公开(公告)号：US20140095780A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US13631781

申请日：2012-09-28

申请人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert

发明人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C7/1072 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40611 ,  G11C11/4078

摘要： A memory controller issues a targeted refresh command in response to detection by a distributed detector. A memory device includes detection logic that monitors for a row hammer event, which is a threshold number of accesses to a row within a time threshold that can cause data corruption to a physically adjacent row (a “victim” row). The memory device sends an indication of the row hammer event to the memory controller. In response to the row hammer event indication, the memory controller sends one or more commands to the memory device to cause the memory device to perform a targeted refresh that will refresh the victim row.

摘要翻译： 存储器控制器响应于分布式检测器的检测器发出目标刷新命令。 存储器装置包括检测逻辑，该检测逻辑监视行敲击事件，该行敲击事件是对时间阈值内可能导致数据损坏到物理相邻行（“受害者”行）的行的阈值数量。 存储器件向存储器控制器发送行锤事件的指示。 响应于行锤事件指示，存储器控制器将一个或多个命令发送到存储器设备，以使存储器设备执行将刷新受害者行的目标刷新。

公开(公告)号：US08385146B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US13412930

申请日：2012-03-06

申请人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert

发明人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G06F13/161 ,  Y02D10/14

摘要： Methods and apparatus to improve throughput in memory devices are described. In one embodiment, memory throughput is increased via fine granularity of precharge management. In an embodiment, three separate precharge timings may be used, e.g., optimized per memory bank, per memory bank group, and/or per a memory device. Other embodiments are also disclosed and claimed.

摘要翻译： 描述了用于提高存储器设备中的吞吐量的方法和装置。 在一个实施例中，通过预充电管理的细粒度来增加存储器吞吐量。 在一个实施例中，可以使用三个单独的预充电定时，例如每个存储体组和/或每个存储器件优化每个存储体。 还公开并要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US09530468B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：US14498509

申请日：2014-09-26

申请人： John B. Halbert ,  Bruce A. Christenson ,  Kuljit S. Bains

发明人： John B. Halbert ,  Bruce A. Christenson ,  Kuljit S. Bains

IPC分类号： G06F12/00 ,  G11C7/10 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4093 ,  G11C11/4094 ,  G06F13/16 ,  G06F21/79

CPC分类号： G11C7/1072 ,  G06F13/1668 ,  G06F13/1689 ,  G06F21/79 ,  G11C7/1045 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/1063 ,  G11C7/109 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4093 ,  G11C11/4094 ,  Y02D10/14

摘要： Techniques and mechanisms for exchanging information between a memory controller and a memory device. In an embodiment, a memory controller receives information indicating for a memory device a threshold number of pending consolidated activation commands to access that memory device. The threshold number indicated by the information is less than a theoretical maximum number of pending consolidated activation commands, the theoretical maximum number defined based on timing parameters of the memory device. In another embodiment, the memory controller limits communication of consolidated activation commands to the memory device based on the information indicating the threshold number.

摘要翻译： 用于在存储器控制器和存储器件之间交换信息的技术和机制。 在一个实施例中，存储器控制器接收指示存储器设备访问该存储器设备的临时统一激活命令的阈值数量的信息。 由信息指示的阈值数小于待处理的合并激活命令的理论最大数量，基于存储器件的定时参数定义的理论最大数量。 在另一个实施例中，存储器控制器基于指示阈值数量的信息来限制合并的激活命令到存储器设备的通信。

公开(公告)号：US20140006703A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13539415

申请日：2012-06-30

申请人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert ,  Christopher P. Mozak ,  Theodore Z. Schoenborn ,  Zvika Greenfield

发明人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert ,  Christopher P. Mozak ,  Theodore Z. Schoenborn ,  Zvika Greenfield

IPC分类号： G11C11/406

CPC分类号： G11C11/4091 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0673 ,  G06F2212/7211 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40611 ,  G11C11/40618 ,  G11C11/40622

摘要： A memory controller issues a targeted refresh command. A specific row of a memory device can be the target of repeated accesses. When the row is accessed repeatedly within a time threshold (also referred to as “hammered” or a “row hammer event”), physically adjacent row (a “victim” row) may experience data corruption. The memory controller receives an indication of a row hammer event, identifies the row associated with the row hammer event, and sends one or more commands to the memory device to cause the memory device to perform a targeted refresh that will refresh the victim row.

公开(公告)号：US08130576B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12165214

申请日：2008-06-30

申请人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert

发明人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G06F13/161 ,  Y02D10/14

摘要： Methods and apparatus to improve throughput in memory devices are described. In one embodiment, memory throughput is increased via fine granularity of precharge management. In an embodiment, three separate precharge timings may be used, e.g., optimized per memory bank, per memory bank group, and/or per a memory device. Other embodiments are also disclosed and claimed.

摘要翻译： 描述了用于提高存储器设备中的吞吐量的方法和装置。 在一个实施例中，通过预充电管理的细粒度来增加存储器吞吐量。 在一个实施例中，可以使用三个单独的预充电定时，例如每个存储体组和/或每个存储器件优化每个存储体。 还公开并要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US07050351B2

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：US10750038

申请日：2003-12-30

申请人： John B. Halbert ,  Robert M. Ellis ,  Kuljit S. Bains ,  Chris B. Freeman

发明人： John B. Halbert ,  Robert M. Ellis ,  Kuljit S. Bains ,  Chris B. Freeman

IPC分类号： G11C8/00

CPC分类号： G11C7/1012 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/1051 ,  G11C11/4096 ,  G11C2207/005

摘要： Provision and use of sets of isolators to enable the caching of the contents of at least one row of memory cells within a subarray of a bank of a memory device by a row of sense amplifiers associated with the subarray to enable faster access to read the contents of that at least one row through a read operation causing the data to read from the row of sense amplifiers versus from the row of memory cells, directly.

