公开(公告)号：US08101437B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12981429

申请日：2010-12-29

申请人： Hung-Chun Tsai ,  Liang-Ji Chen ,  Yu-Ting Lin ,  Yaw-Ming Tsai

发明人： Hung-Chun Tsai ,  Liang-Ji Chen ,  Yu-Ting Lin ,  Yaw-Ming Tsai

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/548

摘要： A method for manufacturing three-terminal solar cell array is provided. In this method, only four major scribing or etching steps are needed to expose the three conductive layers of the three-terminal solar cell and isolate the individual solar cells.

摘要翻译： 提供一种制造三端子太阳能电池阵列的方法。 在这种方法中，仅需要四个主要的划线或蚀刻步骤来暴露三端子太阳能电池的三个导电层并隔离各个太阳能电池。

公开(公告)号：US08053356B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12902877

申请日：2010-10-12

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, the cap layer may be formed by an in-situ deposition process in which a process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium is introduced, thereby forming a copper-metal cap layer. In another embodiment, a copper-metal silicide cap is provided. In this embodiment, silane is introduced before, during, or after a process gas is introduced, the process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium. Thereafter, an optional etch stop layer may be formed, and a second dielectric layer may be formed over the etch stop layer or the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，盖层可以通过原位沉积工艺形成，其中引入包含锗，砷，钨或镓的工艺气体，从而形成铜 - 金属帽层。 在另一个实施例中，提供铜 - 金属硅化物帽。 在该实施方案中，在引入工艺气体之前，期间或之后引入硅烷，该工艺气体包括锗，砷，钨或镓。 此后，可以形成可选的蚀刻停止层，并且可以在蚀刻停止层或第一介电层上方形成第二介电层。

公开(公告)号：US07655556B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US11738982

申请日：2007-04-23

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, the cap layer may be formed by an in-situ deposition process in which a process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium is introduced, thereby forming a copper-metal cap layer. In another embodiment, a copper-metal silicide cap is provided. In this embodiment, silane is introduced before, during, or after a process gas is introduced, the process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium. Thereafter, an optional etch stop layer may be formed, and a second dielectric layer may be formed over the etch stop layer or the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，盖层可以通过原位沉积工艺形成，其中引入包含锗，砷，钨或镓的工艺气体，从而形成铜 - 金属帽层。 在另一个实施例中，提供铜 - 金属硅化物帽。 在该实施方案中，在引入工艺气体之前，期间或之后引入硅烷，该工艺气体包括锗，砷，钨或镓。 此后，可以形成可选的蚀刻停止层，并且可以在蚀刻停止层或第一介电层上方形成第二介电层。

公开(公告)号：US6159387A

公开(公告)日：2000-12-12

申请号：US972528

申请日：1997-11-18

申请人： Tse-Chi Mou ,  Yee-Shyi Chang ,  Arnold Chang-Mou Yang ,  Chin-Yi Chou ,  Kou-Yow Tseng ,  Ying-Lun Chang ,  Shiang-Ching Cheng ,  Hung-Chun Tsai

发明人： Tse-Chi Mou ,  Yee-Shyi Chang ,  Arnold Chang-Mou Yang ,  Chin-Yi Chou ,  Kou-Yow Tseng ,  Ying-Lun Chang ,  Shiang-Ching Cheng ,  Hung-Chun Tsai

IPC分类号： B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B41J2/05 ,  G01D15/18

CPC分类号： B41J2/1631 ,  B41J2/14129 ,  B41J2/1603 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/03

摘要： A manufacturing process and a structure for an ink jet printhead with high quality, yield rate, and performance are provided. The process includes steps of: a) providing a substrate, b) forming a dielectric layer over the substrate, c) forming a resistor over the dielectric layer, d) forming a conducting layer over a portion of the resistor, e) forming a passivation over a portion of the conducting layer and another portion of the resistor not covered by the conducting layer, f) forming a hole over the passivation for storing an ink, and g) forming a nozzle over the hole for ejecting therethrough the ink.

摘要翻译： 提供了具有高品质，成品率和性能的喷墨打印头的制造工艺和结构。 该方法包括以下步骤：a）提供衬底，b）在衬底上形成电介质层，c）在电介质层上形成电阻器，d）在电阻器的一部分上形成导电层，e）形成钝化层 在所述导电层的一部分上并且所述电阻器的另一部分未被所述导电层覆盖，f）在所述钝化物上形成用于存储墨水的孔，以及g）在所述孔上形成用于从其中喷射的喷嘴。

公开(公告)号：US20110155230A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12965591

申请日：2010-12-10

申请人： Hung-Chun Tsai ,  Chi-Lai Lee ,  Yu-Ting Lin ,  Yaw-Ming Tsai

发明人： Hung-Chun Tsai ,  Chi-Lai Lee ,  Yu-Ting Lin ,  Yaw-Ming Tsai

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L25/047 ,  H01L31/043 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

摘要： A multi-bandgap solar cell is produced by using a transparent intercellular layer to bind two solar cells with different bandgaps. The intercellular layer has at least an adhesive layer.

