公开(公告)号：US20120138903A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13308749

申请日：2011-12-01

申请人： Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

发明人： Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/20 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L21/0262 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L29/1606

摘要： The graphene substrate may include a metal oxide film on a substrate, and a graphene layer on the metal oxide film. The concentration of oxygen in the metal oxide film may be gradually reduced from the substrate towards the graphene layer, and the graphene layer may be formed directly on the metal oxide film.

摘要翻译： 石墨烯衬底可以包括在衬底上的金属氧化物膜和金属氧化物膜上的石墨烯层。 金属氧化物膜中的氧浓度可以从衬底朝向石墨烯层逐渐减小，并且石墨烯层可以直接形成在金属氧化物膜上。

公开(公告)号：US20120132893A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13242177

申请日：2011-09-23

申请人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606

摘要： A graphene electronic device includes a gate electrode, a gate oxide disposed on the gate electrode, a graphene channel layer formed on the gate oxide, and a source electrode and a drain electrode respectively disposed on both ends of the graphene channel layer. In the graphene channel layer, a plurality of nanoholes are arranged in a single line in a width direction of the graphene channel layer.

摘要翻译： 石墨烯电子器件包括栅电极，设置在栅电极上的栅极氧化物，形成在栅极氧化物上的石墨烯沟道层，以及分别设置在石墨烯沟道层两端的源电极和漏电极。 在石墨烯通道层中，多个纳米孔在石墨烯通道层的宽度方向上以单一线排列。

公开(公告)号：US20120080658A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13067254

申请日：2011-05-19

申请人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-Seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-Seong Heo

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/842

摘要： A graphene electronic device and a method of fabricating the graphene electronic device are provided. The graphene electronic device may include a graphene channel layer formed on a hydrophobic polymer layer, and a passivation layer formed on the graphene channel layer. The hydrophobic polymer layer may prevent or reduce adsorption of impurities to transferred graphene, and a passivation layer may also prevent or reduce adsorption of impurities to a heat-treated graphene channel layer.

摘要翻译： 提供石墨烯电子器件和制造石墨烯电子器件的方法。 石墨烯电子器件可以包括形成在疏水聚合物层上的石墨烯通道层和形成在石墨烯通道层上的钝化层。 疏水性聚合物层可以防止或减少杂质对转移的石墨烯的吸附，并且钝化层也可以防止或减少杂质对经热处理的石墨烯通道层的吸附。

公开(公告)号：US20120075008A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13307370

申请日：2011-11-30

申请人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H03K3/01 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。

公开(公告)号：US08139387B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12662989

申请日：2010-05-14

申请人： Yoon-dong Park ,  Jo-won Lee ,  Chung-woo Kim ,  Eun-hong Lee ,  Sun-ae Seo ,  Woo-joo Kim ,  Hee-soon Chae ,  Soo-doo Chae ,  I-hun Song

发明人： Yoon-dong Park ,  Jo-won Lee ,  Chung-woo Kim ,  Eun-hong Lee ,  Sun-ae Seo ,  Woo-joo Kim ,  Hee-soon Chae ,  Soo-doo Chae ,  I-hun Song

IPC分类号： G11C5/06

CPC分类号： G11C11/5621 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551

摘要： Provided are a complementary nonvolatile memory device, methods of operating and manufacturing the same, a logic device and semiconductor device having the same, and a reading circuit for the same. The complementary nonvolatile memory device includes a first nonvolatile memory and a second nonvolatile memory which are sequentially stacked and have a complementary relationship. The first and second nonvolatile memories are arranged so that upper surfaces thereof are contiguous.

摘要翻译： 提供了一种互补的非易失性存储器件，其操作和制造方法，逻辑器件和具有该非易失性存储器件的半导体器件及其读取电路。 互补非易失性存储器件包括顺序堆叠并具有互补关系的第一非易失性存储器和第二非易失性存储器。 第一和第二非易失性存储器被布置成使得其上表面相邻。

公开(公告)号：US08084371B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12923240

申请日：2010-09-10

申请人： David Seo ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-ae Seo

发明人： David Seo ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-ae Seo

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8236

CPC分类号： H01L21/3146 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684

摘要： Field effect transistors, methods of fabricating a carbon insulating layer using molecular beam epitaxy and methods of fabricating a field effect transistor using the same are provided, the methods of fabricating the carbon insulating layer include maintaining a substrate disposed in a molecular beam epitaxy chamber at a temperature in a range of about 300° C. to about 500° C. and maintaining the chamber in vacuum of 10−11 Torr or less prior to performing an epitaxy process, and supplying a carbon source to the chamber to form a carbon insulating layer on the substrate. The carbon insulating layer is formed of diamond-like carbon and tetrahedral amorphous carbon.