摘要翻译： 提供和使用隔离器组，以使得能够通过与子阵列相关联的一行读出放大器将存储器件组的子阵列内的至少一行存储器单元的内容缓存以使得能够更快地访问内容读取内容 通过读取操作使至少一行直接从存储器单元行读取数据从读出放大器行读取。

公开(公告)号：US20160117219A1

公开(公告)日：2016-04-28

申请号：US14918428

申请日：2015-10-20

申请人： John B. Halbert ,  Kuljit S. Bains ,  Debaleena Das ,  Bill Nale

发明人： John B. Halbert ,  Kuljit S. Bains ,  Debaleena Das ,  Bill Nale

IPC分类号： G06F11/10 ,  G06F11/07

CPC分类号： G06F11/1004 ,  G06F11/073 ,  G06F11/076 ,  G06F11/0772 ,  G06F11/08 ,  G06F13/00

摘要： Techniques and mechanisms to provide selective access to data error information by a memory controller. In an embodiment, a memory device stores a first value representing a baseline number of data errors determined prior to operation of the memory device with the memory controller. Error detection logic of the memory device determines a current count of data errors, and calculates a second value representing a difference between the count of data errors and the baseline number of data errors. The memory device provides the second value to the memory controller, which is unable to identify that the second value is a relative error count. In another embodiment, the memory controller is restricted from retrieving the baseline number of data errors.

摘要翻译： 通过存储器控制器提供对数据错误信息的选择性访问的技术和机制。 在一个实施例中，存储器设备存储表示在存储器设备与存储器控制器操作之前确定的数据错误的基线数量的第一值。 存储器件的错误检测逻辑确定数据错误的当前计数，并且计算表示数据错误计数与数据错误的基线数目之间的差异的第二值。 存储器件向存储器控制器提供第二值，其不能识别第二值是相对误差计数。 在另一个实施例中，限制存储器控制器检索数据错误的基线数量。

公开(公告)号：US20160092307A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：US14498657

申请日：2014-09-26

申请人： Nadav Bonen ,  Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert

发明人： Nadav Bonen ,  Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert

IPC分类号： G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1076 ,  G06F11/1004 ,  G06F11/1048

摘要： Exposing internal error correction bits from a memory device for use as metadata bits by an external memory controller. In a first mode the memory device applies internal error correction bits for internal error correction at the memory device. In a second mode the memory device exposes the internal error correction bits to the memory controller to allow the memory controller to use the data.

摘要翻译： 从存储器件中公开内部纠错位，用于由外部存储器控制器用作元数据位。 在第一模式中，存储器件在存储器件处应用用于内部纠错的内部纠错位。 在第二模式中，存储器件将内部纠错位公开到存储器控制器，以允许存储器控制器使用数据。

公开(公告)号：US09236110B2

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：US13539415

申请日：2012-06-30

申请人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert ,  Christopher P. Mozak ,  Theodore Z. Schoenborn ,  Zvika Greenfield

发明人： Kuljit S. Bains ,  John B. Halbert ,  Christopher P. Mozak ,  Theodore Z. Schoenborn ,  Zvika Greenfield

IPC分类号： G06F12/12 ,  G11C11/406

CPC分类号： G11C11/4091 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0673 ,  G06F2212/7211 ,  G11C11/406 ,  G11C11/40611 ,  G11C11/40618 ,  G11C11/40622

摘要： A memory controller issues a targeted refresh command. A specific row of a memory device can be the target of repeated accesses. When the row is accessed repeatedly within a time threshold (also referred to as “hammered” or a “row hammer event”), physically adjacent row (a “victim” row) may experience data corruption. The memory controller receives an indication of a row hammer event, identifies the row associated with the row hammer event, and sends one or more commands to the memory device to cause the memory device to perform a targeted refresh that will refresh the victim row.

公开(公告)号：US20140085995A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：US13626479

申请日：2012-09-25

申请人： Zvika Greenfield ,  John B. Halbert ,  Kuljit S. Bains

发明人： Zvika Greenfield ,  John B. Halbert ,  Kuljit S. Bains

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G11C7/24

摘要： Techniques and mechanisms for determining a count of accesses to a row of a memory device. In an embodiment, the memory device includes a counter comprising circuitry to increment a value of the count in response to detecting a command to activate the row. Circuitry of counter may further set a value of the count to a baseline value in response to detecting a command to refresh the row. In another embodiment, the memory device includes evaluation logic to compare a value of the count to a threshold value. A signal is generated based on the comparison to indicate whether a row hammer event for the row is indicated.

摘要翻译： 用于确定对存储器设备的行的访问的计数的技术和机制。 在一个实施例中，存储器装置包括计数器，该计数器包括响应于检测到激活该行的命令来递增计数值的电路。 响应于检测到刷新行的命令，计数器的电路还可以将计数值设置为基准值。 在另一个实施例中，存储器装置包括用于将计数值与阈值进行比较的评估逻辑。 基于比较生成信号，以指示是否指示行的行敲击事件。