公开(公告)号：US08671554B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13419198

申请日：2012-03-13

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

IPC分类号： G11B5/17 ,  H04R31/00

CPC分类号： B25G1/102

摘要： An example method for manufacturing a magneto-resistance effect element having a magnetic layer, a free magnetization layer, and a spacer layer includes forming a first metallic layer and forming, on the first metallic layer, a second metallic layer. A first conversion treatment is performed to convert the second metallic layer into a first insulating layer and to form a first metallic portion penetrating through the first insulating layer. A third metallic layer is formed on the first insulating layer and the first metallic portion. A second conversion treatment is performed to convert the third metallic layer into a second insulating layer and to form a second metallic portion penetrating through the second insulating layer.

摘要翻译： 用于制造具有磁性层，自由磁化层和间隔层的磁阻效应元件的示例性方法包括形成第一金属层，并在第一金属层上形成第二金属层。 执行第一转换处理以将第二金属层转换成第一绝缘层并形成贯穿第一绝缘层的第一金属部分。 在第一绝缘层和第一金属部分上形成第三金属层。 执行第二转换处理以将第三金属层转换成第二绝缘层并形成贯穿第二绝缘层的第二金属部分。

公开(公告)号：US20130242435A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13728281

申请日：2012-12-27

申请人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

发明人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： G11B5/127 ,  H01L43/10

CPC分类号： G11B5/1274 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： According to one embodiment, a magneto-resistance effect element includes: a first electrode; a second electrode; a first magnetic layer provided between the first and the second electrodes; a second magnetic layer provided between the first magnetic layer and the second electrode; and an oxide layer of a metal oxide provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The oxide layer includes wustite crystal grains of a wustite structure with a (1 1 1) plane orientation containing iron. A lattice spacing of a (1 1 1) plane of the wustite crystal grains is not less than 0.253 nanometers and not more than 0.275 nanometers.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应元件包括：第一电极; 第二电极; 设置在第一和第二电极之间的第一磁性层; 设置在所述第一磁性层和所述第二电极之间的第二磁性层; 以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间的金属氧化物的氧化物层。 氧化物层包括具有含（111）面取向的方铁矿结构的方铁矿晶粒含铁。 方铁矿晶粒的（111）面的晶格间距不小于0.253纳米，不大于0.275纳米。

公开(公告)号：US20130076687A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13479861

申请日：2012-05-24

申请人： Devin GIDDINGS ,  Nobuyoshi Saito ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hajime Yamaguchi

发明人： Devin GIDDINGS ,  Nobuyoshi Saito ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hajime Yamaguchi

IPC分类号： G06F3/045

CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/0414

摘要： According to one embodiment, a touch panel includes first interconnections, second interconnections, sensor units and a control unit. The first interconnections are arranged along a first direction, and extend along a second direction intersecting with the first direction. The second interconnections are arranged along a third direction intersecting with the first direction, and extend along a fourth direction intersecting with the third direction. The sensor units are provided in intersection portions of the first and second interconnections, include first and second ferromagnetic layers, and an intermediate layer, allow a current to be passed, and have one end connected to the first interconnections and another end connected to the second interconnections. The control unit is connected to the first and second interconnections. An electric resistance of the sensor units changes in accordance with a stress applied. The control unit senses a change in the electric resistance.

摘要翻译： 根据一个实施例，触摸面板包括第一互连，第二互连，传感器单元和控制单元。 第一互连沿着第一方向布置，并且沿着与第一方向相交的第二方向延伸。 第二互连沿着与第一方向相交的第三方向布置，并且沿与第三方向相交的第四方向延伸。 传感器单元设置在第一和第二互连的交叉部分中，包括第一和第二铁磁层，以及中间层，允许电流通过，并且一端连接到第一互连，另一端连接到第二互连 互连。 控制单元连接到第一和第二互连。 传感器单元的电阻根据施加的应力而变化。 控制单元感测电阻的变化。

公开(公告)号：US08228643B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US12585854

申请日：2009-09-25

申请人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Shuichi Murakami ,  Michiko Hara ,  Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Erhard Schreck

发明人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Shuichi Murakami ,  Michiko Hara ,  Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Erhard Schreck

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3983 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A method for manufacturing a magneto-resistance effect element is provided. The magneto-resistance effect element includes a first magnetic layer including a ferromagnetic material, a second magnetic layer including a ferromagnetic material and a spacer layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer, the spacer layer having an insulating layer and a conductive portion penetrating through the insulating layer. The method includes: forming a film to be a base material of the spacer layer; performing a first treatment using a gas including at least one of oxygen molecules, oxygen atoms, oxygen ions, oxygen plasma and oxygen radicals on the film; and performing a second treatment using a gas including at least one of nitrogen ions, nitrogen atoms, nitrogen plasma, and nitrogen radicals on the film submitted to the first treatment.