摘要翻译： 提供场效应晶体管，使用分子束外延制造碳绝缘层的方法和使用其制造场效应晶体管的方法，制造碳绝缘层的方法包括将设置在分子束外延室中的衬底保持在 温度在约300℃至约500℃的范围内，并且在进行外延过程之前将室维持在10-11乇或更小的真空度，并将碳源供应到室以形成碳绝缘层 在基板上。 碳绝缘层由菱形碳和四面体无定形碳形成。

公开(公告)号：US20110313194A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13064896

申请日：2011-04-25

申请人： Sung-hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Sung-hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： C07F5/02 ,  C23C16/22 ,  C23C16/44 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： Graphene, a method of fabricating the same, and a transistor having the graphene are provided, the graphene includes a structure of carbon (C) atoms partially substituted with boron (B) atoms and nitrogen (N) atoms. The graphene has a band gap. The graphene substituted with boron and nitrogen may be used as a channel of a field effect transistor. The graphene may be formed by performing chemical vapor deposition (CVD) method using borazine or ammonia borane as a boron nitride (B—N) precursor.

摘要翻译： 提供石墨烯，其制造方法和具有石墨烯的晶体管，石墨烯包括部分被硼（B）原子和氮（N）原子取代的碳（C）原子的结构。 石墨烯具有带隙。 用硼和氮取代的石墨烯可以用作场效应晶体管的通道。 可以通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼（B-N）前体进行化学气相沉积（CVD）方法来形成石墨烯。

公开(公告)号：US07994815B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US11902416

申请日：2007-09-21

申请人： Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Chang-won Lee ,  Dae-young Jeon ,  Ran-ju Jung ,  Dong-chul Kim ,  Ji-young Bae

发明人： Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Chang-won Lee ,  Dae-young Jeon ,  Ran-ju Jung ,  Dong-chul Kim ,  Ji-young Bae

IPC分类号： H03K19/173

CPC分类号： H03K3/40 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/77

摘要： Provided is a cross-point latch and a method of operating the cross-point latch. The cross-point latch includes a signal line, two control lines crossing the signal line, and unipolar switches disposed at crossing points between the signal line and the control lines.

摘要翻译： 提供了交叉点锁存器和操作交叉点锁存器的方法。 交叉点锁存器包括信号线，与信号线交叉的两个控制线，以及设置在信号线与控制线之间的交叉点处的单极开关。

公开(公告)号：US07961005B1

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US12805550

申请日：2010-08-05

申请人： Ho-jung Kim ,  Jae-kwang Shin ,  Sun-ae Seo

发明人： Ho-jung Kim ,  Jae-kwang Shin ,  Sun-ae Seo

IPC分类号： G06F7/38 ,  H03K19/173

CPC分类号： H03K19/1733 ,  G11C14/0054 ,  G11C14/009 ,  H03K3/356008 ,  H03K3/356182

摘要： Provided is a non-volatile logic circuit that includes a latch unit having a pair of latch nodes and a pair of non-volatile memory cells to be supplied first and second write voltages according to data of the pair of latch nodes when a write enable signal is activated such that a write operation is performed with respect to the pair of non-volatile memory cells. The first and second write voltages are different and logic values of data written to the respective non-volatile memory cells are different.

摘要翻译： 提供了一种非易失性逻辑电路，其包括具有一对锁存节点和一对非易失性存储器单元的锁存单元，当一个写使能信号 被激活，使得相对于该对非易失性存储单元执行写入操作。 第一和第二写入电压是不同的，写入各个非易失性存储器单元的数据的逻辑值是不同的。

公开(公告)号：US20110108521A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12923428

申请日：2010-09-21

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

IPC分类号： B44C3/10 ,  B44C1/00 ,  B65H81/00

CPC分类号： C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041

摘要： Example embodiments relate to methods of manufacturing and transferring a larger-sized graphene layer. A method of transferring a larger-sized graphene layer may include forming a graphene layer, a protection layer, and an adhesive layer on a substrate and removing the substrate. The graphene layer may be disposed on a transferring substrate by sliding the graphene layer onto the transferring substrate.

摘要翻译： 示例实施例涉及制造和传送较大尺寸石墨烯层的方法。 转移较大尺寸石墨烯层的方法可以包括在基板上形成石墨烯层，保护层和粘合剂层，并去除基板。 石墨烯层可以通过将石墨烯层滑动到转印衬底上而设置在转印衬底上。