公开(公告)号：US20080105933A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：US11977079

申请日：2007-10-23

申请人： HongYu Yu ,  Shou-Zen Chang ,  Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso

发明人： HongYu Yu ,  Shou-Zen Chang ,  Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32155 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/785

摘要： A semiconductor device is disclosed that comprises a fully silicided electrode formed of an alloy of a semiconductor material and a metal, a workfunction modulating element for modulating a workfunction of the alloy, and a dielectric in contact with the fully silicided electrode. At least a part of the dielectric which is in direct contact with the fully silicided electrode comprises a stopping material for substantially preventing the workfunction modulating element from implantation into and/or diffusing towards the dielectric. A method for forming such a semiconductor device is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其包括由半导体材料和金属的合金形成的完全硅化电极，用于调节合金的功函数的功函数调制元件和与完全硅化物电极接触的电介质。 与完全硅化电极直接接触的电介质的至少一部分包括用于基本上防止功函数调制元件注入和/或扩散到电介质的止动材料。 还公开了一种用于形成这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：US20070015334A1

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：US11484439

申请日：2006-07-11

申请人： Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso ,  Anil Kottantharyil ,  Marcus Van Dal

发明人： Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso ,  Anil Kottantharyil ,  Marcus Van Dal

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

摘要： A method for manufacturing a MOSFET device with a fully silicided (FUSI) gate is described. This method may be used to prevent formation of shorts between the FUSI gate and a contact to a source and/or a drain region. In particular, the method discloses the formation of an expansion volume above a gate dielectric. The volume is designed to substantially contain the fully silicided gate.

摘要翻译： 描述了一种用于制造具有完全硅化（FUSI）栅极的MOSFET器件的方法。 该方法可以用于防止在FUSI栅极和与源极和/或漏极区域的接触之间形成短路。 特别地，该方法公开了在栅极电介质上形成膨胀体积。 体积被设计为基本上包含完全硅化的栅极。

公开(公告)号：US20060263961A1

公开(公告)日：2006-11-23

申请号：US11382986

申请日：2006-05-12

申请人： Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso ,  Anil Kottantharayil ,  Marcus van Dal

发明人： Jorge Kittl ,  Anne Lauwers ,  Anabela Veloso ,  Anil Kottantharayil ,  Marcus van Dal

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L29/785

摘要： A method for manufacturing CMOS devices with fully silicided (FUSI) gates is described. A metallic gate electrode of an NMOS transistor and a metallic gate electrode of a pMOS transistor have a different work function. The work function of each transistor type is determined by selecting a thickness of a corresponding semiconductor gate electrode and a thermal budget of a first thermal step such that, during silicidation, different silicide phases are obtained on the nMOS and the pMOS transistors. The work function of each type of transistor can be adjusted by selectively doping the semiconductor material prior to the formation of the silicide.

摘要翻译： 描述了一种用于制造具有完全硅化（FUSI）栅极的CMOS器件的方法。 NMOS晶体管的金属栅电极和pMOS晶体管的金属栅电极具有不同的功函数。 通过选择对应的半导体栅电极的厚度和第一热步骤的热预算来确定每个晶体管类型的功函数，使得在硅化期间，在nMOS和pMOS晶体管上获得不同的硅化物相。 可以通过在形成硅化物之前选择性地掺杂半导体材料来调节每种类型的晶体管的功函数。

公开(公告)号：US20060286802A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11382875

申请日：2006-05-11

申请人： HongYu Yu ,  Chen JingDe ,  Li Mingfu ,  Dim-Lee Kwong ,  Serge Biesemans ,  Jorge Kittl

发明人： HongYu Yu ,  Chen JingDe ,  Li Mingfu ,  Dim-Lee Kwong ,  Serge Biesemans ,  Jorge Kittl

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/785

摘要： Low work function metals for use as gate electrode in nMOS devices are provided. The low work function metals include alloys of lanthanide(s), metal and semiconductor. In particular, an alloy of nickel-ytterbium (NiYb) is used to fully silicide (FUSI) a silicon gate. The resulting nickel-ytterbium-silicon gate electrode has a work function of about 4.22 eV.

摘要翻译： 提供了用作nMOS器件中的栅电极的低功函数金属。 低功函数金属包括镧系元素，金属和半导体的合金。 特别地，使用镍 - 镱（NiYb）的合金来完全硅化（FUSI）硅栅极。 所得的镍镱硅栅电极具有约4.22eV的功函数。

公开(公告)号：US20120075767A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13247805

申请日：2011-09-28

申请人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

发明人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

IPC分类号： H01G4/30 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02175 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45527 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： Methods of manufacturing metal-insulator-metal capacitor structures, and the metal-insulator-metal capacitor structures obtained, are disclosed. In one embodiment, a method includes providing a substrate, forming on the substrate a first metal layer comprising a first metal, and using atomic layer deposition with an H2O oxidant to deposit on the first metal layer a protective layer comprising TiO2. The method further includes using atomic layer deposition with an O3 oxidant to deposit on the protective layer a dielectric layer of a dielectric material, and forming on the dielectric layer a second metal layer comprising a second metal. In another embodiment, a metal-insulator-metal capacitor includes a bottom electrode comprising a first metal, a protective layer deposited on the bottom electrode and comprising TiO2, a dielectric layer deposited on the protective layer and comprising a dielectric material, and a top electrode formed on the dielectric layer and comprising a second metal.

