公开(公告)号：US20110073987A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12567551

申请日：2009-09-25

申请人： Gunther Mackh ,  Uwe Seidel ,  Rainer Leuschner

发明人： Gunther Mackh ,  Uwe Seidel ,  Rainer Leuschner

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Through substrate features in semiconductor substrates are described. In one embodiment, the semiconductor device includes a through substrate via disposed in a first region of a semiconductor substrate. A through substrate conductor coil is disposed in a second region of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 描述了半导体衬底中的衬底特征。 在一个实施例中，半导体器件包括设置在半导体衬底的第一区域中的贯穿衬底通孔。 贯穿基板导体线圈设置在半导体基板的第二区域中。

公开(公告)号：US20090302480A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12135059

申请日：2008-06-06

申请人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

发明人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure and method of forming through substrate vias in forming semiconductor components are described. In one embodiment, the invention describes a method of forming a through substrate via by partially filling an opening with a fill material, and forming a first insulating layer over the first fill material thereby forming a gap over the opening. The method further includes forming a second insulating layer to close the gap thereby forming an enclosed cavity within the opening.

摘要翻译： 描述了在形成半导体部件时通过衬底通孔形成的结构和方法。 在一个实施例中，本发明描述了一种通过用填充材料部分地填充开口形成贯通衬底通孔的方法，并且在第一填充材料之上形成第一绝缘层，从而在开口上形成间隙。 该方法还包括形成第二绝缘层以封闭间隙，从而在开口内形成封闭空腔。

公开(公告)号：US20050153546A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US10755844

申请日：2004-01-12

申请人： Carsten Ahrens ,  Jakob Huber ,  Uwe Seidel

发明人： Carsten Ahrens ,  Jakob Huber ,  Uwe Seidel

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2924/3011

摘要： A method for producing a contact structure on a structured surface comprising producing a first conductive layer on the structured surface, wherein the first conductive layer comprising tungsten. A conductive seed layer is produced on the first conductive layer, the contact structure being produced by electroplating on the seed layer. The first conductive layer serves as an etch stop for selectively removing substrate material from the backside.

摘要翻译： 一种用于在结构化表面上制造接触结构的方法，包括在所述结构化表面上产生第一导电层，其中所述第一导电层包含钨。 在第一导电层上产生导电种子层，接触结构通过在种子层上电镀来制造。 第一导电层用作用于从背面选择性地去除衬底材料的蚀刻停止件。

公开(公告)号：US06380094B1

公开(公告)日：2002-04-30

申请号：US08529322

申请日：1995-09-18

申请人： Uwe Seidel ,  Rainer Braun

发明人： Uwe Seidel ,  Rainer Braun

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/68721 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/321

摘要： A method for back-etching of tungsten-coated substrate surfaces in the production of large-scale integrated circuits includes pressing a substrate against a cooled specimen holder during back-etching with a retaining ring being disposed on an edge of the substrate and only locally retaining the edge of the substrate with the retaining ring at retaining locations distributed over the circumference of the retaining ring. The retaining locations are backup-free relative to etching products liberated in the back-etching, causing the etching products to flow past the retaining locations and be purposefully deposited outside the substrate surface.

摘要翻译： 在大规模集成电路的生产中用于背面蚀刻钨涂覆的基板表面的方法包括在后蚀刻期间将基板压靠在冷却的样品保持器上，其中保持环设置在基板的边缘上并且仅局部保持 基板的边缘，其中保持环在保持位置分布在保持环的圆周上。 相对于在背面蚀刻中释放的蚀刻产物，保持位置是无备份的，导致蚀刻产物流过保持位置并有目的地沉积在衬底表面之外。

公开(公告)号：US08697574B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US12567551

申请日：2009-09-25

申请人： Gunther Mackh ,  Uwe Seidel ,  Rainer Leuschner

发明人： Gunther Mackh ,  Uwe Seidel ,  Rainer Leuschner

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Through substrate features in semiconductor substrates are described. In one embodiment, the semiconductor device includes a through substrate via disposed in a first region of a semiconductor substrate. A through substrate conductor coil is disposed in a second region of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 描述了半导体衬底中的衬底特征。 在一个实施例中，半导体器件包括设置在半导体衬底的第一区域中的贯穿衬底通孔。 贯穿基板导体线圈设置在半导体基板的第二区域中。