摘要翻译： 通过使用透明细胞间层来结合具有不同带隙的两个太阳能电池来制造多带隙太阳能电池。 细胞间层至少具有粘合剂层。

公开(公告)号：US07834458B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US12638022

申请日：2009-12-15

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, the cap layer may be formed by an in-situ deposition process in which a process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium is introduced, thereby forming a copper-metal cap layer. In another embodiment, a copper-metal silicide cap is provided. In this embodiment, silane is introduced before, during, or after a process gas is introduced, the process gas comprising germanium, arsenic, tungsten, or gallium. Thereafter, an optional etch stop layer may be formed, and a second dielectric layer may be formed over the etch stop layer or the first dielectric layer.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，盖层可以通过原位沉积工艺形成，其中引入包含锗，砷，钨或镓的工艺气体，从而形成铜 - 金属帽层。 在另一个实施例中，提供铜 - 金属硅化物帽。 在该实施方案中，在引入工艺气体之前，期间或之后引入硅烷，该工艺气体包括锗，砷，钨或镓。 此后，可以形成可选的蚀刻停止层，并且可以在蚀刻停止层或第一介电层上方形成第二介电层。

公开(公告)号：US07629273B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11523674

申请日：2006-09-19

申请人： Chen-Hua Yu ,  Hung Chun Tsai ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Hung Chun Tsai ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a substrate comprising a first device region, forming a metal-oxide-semiconductor (MOS) device in the first device region, forming a stressed layer over the MOS device, and performing a post-treatment to modulate a stress of the stressed layer. The post-treatment is selected from the group consisting essentially of ultra-violet (UV) curing, laser curing, e-Beam curing, and combinations thereof.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括提供包括第一器件区域的衬底，在第一器件区域中形成金属氧化物半导体（MOS）器件，在MOS器件上形成应力层，并进行后处理 调节应力层的应力。 后处理选自基本上由紫外线（UV）固化，激光固化，电子束固化及其组合组成的组。

公开(公告)号：US20090275195A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12500796

申请日：2009-07-10

申请人： Chen-Hua Yu ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Hung Chun Tsai

发明人： Chen-Hua Yu ,  Yung-Cheng Lu ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Hung Chun Tsai

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An interconnect structure of an integrated circuit and a method for forming the same are provided. The interconnect structure includes a semiconductor substrate, a low-k dielectric layer over the semiconductor substrate, a conductor in the low-k dielectric layer, and a cap layer on the conductor. The cap layer has at least a top portion comprising a metal silicide/germanide.

摘要翻译： 提供集成电路的互连结构及其形成方法。 互连结构包括半导体衬底，半导体衬底上的低k电介质层，低k电介质层中的导体和导体上的覆盖层。 盖层至少具有包含金属硅化物/锗化物的顶部。

公开(公告)号：US20080085607A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11523674

申请日：2006-09-19

申请人： Chen-Hua Yu ,  Hung Chun Tsai ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

发明人： Chen-Hua Yu ,  Hung Chun Tsai ,  Hui-Lin Chang ,  Ting-Yu Shen ,  Yung-Cheng Lu

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a substrate comprising a first device region, forming a metal-oxide-semiconductor (MOS) device in the first device region, forming a stressed layer over the MOS device, and performing a post-treatment to modulate a stress of the stressed layer. The post-treatment is selected from the group consisting essentially of ultra-violet (UV) curing, laser curing, e-Beam curing, and combinations thereof.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括提供包括第一器件区域的衬底，在第一器件区域中形成金属氧化物半导体（MOS）器件，在MOS器件上形成应力层，并进行后处理 调节应力层的应力。 后处理选自基本上由紫外线（UV）固化，激光固化，电子束固化及其组合组成的组。

公开(公告)号：US08330275B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US13290811

申请日：2011-11-07

申请人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

发明人： Hui-Lin Chang ,  Hung Chun Tsai ,  Yung-Cheng Lu ,  Syun-Ming Jang

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A cap layer for a copper interconnect structure formed in a first dielectric layer is provided. In an embodiment, a conductive layer is located within a dielectric layer and a top surface of the conductive layer has either a recess, a convex surface, or is planar. An alloy layer overlies the conductive layer and is a silicide alloy having a first material from the conductive layer and a second material of germanium, arsenic, tungsten, or gallium.

摘要翻译： 提供了形成在第一介电层中的铜互连结构的盖层。 在一个实施例中，导电层位于电介质层内，并且导电层的顶表面具有凹陷，凸面或平面。 合金层覆盖在导电层上，并且是具有来自导电层的第一材料和锗，砷，钨或镓的第二材料的硅化物合金。