摘要翻译： 提供一种制造磁阻效应元件的方法。 磁阻效应元件包括包括铁磁材料的第一磁性层，包括铁磁材料的第二磁性层和设置在第一磁性层和第二磁性层之间的间隔层，间隔层具有绝缘层和导电 部分穿透绝缘层。 该方法包括：将膜形成为间隔层的基材; 使用包含氧分子，氧原子，氧离子，氧等离子体和氧自由基中的至少一种的气体进行第一处理; 以及使用包含氮离子，氮原子，氮等离子体和氮自由基中的至少一种的气体进行第一次处理的膜的第二处理。

公开(公告)号：US08184410B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US11902657

申请日：2007-09-24

申请人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

发明人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11C11/16

CPC分类号： G11B5/3983 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  G11C11/161 ,  H01F10/187 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3272 ,  Y10T428/1121

摘要： An example magnetoresistive element includes a first magnetic layer whose magnetization direction is substantially pinned toward one direction; a second magnetic layer whose magnetization direction is changed in response to an external magnetic field; and a spacer layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. At least one of the first magnetic layer and the second magnetic layer has a magnetic compound that is expressed by M1aM2bXc(where 5≦a≦68, 10≦b≦73, and 22≦c≦85). M1 is at least one element selected from the group consisting of Co, Fe, and Ni. M2 is at least one element selected from the group consisting of Ti, V, Cr, and Mn. X is at least one element selected from the group consisting of N, O, and C.

摘要翻译： 示例性磁阻元件包括其磁化方向基本上朝向一个方向固定的第一磁性层; 其磁化方向响应于外部磁场而改变的第二磁性层; 以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间的间隔层。 第一磁性层和第二磁性层中的至少一个具有由M1aM2bXc（其中5＆nlE; a＆nlE; 68,10＆amp; nlE; b＆nlE; 73和22＆nlE; c＆nlE; 85）表示的磁性化合物。 M1是选自Co，Fe和Ni中的至少一种元素。 M2是选自Ti，V，Cr和Mn中的至少一种元素。 X是选自N，O和C中的至少一种元素。

公开(公告)号：US20110295128A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13045759

申请日：2011-03-11

申请人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Alexander Devin Giddings ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami

发明人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Alexander Devin Giddings ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami

IPC分类号： A61B5/021

CPC分类号： A61B5/02141 ,  A61B5/0004 ,  A61B5/021 ,  A61B5/6824 ,  A61B5/6833 ,  A61B2560/0214 ,  A61B2562/028 ,  G01L9/16 ,  G01L19/06 ,  G01L19/069

摘要： A blood-pressure sensor includes a substrate, a first electrode, a magnetization fixed layer, a nonmagnetic layer, a magnetization free layer, and a second electrode. The substrate is bent to generate a tensile stress at least in a first direction. The first electrode is provided on the substrate. The magnetization fixed layer has magnetization to be fixed in a second direction, and is provided on the substrate. The nonmagnetic layer is provided on the magnetization fixed layer. The magnetization free layer has a magnetization direction which is different from the first direction and from a direction perpendicular to the first direction. The second electrode is provided on the magnetization free layer.

摘要翻译： 血压传感器包括基板，第一电极，磁化固定层，非磁性层，磁化自由层和第二电极。 弯曲基板至少在第一方向上产生拉伸应力。 第一电极设置在基板上。 磁化固定层具有在第二方向上固定的磁化，并且设置在基板上。 非磁性层设置在磁化固定层上。 磁化自由层具有不同于第一方向和与第一方向垂直的方向的磁化方向。 第二电极设置在无磁化层上。

公开(公告)号：US20090190262A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：US12320668

申请日：2009-01-30

申请人： Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

发明人： Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/48 ,  B05D3/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： A magnetoresistive element includes a magnetoresistive film including a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, an intermediate layer arranged between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer, a cap layer arranged on the magnetization pinned layer or on the magnetization free layer, and a functional layer formed of an oxygen- or nitrogen-containing material and arranged in the magnetization pinned layer, or in the magnetization free layer, and a pair of electrodes which pass a current perpendicularly to a plane of the magnetoresistive film, in which a crystalline orientation plane of the functional layer is different from a crystalline orientation plane of its upper or lower adjacent layer.