公开(公告)号：US08513782B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13178107

申请日：2011-07-07

申请人： Winfried Bakalski ,  Bernd Eisener ,  Uwe Seidel ,  Markus Zannoth

发明人： Winfried Bakalski ,  Bernd Eisener ,  Uwe Seidel ,  Markus Zannoth

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect of the invention relates to a shielding device for shielding from electromagnetic radiation, including a shielding base element, a shielding cover element and a shielding lateral element for electrically connecting the base element to the cover element in such that a circuit part to be shielded is arranged within the shielding elements. Since at least one partial section of the shielding elements includes a semiconductor material, a shielding device can be realized completely and cost-effectively in an integrated circuit.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及一种用于屏蔽电磁辐射的屏蔽装置，包括屏蔽基座元件，屏蔽盖元件和用于将基座元件电连接到覆盖元件的屏蔽横向元件，使得屏蔽电路部分 布置在屏蔽元件内。 由于屏蔽元件的至少一部分包括半导体材料，因此可以在集成电路中完全且成本有效地实现屏蔽装置。

公开(公告)号：US07772123B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US12135059

申请日：2008-06-06

申请人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

发明人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure and method of forming through substrate vias in forming semiconductor components are described. In one embodiment, the invention describes a method of forming the through substrate via by filling an opening with a first fill material and depositing a first insulating layer over the first fill material, the first insulating layer not being deposited on sidewalls of the fill material in the opening, wherein sidewalls of the first insulating layer form a gap over the opening. The method further includes forming a void by sealing the opening using a second insulating layer.

摘要翻译： 描述了在形成半导体部件时通过衬底通孔形成的结构和方法。 在一个实施例中，本发明描述了一种通过用第一填充材料填充开口形成通孔基底通孔的方法，并且在第一填充材料上沉积第一绝缘层，第一绝缘层未沉积在填充材料的侧壁上 所述开口，其中所述第一绝缘层的侧壁在所述开口上形成间隙。 该方法还包括通过使用第二绝缘层密封开口来形成空隙。

公开(公告)号：US07395587B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US10942670

申请日：2004-09-16

申请人： Frank Catallo ,  Uwe Seidel

发明人： Frank Catallo ,  Uwe Seidel

IPC分类号： D06C21/00

CPC分类号： D06C21/00

摘要： Devices for adjusting positions of: a removable slip sheet in a compression zone defined by a pair of rollers of an open width textile compressive shrinking machine to adjust a size of the compression zone for various thickness and types of textiles; a wedge between the pair of rollers for spacing apart the pair of rollers a predetermined dimension; and a shoe in the compression zone for allowing for different thickness and types of textiles.

摘要翻译： 用于调节位置的装置：在由宽幅织物压缩收缩机的一对辊限定的压缩区域中的可移动滑动片，用于调整各种厚度和类型的纺织品的压缩区域的尺寸; 所述一对辊之间的楔形件用于将所述一对辊间隔开预定尺寸; 以及用于允许不同厚度和类型的纺织品的压缩区域中的鞋。

公开(公告)号：US20070262422A1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：US11742198

申请日：2007-04-30

申请人： Winfried Bakalski ,  Bernd Eisener ,  Uwe Seidel ,  Markus Zannoth

发明人： Winfried Bakalski ,  Bernd Eisener ,  Uwe Seidel ,  Markus Zannoth

IPC分类号： H01L23/552

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One aspect of the invention relates to a shielding device for shielding from electromagnetic radiation, including a shielding base element, a shielding cover element and a shielding lateral element for electrically connecting the base element to the cover element in such that a circuit part to be shielded is arranged within the shielding elements. Since at least one partial section of the shielding elements includes a semiconductor material, a shielding device can be realized completely and cost-effectively in an integrated circuit.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及一种用于屏蔽电磁辐射的屏蔽装置，包括屏蔽基座元件，屏蔽盖元件和屏蔽横向元件，用于将基座元件电连接到覆盖元件，使屏蔽电路部分 布置在屏蔽元件内。 由于屏蔽元件的至少一部分包括半导体材料，因此可以在集成电路中完全且成本有效地实现屏蔽装置。

公开(公告)号：US08399936B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US12790220

申请日：2010-05-28

申请人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

发明人： Albert Birner ,  Uwe Hoeckele ,  Thomas Kunstmann ,  Uwe Seidel

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure and method of forming through substrate vias in forming semiconductor components are described. In one embodiment, the invention describes a method of forming a through substrate via by partially filling an opening with a fill material, and forming a first insulating layer over the first fill material thereby forming a gap over the opening. The method further includes forming a second insulating layer to close the gap thereby forming an enclosed cavity within the opening.

摘要翻译： 描述了在形成半导体部件时通过衬底通孔形成的结构和方法。 在一个实施例中，本发明描述了一种通过用填充材料部分地填充开口形成贯通衬底通孔的方法，并且在第一填充材料之上形成第一绝缘层，从而在开口上形成间隙。 该方法还包括形成第二绝缘层以封闭间隙，从而在开口内形成封闭空腔。