公开(公告)号：US20070205507A1

公开(公告)日：2007-09-06

申请号：US11365975

申请日：2006-03-01

申请人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Tien-I Bao

发明人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Tien-I Bao

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53295 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure having a novel cap layer on a low-k dielectric layer and a method for forming the same are provided. The cap layer preferably includes a material selected from the group consisting essentially of CNx, SiCN, SiCO, SiC, and combinations thereof. The semiconductor structure further includes a via in the low-k dielectric layer, and a metal line in the low-k dielectric layer and on the via. An etch stop layer is preferably formed on the cap layer.

摘要翻译： 提供了在低k电介质层上具有新颖的盖层的半导体结构及其形成方法。 盖层优选地包括选自基本上由CN x Si，SiCN，SiCO，SiC及其组合组成的组的材料。 半导体结构还包括低k电介质层中的通孔和低k介电层中的金属线和通孔。 蚀刻停止层优选形成在盖层上。

公开(公告)号：US07129164B2

公开(公告)日：2006-10-31

申请号：US10968199

申请日：2004-10-18

申请人： Hui Lin Chang ,  Yung Cheng Lu ,  Li Ping Li ,  Tien I Bao ,  Chih Hsien Lin

发明人： Hui Lin Chang ,  Yung Cheng Lu ,  Li Ping Li ,  Tien I Bao ,  Chih Hsien Lin

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76822

摘要： A damascene structure and method for forming the same in a multi-density dielectric insulating layer the method including providing a substrate; forming at least a first layer comprising silicon oxide according to a first process having a first density; forming at least a second layer comprising silicon oxide according to a second process over the first layer having a second density less than the first density; etching a damascene opening through a thickness portion of the at least a first and the at least a second layer; and, filling the damascene opening to form a metal filled damascene.

公开(公告)号：US20060226549A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11104266

申请日：2005-04-12

申请人： Chen-Hua Yu ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device and a fabrication method thereof. The semiconductor device has a substrate with a first conductive area, a dielectric layer formed of a low dielectric constant material disposed on the substrate, and a dielectric anti-reflective coating (DARC) layer disposed on the dielectric layer. A contact hole is disposed in the DARC layer and the dielectric layer to the first conductive area and a contact plug is disposed in the contact hole and electrically connected to the first conductive area.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 该半导体器件具有一个具有第一导电区域的基片，一个由布置在该基片上的低介电常数材料形成的电介质层，以及设置在介电层上的介电抗反射涂层（DARC）层。 接触孔设置在DARC层中，电介质层设置到第一导电区域，接触插头设置在接触孔中并电连接到第一导电区域。

公开(公告)号：US08987085B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US11524000

申请日：2006-09-20

申请人： Chen-Hua Yu ,  Ming-Shih Yeh ,  Chih-Hsien Lin ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang

发明人： Chen-Hua Yu ,  Ming-Shih Yeh ,  Chih-Hsien Lin ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826

摘要： A method of forming an integrated circuit includes providing a semiconductor substrate, forming a metallization layer over the semiconductor substrate, wherein the metallization layer comprises a metal feature in a low-k dielectric layer and extending from a top surface of the low-k dielectric layer into the low-k dielectric layer, performing a treatment to the low-k dielectric layer to form a hydrophilic top surface, and plating a cap layer on the metal feature in a solution.

摘要翻译： 形成集成电路的方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成金属化层，其中金属化层包括低k电介质层中的金属特征并且从低k电介质层的顶表面延伸 进入低k电介质层，对低k电介质层进行处理以形成亲水性顶表面，以及在溶液中的金属特征上镀覆盖层。

公开(公告)号：US20100090343A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12638022

