公开(公告)号：US20110313194A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13064896

申请日：2011-04-25

申请人： Sung-hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Sung-hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： C07F5/02 ,  C23C16/22 ,  C23C16/44 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： Graphene, a method of fabricating the same, and a transistor having the graphene are provided, the graphene includes a structure of carbon (C) atoms partially substituted with boron (B) atoms and nitrogen (N) atoms. The graphene has a band gap. The graphene substituted with boron and nitrogen may be used as a channel of a field effect transistor. The graphene may be formed by performing chemical vapor deposition (CVD) method using borazine or ammonia borane as a boron nitride (B—N) precursor.

摘要翻译： 提供石墨烯，其制造方法和具有石墨烯的晶体管，石墨烯包括部分被硼（B）原子和氮（N）原子取代的碳（C）原子的结构。 石墨烯具有带隙。 用硼和氮取代的石墨烯可以用作场效应晶体管的通道。 可以通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼（B-N）前体进行化学气相沉积（CVD）方法来形成石墨烯。

公开(公告)号：US20110108521A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12923428

申请日：2010-09-21

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Su-kang Bae ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo ,  Myung-hee Jung

IPC分类号： B44C3/10 ,  B44C1/00 ,  B65H81/00

CPC分类号： C01B31/0206 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  Y10T156/1041

摘要： Example embodiments relate to methods of manufacturing and transferring a larger-sized graphene layer. A method of transferring a larger-sized graphene layer may include forming a graphene layer, a protection layer, and an adhesive layer on a substrate and removing the substrate. The graphene layer may be disposed on a transferring substrate by sliding the graphene layer onto the transferring substrate.

摘要翻译： 示例实施例涉及制造和传送较大尺寸石墨烯层的方法。 转移较大尺寸石墨烯层的方法可以包括在基板上形成石墨烯层，保护层和粘合剂层，并去除基板。 石墨烯层可以通过将石墨烯层滑动到转印衬底上而设置在转印衬底上。

公开(公告)号：US09359211B2

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：US12805084

申请日：2010-07-12

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： C01B31/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  B01J23/755 ,  B01J37/34

CPC分类号： C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

摘要： Methods of fabricating graphene using an alloy catalyst may include forming an alloy catalyst layer including nickel on a substrate and forming a graphene layer by supplying hydrocarbon gas onto the alloy catalyst layer. The alloy catalyst layer may include nickel and at least one selected from the group consisting of copper, platinum, iron and gold. When the graphene is fabricated, a catalyst metal that reduces solubility of carbon in Ni may be used together with Ni in the alloy catalyst layer. An amount of carbon that is dissolved may be adjusted and a uniform graphene monolayer may be fabricated.

摘要翻译： 使用合金催化剂制造石墨烯的方法可以包括在基板上形成包含镍的合金催化剂层，并通过向合金催化剂层供给烃气体来形成石墨烯层。 合金催化剂层可以包括镍和选自铜，铂，铁和金中的至少一种。 当制造石墨烯时，可以在合金催化剂层中与Ni一起使用降低碳在Ni中的溶解度的催化剂金属。 可以调节溶解的碳的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：US08421131B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12929817

申请日：2011-02-17

申请人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

发明人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/124 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A graphene electronic device may include a silicon substrate, connecting lines on the silicon substrate, a first electrode and a second electrode on the silicon substrate, and an interlayer dielectric on the silicon substrate. The interlayer dielectric may be configured to cover the connecting lines and the first and second electrodes and the interlayer dielectric may be further configured to expose at least a portion of the first and second electrodes. The graphene electronic device may further include an insulating layer on the interlayer dielectric and a graphene layer on the insulating layer, the graphene layer having a first end and a second end. The first end of the graphene layer may be connected to the first electrode and the second end of the graphene layer may be connected to the second electrode.

摘要翻译： 石墨烯电子器件可以包括硅衬底，硅衬底上的连接线，硅衬底上的第一电极和第二电极，以及硅衬底上的层间电介质。 层间电介质可以被配置为覆盖连接线，并且第一和第二电极和层间电介质可以被进一步配置为暴露第一和第二电极的至少一部分。 所述石墨烯电子器件还可以包括在所述层间电介质上的绝缘层和所述绝缘层上的石墨烯层，所述石墨烯层具有第一端和第二端。 石墨烯层的第一端可以连接到第一电极，并且石墨烯层的第二端可以连接到第二电极。

公开(公告)号：US08159037B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12230487

申请日：2008-08-29

申请人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung ,  Dae-young Jeon

发明人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung ,  Dae-young Jeon

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02491 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/12674

摘要： Provided are a stack structure including an epitaxial graphene, a method of forming the stack structure, and an electronic device including the stack structure. The stack structure includes: a Si substrate; an under layer formed on the Si substrate; and at least one epitaxial graphene layer formed on the under layer.

