公开(公告)号：US07427803B2

公开(公告)日：2008-09-23

申请号：US11525603

申请日：2006-09-22

申请人： Clinton Chao ,  Chao-Shun Hsu ,  Mark Shane Peng ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

发明人： Clinton Chao ,  Chao-Shun Hsu ,  Mark Shane Peng ,  Szu Wei Lu ,  Tjandra Winata Karta

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L23/585 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014

摘要： An isolation structure for electromagnetic interference includes a semiconductor substrate, a first integrated circuit in the semiconductor substrate, a second integrated circuit in the semiconductor substrate, and an isolation structure in a direct path between the first and the second integrated circuits, wherein the isolation structure comprises a through-silicon via.

摘要翻译： 用于电磁干扰的隔离结构包括半导体衬底，半导体衬底中的第一集成电路，半导体衬底中的第二集成电路以及第一和第二集成电路之间的直接路径中的隔离结构，其中隔离结构 包括通硅通孔。

公开(公告)号：US08492872B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US11868392

申请日：2007-10-05

申请人： Li-Chun Yang ,  Ming-Ta Yang ,  Chao-Shun Hsu

发明人： Li-Chun Yang ,  Ming-Ta Yang ,  Chao-Shun Hsu

IPC分类号： H01L27/08

CPC分类号： H01L27/08 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure for providing isolations for on-chip inductors comprises a semiconductor substrate, one or more on-chip inductors formed above the first semiconductor substrate, a plurality of through-silicon-vias formed through the first semiconductor substrate in a vicinity of the one or more on-chip inductors, and one or more conductors coupling at least one of the plurality of through-silicon-vias to a ground, wherein the plurality of through-silicon-vias provide isolations for the one or more on-chip inductors.

公开(公告)号：US20090090995A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US11868392

申请日：2007-10-05

申请人： Li-Chun Yang ,  Ming-Ta Yang ,  Chao-Shun Hsu

发明人： Li-Chun Yang ,  Ming-Ta Yang ,  Chao-Shun Hsu

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/08 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure for providing isolations for on-chip inductors comprises a semiconductor substrate, one or more on-chip inductors formed above the first semiconductor substrate, a plurality of through-silicon-vias formed through the first semiconductor substrate in a vicinity of the one or more on-chip inductors, and one or more conductors coupling at least one of the plurality of through-silicon-vias to a ground, wherein the plurality of through-silicon-vias provide isolations for the one or more on-chip inductors.

摘要翻译： 用于为片上电感器提供隔离的半导体结构包括半导体衬底，形成在第一半导体衬底上方的一个或多个片上电感器，在第一半导体衬底附近通过第一半导体衬底形成的多个穿硅通孔 或更多片上电感器，以及将多个穿硅通孔中的至少一个耦合到地的一个或多个导体，其中多个通硅通孔为一个或多个片上电感器提供隔离。

公开(公告)号：US08704375B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US12613417

申请日：2009-11-05

申请人： Max Liu ,  Chao-Shun Hsu ,  Ya-Wen Tseng ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

发明人： Max Liu ,  Chao-Shun Hsu ,  Ya-Wen Tseng ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L29/417 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/4175 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043

摘要： Through substrate via barrier structures and methods are disclosed. In one embodiment, a semiconductor device includes a first substrate including an active device region disposed within isolation regions. A through substrate via is disposed adjacent to the active device region and within the first substrate. A buffer layer is disposed around at least a portion of the through substrate via, wherein the buffer layer is disposed between the isolation regions and the through substrate via.

摘要翻译： 公开了通过基板通过阻挡结构和方法。 在一个实施例中，半导体器件包括包括设置在隔离区域内的有源器件区域的第一衬底。 贯穿衬底通孔邻近有源器件区域并在第一衬底内设置。 缓冲层设置在穿过基底通孔的至少一部分周围，其中缓冲层设置在隔离区域和穿通基底通孔之间。

公开(公告)号：US20100193954A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12613417

申请日：2009-11-05

申请人： Max Liu ,  Chao-Shun Hsu ,  Ya-Wen Tseng ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

发明人： Max Liu ,  Chao-Shun Hsu ,  Ya-Wen Tseng ,  Wen-Chih Chiou ,  Weng-Jin Wu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/4175 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043

摘要： Through substrate via barrier structures and methods are disclosed. In one embodiment, a semiconductor device includes a first substrate including an active device region disposed within isolation regions. A through substrate via is disposed adjacent to the active device region and within the first substrate. A buffer layer is disposed around at least a portion of the through substrate via, wherein the buffer layer is disposed between the isolation regions and the through substrate via.

摘要翻译： 公开了通过基板通过阻挡结构和方法。 在一个实施例中，半导体器件包括包括设置在隔离区域内的有源器件区域的第一衬底。 贯穿衬底通孔邻近有源器件区域并在第一衬底内设置。 缓冲层设置在穿过基底通孔的至少一部分周围，其中缓冲层设置在隔离区域和穿通基底通孔之间。

公开(公告)号：US20100174858A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：US12348735

申请日：2009-01-05

申请人： Ming-Fa CHEN ,  Chao-Shun Hsu ,  Clinton Chih-Chieh Chao ,  Chen-Shien Chen

发明人： Ming-Fa CHEN ,  Chao-Shun Hsu ,  Clinton Chih-Chieh Chao ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： G06F13/28 ,  G06F12/00

CPC分类号： G06F13/28 ,  G06F12/0862 ,  G06F2212/6022 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： A system includes a central processing unit (CPU); a memory device in communication with the CPU, and a direct memory access (DMA) controller in communication with the CPU and the memory device. The memory device includes a plurality of vertically stacked chips and a plurality of input/output (I/O) ports. Each of the I/O ports connected to at least one of the plurality of chips through a through silicon via. The DMA controller is configured to manage to transfer of data to and from the memory device.

摘要翻译： 系统包括中央处理单元（CPU）; 与CPU通信的存储器件，以及与CPU和存储器件通信的直接存储器访问（DMA）控制器。 存储器件包括多个垂直堆叠的芯片和多个输入/输出（I / O）端口。 每个I / O端口通过硅通孔连接到多个芯片中的至少一个芯片。 DMA控制器被配置为管理将数据传送到存储器件和从存储器件传送数据。