申请日：2009-12-15

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, the cap layer may be formed by an in-situ deposition process in which a process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium is introduced, thereby forming a copper-metal cap layer. In another embodiment, a copper-metal silicide cap is provided. In this embodiment, silane is introduced before, during, or after a process gas is introduced, the process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium. Thereafter, an optional etch stop layer may be formed, and a second dielectric layer may be formed over the etch stop layer or the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，盖层可以通过原位沉积工艺形成，其中引入包含锗，砷，钨或镓的工艺气体，从而形成铜 - 金属帽层。 在另一个实施例中，提供铜 - 金属硅化物帽。 在该实施方案中，在引入工艺气体之前，期间或之后引入硅烷，该工艺气体包括锗，砷，钨或镓。 此后，可以形成可选的蚀刻停止层，并且可以在蚀刻停止层或第一介电层上方形成第二介电层。

公开(公告)号：US20100090342A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12251974

申请日：2008-10-15

申请人： Hui-Lin Chang ,  Chih-Lung Lin ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Chih-Lung Lin ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming interconnect structure includes providing a substrate; forming a low-k dielectric layer over the substrate; forming an opening in the low-k dielectric layer; after the step of forming the opening, performing a silicon/germanium soaking process to exposed surfaces of the low-k dielectric layer; and after the silicon/germanium soaking process, filling the opening.

摘要翻译： 一种用于形成互连结构的方法包括：提供衬底; 在衬底上形成低k电介质层; 在低k电介质层中形成开口; 在形成开口的步骤之后，对低k电介质层的暴露表面进行硅/锗均热处理; 并在硅/锗浸泡过程之后，填充开口。

公开(公告)号：US20080233745A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US11738982

申请日：2007-04-23

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/441

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, the cap layer may be formed by an in-situ deposition process in which a process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium is introduced, thereby forming a copper-metal cap layer. In another embodiment, a copper-metal silicide cap is provided. In this embodiment, silane is introduced before, during, or after a process gas is introduced, the process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium. Thereafter, an optional etch stop layer may be formed, and a second dielectric layer may be formed over the etch stop layer or the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，盖层可以通过原位沉积工艺形成，其中引入包含锗，砷，钨或镓的工艺气体，从而形成铜 - 金属帽层。 在另一个实施例中，提供铜 - 金属硅化物帽。 在该实施方案中，在引入工艺气体之前，期间或之后引入硅烷，该工艺气体包括锗，砷，钨或镓。 此后，可以形成可选的蚀刻停止层，并且可以在蚀刻停止层或第一介电层上方形成第二介电层。

公开(公告)号：US09385034B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US11786367

申请日：2007-04-11

申请人： Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

发明人： Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76883

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate; a dielectric layer over the semiconductor substrate; a conductive wiring in the dielectric layer; and a metal carbide cap layer over the conductive wiring.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体衬底; 半导体衬底上的电介质层; 电介质层中的导电布线; 以及导电布线上的金属碳化物盖层。

公开(公告)号：US20120049371A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13290811

申请日：2011-11-07

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, a conductive layer is located within a dielectric layer and a top surface of the conductive layer has either a recess, a convex surface, or is planar. An alloy layer overlies the conductive layer and is a silicide alloy having a first material from the conductive layer and a second material of germanium, arsenic, tungsten, or gallium.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，导电层位于电介质层内，并且导电层的顶表面具有凹陷，凸面或平面。 合金层覆盖在导电层上，并且是具有来自导电层的第一材料和锗，砷，钨或镓的第二材料的硅化物合金。

公开(公告)号：US20090014877A1

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：US11775098

申请日：2007-07-09

申请人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure with improved reliability is provided. The interconnect structure includes a semiconductor substrate; a dielectric layer over the semiconductor substrate; a metallic wiring in the dielectric layer; a pre-layer over the metallic wiring, wherein the pre-layer contains boron; and a metal cap over the pre-layer, wherein the metal cap contains tungsten, and wherein the pre-layer and the metal cap are formed of different materials.

摘要翻译： 提供了具有可靠性提高的互连结构。 互连结构包括半导体衬底; 半导体衬底上的电介质层; 电介质层中的金属布线; 金属布线上的预层，其中预层含有硼; 以及在所述预层之上的金属盖，其中所述金属盖包含钨，并且其中所述预层和所述金属帽由不同的材料形成。