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    Memory circuit
    104.
    发明申请
    Memory circuit 审中-公开
    存储电路

    公开(公告)号：US20070002607A1

    公开(公告)日：2007-01-04

    申请号：US11172078

    申请日：2005-06-29

    申请人： Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Vivek De

    发明人： Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Vivek De

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/419

    摘要： In some embodiments, a memory array is provided comprising columns of SRAM bit cells, the columns each comprising a bit line and a sense amplifier coupled to the bit line, the sense amplifier to maintain a state in a selected cell of its bit line during a read operation. Other embodiments are disclosed herein.

    摘要翻译： 在一些实施例中，提供了包括SRAM位单元列的存储器阵列，每个列包括位线和耦合到位线的读出放大器，读出放大器在一段时间内维持其位线的选定单元格中的状态 读操作。 本文公开了其它实施例。

    Systolic memory arrays
    105.
    发明申请
    Systolic memory arrays 有权
    收缩记忆阵列

    公开(公告)号：US20050114618A1

    公开(公告)日：2005-05-26

    申请号：US10721178

    申请日：2003-11-26

    申请人： Shih-Lien Lu ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye

    发明人： Shih-Lien Lu ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye

    IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/16 ,  G11C7/10

    CPC分类号： G11C7/1039 ,  G06F13/1615 ,  G06F2212/271 ,  G11C7/10

    摘要： A short latency and high bandwidth memory includes a systolic memory that is sub-divided into a plurality of memory arrays, including banks and pipelines that access these banks. Shorter latency and faster performance is achieved with this memory, because each bank is smaller in size and is accessed more rapidly. A high throughput rate is accomplished because of the pipelining. Memory is accessed at the pipeline frequency with the proposed read and write mechanism. Design complexity is reduced because each bank within the memory is the same and repeated. The memory array size is re-configured and organized to fit within desired size and area parameters.

    摘要翻译： 短暂的延迟和高带宽存储器包括细分为多个存储器阵列的收缩记忆体，包括存储这些存储体的存储体和管线。 由于每个存储体的尺寸较小，访问速度更快，因此可以实现更短的延迟和更快的性能。 由于流水线而实现了高吞吐量。 使用提出的读写机制，在流水线频率处访问存储器。 存储器中的每个存储单元都相同并重复，因此减少了设计复杂度。 重新配置和组织存储器阵列大小以适应所需的大小和面积参数。

    Memory cell bit valve loss detection and restoration
    109.
    发明授权
    Memory cell bit valve loss detection and restoration 有权
    存储单元位阀失效检测和恢复

    公开(公告)号：US07653846B2

    公开(公告)日：2010-01-26

    申请号：US11648490

    申请日：2006-12-28

    申请人： Nam Sung Kim ,  Muhammad Kheliah ,  Yibin Ye ,  Dinesh Somasekhar ,  Vivek De

    发明人： Nam Sung Kim ,  Muhammad Kheliah ,  Yibin Ye ,  Dinesh Somasekhar ,  Vivek De

    IPC分类号： G11C29/00

    CPC分类号： G11C11/419 ,  G11C11/41 ,  G11C29/38 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/0409

    摘要： For one embodiment, an apparatus may include a memory cell to store a bit value, wherein the memory cell may lose the bit value in response to a memory access operation. The apparatus may also include first circuitry to detect whether the memory cell loses the bit value in response to the memory access operation and second circuitry to restore the bit value in the memory cell in response to detection that the memory cell loses the bit value. Other embodiments include other apparatuses, methods, and systems.

    摘要翻译： 对于一个实施例，装置可以包括存储单元以存储位值，其中存储单元可能会响应于存储器访问操作而丢失位值。 该装置还可以包括第一电路，用于响应于检测到存储器单元丢失比特值来检测存储器单元是否响应于存储器访问操作而丢失位值以及第二电路来恢复存储器单元中的位值。 其他实施例包括其他装置，方法和系统。

    Memory cell bit valve loss detection and restoration
    110.
    发明申请
    Memory cell bit valve loss detection and restoration 有权
    存储单元位阀失效检测和恢复

    公开(公告)号：US20080162986A1

    公开(公告)日：2008-07-03

    申请号：US11648490

    申请日：2006-12-28

    申请人： Nam Sung Kim ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Dinesh Somasekhar ,  Vivek De

    发明人： Nam Sung Kim ,  Muhammad Khellah ,  Yibin Ye ,  Dinesh Somasekhar ,  Vivek De

    IPC分类号： G06F11/00

    CPC分类号： G11C11/419 ,  G11C11/41 ,  G11C29/38 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/0409

    摘要： For one disclosed embodiment, an apparatus may comprise a memory cell to store a bit value, wherein the memory cell may lose the bit value in response to a memory access operation. The apparatus may also comprise first circuitry to detect whether the memory cell loses the bit value in response to the memory access operation and second circuitry to restore the bit value in the memory cell in response to detection that the memory cell loses the bit value. Other embodiments are also disclosed.

    摘要翻译： 对于一个所公开的实施例，装置可以包括存储单元以存储位值，其中存储单元可以响应于存储器访问操作而丢失位值。 该装置还可以包括第一电路，用于响应于存储器单元丢失比特值的检测，检测存储器单元是否响应于存储器访问操作而丢失比特值以及第二电路来恢复存储器单元中的比特值。 还公开了其他实施例。