摘要翻译： 公开了制造金属 - 绝缘体 - 金属电容器结构的方法以及所获得的金属 - 绝缘体 - 金属电容器结构。 在一个实施例中，一种方法包括提供衬底，在衬底上形成包括第一金属的第一金属层，并且使用与H 2 O氧化剂的原子层沉积在第一金属层上沉积包含TiO 2的保护层。 该方法还包括使用原子层沉积与O 3氧化剂在保护层上沉积电介质材料的电介质层，并在电介质层上形成包含第二金属的第二金属层。 在另一个实施例中，金属 - 绝缘体 - 金属电容器包括底部电极，其包括第一金属，沉积在底部电极上并包含TiO 2的保护层，沉积在保护层上并包括电介质材料的电介质层，以及顶部电极 形成在介电层上并且包括第二金属。

公开(公告)号：US20070080408A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：US11246516

申请日：2005-10-07

申请人： Philippe Absil ,  Jorge Kittl

发明人： Philippe Absil ,  Jorge Kittl

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/78

摘要： A method is described for forming an at least partially silicided contact. In one embodiment, a hardmask is deposited over a contact. A coating of sacrificial material is then provided on top of the hardmask. The sacrificial material coating is etched back until the top of the contact is exposed. The contact is then opened, the sacrificial material is removed, and a silicidation of the contact is performed.

摘要翻译： 描述了形成至少部分硅化物接触的方法。 在一个实施例中，硬掩模沉积在触点上。 然后在硬掩模的顶部提供牺牲材料涂层。 将牺牲材料涂层回蚀刻直到接触的顶部露出。 然后打开接触，去除牺牲材料，并进行接触的硅化。

公开(公告)号：US08405166B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12962288

申请日：2010-12-07

申请人： Christoph Adelmann ,  Johan Swerts ,  Sven Van Elshocht ,  Jorge Kittl

发明人： Christoph Adelmann ,  Johan Swerts ,  Sven Van Elshocht ,  Jorge Kittl

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/473

CPC分类号： H01L21/31691 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： The present disclosure is related to a dielectric layer comprising a rare-earth aluminate (RExAl2-xO3 with 0

摘要翻译： 本公开涉及包含稀土铝酸盐（RE x Al 2-x O 3，0

公开(公告)号：US20120092807A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13245247

申请日：2011-09-26

申请人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Malgorzata Pawlak ,  Kazuyuki Tomida ,  Min-Soo Kim ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

发明人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Malgorzata Pawlak ,  Kazuyuki Tomida ,  Min-Soo Kim ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02356 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L28/56

摘要： The disclosure provides a method for producing a stack of layers on a semiconductor substrate. The method includes producing a substrate a first conductive layer; and producing by ALD a sub-stack of layers on said conductive layer, at least one of said layers of the sub-stack being a TiO2 layer, the other layers of the sub-stack being layers of a dielectric material having a composition suitable to form a cubic perovskite phase upon crystallization of said sub-stack of layers. Crystallization is obtained via heat treatment. When used in a metal-insulator-metal capacitor, the stack of layers can provide improved characteristics as a consequence of the TiO2 layer being present in the sub-stack.

摘要翻译： 本公开提供了一种在半导体衬底上制造层叠层的方法。 该方法包括：制备基板第一导电层; 并且通过ALD在所述导电层上产生一层次叠层，所述子堆叠中的至少一层是TiO 2层，所述子堆叠的其它层是具有适合于 在所述子层叠层结晶时形成立方体钙钛矿相。 通过热处理获得结晶。 当用于金属 - 绝缘体 - 金属电容器时，层叠层可以提供改进的特性，因为TiO 2层存在于子层中。

公开(公告)号：US09343298B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US13245247

申请日：2011-09-26

申请人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Malgorzata Pawlak ,  Kazuyuki Tomida ,  Min-Soo Kim ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

发明人： Mihaela Ioana Popovici ,  Johan Swerts ,  Malgorzata Pawlak ,  Kazuyuki Tomida ,  Min-Soo Kim ,  Jorge Kittl ,  Sven Van Elshocht

IPC分类号： B05D5/12 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/02356 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L28/56

摘要： The disclosure provides a method for producing a stack of layers on a semiconductor substrate. The method includes producing a substrate a first conductive layer; and producing by ALD a sub-stack of layers on said conductive layer, at least one of said layers of the sub-stack being a TiO2 layer, the other layers of the sub-stack being layers of a dielectric material having a composition suitable to form a cubic perovskite phase upon crystallization of said sub-stack of layers. Crystallization is obtained via heat treatment. When used in a metal-insulator-metal capacitor, the stack of layers can provide improved characteristics as a consequence of the TiO2 layer being present in the sub-stack.

摘要翻译： 本公开提供了一种在半导体衬底上制造层叠层的方法。 该方法包括：制备基板第一导电层; 并且通过ALD在所述导电层上产生一层次叠层，所述子堆叠中的至少一层是TiO 2层，所述子堆叠的其它层是具有适合于 在所述子层叠层结晶时形成立方体钙钛矿相。 通过热处理获得结晶。 当用于金属 - 绝缘体 - 金属电容器时，层叠层可以提供改进的特性，因为TiO 2层存在于子层中。

公开(公告)号：US20060073656A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US10959674

申请日：2004-10-04

申请人： Amitabh Jain ,  Peijun Chen ,  Jorge Kittl

发明人： Amitabh Jain ,  Peijun Chen ,  Jorge Kittl

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78

摘要： According to one embodiment of the invention, a method for nickel silicidation includes providing a substrate having a source region, a gate region, and a drain region, forming a source in the source region and a drain in the drain region, annealing the source and the drain, implanting, after the annealing the source and the drain, a heavy ion in the source region and the drain region, depositing a nickel layer in each of the source and drain regions, and heating the substrate to form a nickel silicide region in each of the source and drain regions by heating the substrate.