aspect, a method of forming a metal-insulator-metal (“MIM”) stack is provided, the method including: (1) forming a dielectric material having an opening and a first conductive carbon layer within the opening; (2) forming a spacer in the opening; (3) forming a carbon-based switching material on a sidewall of the spacer; and (4) forming a second conductive carbon layer above the carbon-based switching material. A ratio of a cross sectional area of the opening in the dielectric material to a cross sectional area of the carbon-based switching material on the sidewall of the spacer is at least 5. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面中，提供了形成金属 - 绝缘体 - 金属（“MIM”）叠层的方法，所述方法包括：（1）在开口内形成具有开口的电介质材料和第一导电碳层; （2）在开口中形成间隔物; （3）在间隔件的侧壁上形成碳基开关材料; 和（4）在碳基开关材料上形成第二导电碳层。 介电材料中的开口的横截面积与间隔件侧壁上的碳基开关材料的横截面积的比率至少为5.许多其它方面。