摘要翻译： 提供了包括外延石墨烯的堆叠结构，形成堆叠结构的方法和包括堆叠结构的电子器件。 堆叠结构包括：Si衬底; 在Si衬底上形成的底层; 以及形成在下层上的至少一个外延石墨烯层。

公开(公告)号：US20090294759A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12230487

申请日：2008-08-29

申请人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung ,  Dae-young Jeon

发明人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung ,  Dae-young Jeon

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02491 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/12674

摘要： Provided are a stack structure including an epitaxial graphene, a method of forming the stack structure, and an electronic device including the stack structure. The stack structure includes: a Si substrate; an under layer formed on the Si substrate; and at least one epitaxial graphene layer formed on the under layer.

摘要翻译： 提供了包括外延石墨烯的堆叠结构，形成堆叠结构的方法和包括堆叠结构的电子器件。 堆叠结构包括：Si衬底; 在Si衬底上形成的底层; 以及形成在下层上的至少一个外延石墨烯层。

公开(公告)号：US08513653B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12923163

申请日：2010-09-07

申请人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung

发明人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684

摘要： An electronic device, a transparent display and methods for fabricating the same are provided, the electronic device including a first, a second and a third element each formed of a two-dimensional (2D) sheet material. The first, second, and third elements are stacked in a sequential order or in a reverse order. The second element is positioned between the first element and the third element. The second element has an insulator property, the first and third elements have a metal property or a semiconductor property.

摘要翻译： 提供一种电子设备，透明显示器及其制造方法，电子设备包括由二维（2D）片材形成的第一，第二和第三元件。 第一，第二和第三元件以顺序或相反的顺序堆叠。 第二元件位于第一元件和第三元件之间。 第二元件具有绝缘体特性，第一和第三元件具有金属性质或半导体特性。

公开(公告)号：US20110089403A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12923163

申请日：2010-09-07

申请人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung

发明人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684

摘要： An electronic device, a transparent display and methods for fabricating the same are provided, the electronic device including a first, a second and a third element each formed of a two-dimensional (2D) sheet material. The first, second, and third elements are stacked in a sequential order or in a reverse order. The second element is positioned between the first element and the third element. The second element has an insulator property, the first and third elements have a metal property or a semiconductor property.

摘要翻译： 提供一种电子设备，透明显示器及其制造方法，电子设备包括由二维（2D）片材形成的第一，第二和第三元件。 第一，第二和第三元件以顺序或相反的顺序堆叠。 第二元件位于第一元件和第三元件之间。 第二元件具有绝缘体特性，第一和第三元件具有金属性质或半导体特性。

公开(公告)号：US08592799B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13067254

申请日：2011-05-19

申请人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/842

摘要： A graphene electronic device and a method of fabricating the graphene electronic device are provided. The graphene electronic device may include a graphene channel layer formed on a hydrophobic polymer layer, and a passivation layer formed on the graphene channel layer. The hydrophobic polymer layer may prevent or reduce adsorption of impurities to transferred graphene, and a passivation layer may also prevent or reduce adsorption of impurities to a heat-treated graphene channel layer.

摘要翻译： 提供石墨烯电子器件和制造石墨烯电子器件的方法。 石墨烯电子器件可以包括形成在疏水聚合物层上的石墨烯通道层和形成在石墨烯通道层上的钝化层。 疏水性聚合物层可以防止或减少杂质对转移的石墨烯的吸附，并且钝化层也可以防止或减少杂质对经热处理的石墨烯通道层的吸附。

公开(公告)号：US08575665B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13224941

申请日：2011-09-02

申请人： Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  Y10S977/936

摘要： The graphene electronic device may include a gate oxide on a conductive substrate, the conductive substrate configured to function as a gate electrode, a pair of first metals on the gate oxide, the pair of the first metals separate from each other, a graphene channel layer extending between the first metals and on the first metals, and a source electrode and a drain electrode on both edges of the graphene channel layer.