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    Method of depositing a conductive niobium monoxide film for MOSFET gates
    91.
    发明授权
    Method of depositing a conductive niobium monoxide film for MOSFET gates 失效
    沉积用于MOSFET栅极的导电铌氧化物膜的方法

    公开(公告)号：US06825106B1

    公开(公告)日：2004-11-30

    申请号：US10676987

    申请日：2003-09-30

    申请人： Wei Gao ,  Yoshi Ono

    发明人： Wei Gao ,  Yoshi Ono

    IPC分类号： H01L213205

    CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/78

    摘要： A method is provided to deposit niobium monoxide gates. An elemental metal target, or a composite niobium monoxide target is provided within a sputtering chamber. A substrate with gate dielectric, for example silicon dioxide or a high-k gate dielectric, is provided in the sputtering chamber. The sputtering power and oxygen partial pressure within the chamber is set to deposit a film comprising niobium monoxide, without excess amounts of elemental niobium, NbO2 insulator, or Nb2O5 insulator. The deposition method may be incorporated into a standard CMOS fabrication process, or a replacement gate CMOS process.

    摘要翻译： 提供了一种沉积一氧化monoxide栅的方法。 在溅射室内设置元素金属靶或复合铌靶。 在溅射室中提供具有栅极电介质的衬底，例如二氧化硅或高k栅极电介质。 室内的溅射功率和氧分压被设定为沉积包含一氧化铌的膜，而不含过量的元素铌，NbO 2绝缘体或Nb 2 O 5绝缘体。 沉积方法可以结合到标准CMOS制造工艺或替代栅极CMOS工艺中。

    Advertising player
    95.
    外观设计
    Advertising player 有权

    公开(公告)号：USD971918S1

    公开(公告)日：2022-12-06

    申请号：US29778028

    申请日：2021-04-09

    申请人： Wei Gao

    设计人： Wei Gao

    Method for fabricating a read sensor for a read transducer
    99.
    发明授权
    Method for fabricating a read sensor for a read transducer 失效
    读取传感器的读取传感器的制造方法

    公开(公告)号：US08607438B1

    公开(公告)日：2013-12-17

    申请号：US13309357

    申请日：2011-12-01

    申请人： Wei Gao ,  Guanxiong Li ,  Ming Mao ,  Chih-Ching Hu ,  Guanghong Luo ,  Miao Wang ,  Zhihong Zhang ,  Anup G. Roy

    发明人： Wei Gao ,  Guanxiong Li ,  Ming Mao ,  Chih-Ching Hu ,  Guanghong Luo ,  Miao Wang ,  Zhihong Zhang ,  Anup G. Roy

    IPC分类号： G11B5/127 ,  H04R31/00

    CPC分类号： G11B5/3903 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3163

    摘要： A read sensor for a transducer is fabricated. The transducer has a field region and a sensor region corresponding to the sensor. A sensor stack is deposited. A hybrid mask including hard and field masks is provided. The hard mask includes a sensor portion covering the sensor region and a field portion covering the field region. The field mask covers the field portion of the hard mask. The field mask exposes the sensor portion of the hard mask and part of the sensor stack between the sensor and field regions. The sensor is defined from the sensor stack in a track width direction. Hard bias layer(s) are deposited. Part of the hard bias layer(s) resides on the field mask. Part of the hard bias layer(s) adjoining the sensor region is sealed. The field mask is lifted off. The transducer is planarized.

    摘要翻译： 制造用于换能器的读取传感器。 传感器具有对应于传感器的场区域和传感器区域。 传感器堆叠被沉积。 提供了包括硬掩模和磁场掩模的混合掩模。 硬掩模包括覆盖传感器区域的传感器部分和覆盖场区域的场部分。 场掩模覆盖硬掩模的场部分。 场掩模将传感器和场区域之间的硬掩模的传感器部分和传感器堆叠的一部分暴露。 传感器从传感器堆叠在轨道宽度方向上定义。 硬偏置层被沉积。 硬偏置层的一部分位于场掩模上。 邻近传感器区域的一部分硬偏压层被密封。 场地面罩被提起。 传感器平坦化。

    Occupancy detector switch
    100.
    发明授权
    Occupancy detector switch 有权
    占用检测开关

    公开(公告)号：US08373125B2

    公开(公告)日：2013-02-12

    申请号：US12871264

    申请日：2010-08-30

    申请人： Lidong Ni ,  Chongguang Zhang ,  Wei Gao

    发明人： Lidong Ni ,  Chongguang Zhang ,  Wei Gao

    IPC分类号： G01J5/02

    CPC分类号： H05B37/0227

    摘要： A sensor switch includes an infrared sensor, and a control unit coupled to the infrared sensor and configured to receive a signal corresponding to an object detected by the infrared sensor, wherein the control unit is configured to enable an ON state of a device under control of the sensor switch for a period of time depending on a duration and a strength of the signal from the infrared sensor.

    摘要翻译： 传感器开关包括红外传感器，以及耦合到红外传感器并被配置为接收与由红外传感器检测到的物体相对应的信号的控制单元，其中控制单元被配置为使得能够控制的设备的接通状态 传感器开关一段时间取决于持续时间和来自红外传感器的信号的强度。