公开(公告)号：US20060263961A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11382986

申请日：2006-05-12

申请人： Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso ,  Anil Kottantharayil ,  Marcus van Dal

发明人： Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso ,  Anil Kottantharayil ,  Marcus van Dal

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L29/785

摘要： A method for manufacturing CMOS devices with fully silicided (FUSI) gates is described. A metallic gate electrode of an NMOS transistor and a metallic gate electrode of a pMOS transistor have a different work function. The work function of each transistor type is determined by selecting a thickness of a corresponding semiconductor gate electrode and a thermal budget of a first thermal step such that, during silicidation, different silicide phases are obtained on the nMOS and the pMOS transistors. The work function of each type of transistor can be adjusted by selectively doping the semiconductor material prior to the formation of the silicide.

摘要翻译： 描述了一种用于制造具有完全硅化（FUSI）栅极的CMOS器件的方法。 NMOS晶体管的金属栅电极和pMOS晶体管的金属栅电极具有不同的功函数。 通过选择对应的半导体栅电极的厚度和第一热步骤的热预算来确定每个晶体管类型的功函数，使得在硅化期间，在nMOS和pMOS晶体管上获得不同的硅化物相。 可以通过在形成硅化物之前选择性地掺杂半导体材料来调节每种类型的晶体管的功函数。

公开(公告)号：US09177812B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US13310945

申请日：2011-12-05

申请人： Koen Martens ,  Roger Loo ,  Jorge Kittl

发明人： Koen Martens ,  Roger Loo ,  Jorge Kittl

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/28525

摘要： Disclosed are methods for manufacturing semiconductor devices and the devices thus obtained. In one embodiment, the method comprises obtaining a semiconductor substrate comprising a germanium region doped with n-type dopants at a first doping level and forming an interfacial silicon layer overlying the germanium region, where the interfacial silicon layer is doped with n-type dopants at a second doping level and has a thickness higher than a critical thickness of silicon on germanium, such that the interfacial layer is at least partially relaxed. The method further includes forming over the interfacial silicon layer a layer of material having an electrical resistivity smaller than 1×10−2 Ωcm, thereby forming an electrical contact between the germanium region and the layer of material, wherein the electrical contact has a specific contact resistivity below 10−4 Ωcm2.

摘要翻译： 公开了用于制造半导体器件的方法和由此获得的器件。 在一个实施例中，该方法包括获得半导体衬底，该半导体衬底包括在第一掺杂水平掺杂有n型掺杂剂的锗区域，并形成覆盖在锗区域上的界面硅层，其中界面硅层掺杂有n型掺杂剂 第二掺杂水平并且具有高于锗上的硅的临界厚度的厚度，使得界面层至少部分地松弛。 该方法还包括在界面硅层上形成电阻率小于1×10-2＆OHgr·cm的材料层，从而在锗区和材料层之间形成电接触，其中电接触具有 比接触电阻率低于10-4＆OHgr。cm2。

公开(公告)号：US20110147900A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12962288

申请日：2010-12-07

申请人： Christoph Adelmann ,  Johan Swerts ,  Sven Van Elshocht ,  Jorge Kittl

发明人： Christoph Adelmann ,  Johan Swerts ,  Sven Van Elshocht ,  Jorge Kittl

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/31691 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： The present disclosure is related to a dielectric layer comprising a rare-earth aluminate (RExAl2-xO3 with 0

摘要翻译： 本公开涉及包含稀土铝酸盐（RE x Al 2-x O 3，0

公开(公告)号：US20080105933A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11977079

申请日：2007-10-23

申请人： HongYu Yu ,  Shou-Zen Chang ,  Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso

发明人： HongYu Yu ,  Shou-Zen Chang ,  Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32155 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device is disclosed that comprises a fully silicided electrode formed of an alloy of a semiconductor material and a metal, a workfunction modulating element for modulating a workfunction of the alloy, and a dielectric in contact with the fully silicided electrode. At least a part of the dielectric which is in direct contact with the fully silicided electrode comprises a stopping material for substantially preventing the workfunction modulating element from implantation into and/or diffusing towards the dielectric. A method for forming such a semiconductor device is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其包括由半导体材料和金属的合金形成的完全硅化电极，用于调节合金的功函数的功函数调制元件和与完全硅化物电极接触的电介质。 与完全硅化电极直接接触的电介质的至少一部分包括用于基本上防止功函数调制元件注入和/或扩散到电介质的止动材料。 还公开了一种用于形成这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20060286802A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11382875

申请日：2006-05-11

申请人： HongYu Yu ,  Chen JingDe ,  Li Mingfu ,  Dim-Lee Kwong ,  Serge Biesemans ,  Jorge Kittl

发明人： HongYu Yu ,  Chen JingDe ,  Li Mingfu ,  Dim-Lee Kwong ,  Serge Biesemans ,  Jorge Kittl

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/785

摘要： Low work function metals for use as gate electrode in nMOS devices are provided. The low work function metals include alloys of lanthanide(s), metal and semiconductor. In particular, an alloy of nickel-ytterbium (NiYb) is used to fully silicide (FUSI) a silicon gate. The resulting nickel-ytterbium-silicon gate electrode has a work function of about 4.22 eV.

摘要翻译： 提供了用作nMOS器件中的栅电极的低功函数金属。 低功函数金属包括镧系元素，金属和半导体的合金。 特别地，使用镍 - 镱（NiYb）的合金来完全硅化（FUSI）硅栅极。 所得的镍镱硅栅电极具有约4.22eV的功函数。

公开(公告)号：US20060258156A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：US11434434

申请日：2006-05-15

申请人： Jorge Kittl

发明人： Jorge Kittl

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： A method for manufacturing fully silicided (FUSI) gates and devices, in particular MOSFET devices, is described. The method includes deposition a metal layer over a semiconductor layer of a gate stack, providing a first thermal budget to allow a partial silicidation of the semiconductor layer, selectively removing a remaining unreacted metal layer, and providing a second thermal budget to allow a full silicidation of the semiconductor layer. As a result, the silicide phase can be effectively controlled.

摘要翻译： 描述了用于制造完全硅化（FUSI）栅极和器件，特别是MOSFET器件的方法。 该方法包括在栅极堆叠的半导体层上沉积金属层，提供第一热预算以允许半导体层的部分硅化，选择性地去除剩余的未反应金属层，以及提供第二热预算以允许完全硅化 的半导体层。 结果，可以有效地控制硅化物相。