摘要翻译： 磁阻元件包括磁阻膜，其包括磁化被钉扎层，磁化自由层，布置在磁化钉扎层和磁化自由层之间的中间层，布置在磁化钉扎层或磁化自由层上的盖层，以及 由含氧或含氮材料形成并布置在磁化固定层中或在无磁化层中的功能层和一对电极，其垂直于磁阻膜的平面通过电流，其中晶体 功能层的取向平面与其上部或下部相邻层的结晶取向平面不同。

公开(公告)号：US20080239587A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12073491

申请日：2008-03-06

申请人： Junichi Ito ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiro Fuji

发明人： Junichi Ito ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiro Fuji

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3932 ,  G11C11/16 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08

摘要： A magneto-resistance effect element includes: a first magnetic layer of which a first magnetization is fixed in one direction; a second magnetic layer of which a second magnetization is fixed in one direction; a spacer layer located between the first magnetic layer and the second magnetic layer and made of at least one selected from the group consisting of an oxide, a nitride, an oxynitride and a metal; and a current bias generating portion, which is located adjacent to the spacer layer, for applying a bias magnetic field to the spacer layer.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括：在一个方向上固定第一磁化的第一磁性层; 第二磁性层，其在一个方向上固定第二磁化强度; 位于第一磁性层和第二磁性层之间并由选自氧化物，氮化物，氧氮化物和金属中的至少一种构成的间隔层; 以及电位偏置产生部分，其位于与间隔层相邻的位置，用于向间隔层施加偏置磁场。

公开(公告)号：US08824108B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13728281

申请日：2012-12-27

申请人： Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

发明人： Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  G11B5/127 ,  G01R33/09 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC分类号： G11B5/1274 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： According to one embodiment, a magneto-resistance effect element includes: a first electrode; a second electrode; a first magnetic layer provided between the first and the second electrodes; a second magnetic layer provided between the first magnetic layer and the second electrode; and an oxide layer of a metal oxide provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The oxide layer includes wustite crystal grains of a wustite structure with a (1 1 1) plane orientation containing iron. A lattice spacing of a (1 1 1) plane of the wustite crystal grains is not less than 0.253 nanometers and not more than 0.275 nanometers.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应元件包括：第一电极; 第二电极; 设置在第一和第二电极之间的第一磁性层; 设置在所述第一磁性层和所述第二电极之间的第二磁性层; 以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间的金属氧化物的氧化物层。 氧化物层包括具有含（111）面取向的方铁矿结构的方铁矿晶粒含铁。 方铁矿晶粒的（111）面的晶格间距不小于0.253纳米，不大于0.275纳米。

公开(公告)号：US08685491B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13186389

申请日：2011-07-19

申请人： Akihiko Takeo ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa

发明人： Akihiko Takeo ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa

IPC分类号： G11B5/48

CPC分类号： G11B5/3903 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3983 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/303 ,  H01F41/325 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1129

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetoresistive element includes a layered structure and a pair of electrodes, the layered structure including a cap layer, a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, a spacer layer and a functional layer provided in the magnetization pinned layer, between the magnetization pinned layer and the spacer layer, between the spacer layer and the magnetization free layer, in the magnetization free layer, or between the magnetization free layer and the cap layer and including an oxide, the method including forming a film including a base material of the functional layer, performing an oxidation treatment on the film using a gas containing oxygen in a form of at least one selected from the group consisting of molecule, ion, plasma and radical, and performing a reduction treatment using a reducing gas on the film after the oxidation treatment.

摘要翻译： 根据一个实施例，制造磁阻元件的方法包括层状结构和一对电极，所述层叠结构包括盖层，磁化固定层，磁化自由层，间隔层和功能层 在磁化被钉扎层和间隔层之间，在间隔层和磁化自由层之间，在磁化自由层中，或在磁化自由层和覆盖层之间并包括氧化物的磁化钉扎层，该方法包括形成 膜，其包括功能层的基材，使用含有选自分子，离子，等离子体和自由基中的至少一种形式的含氧气体，对膜进行氧化处理，并使用 在氧化处理后还原气膜。